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NMC811/Si-Graphite Li-ion电池的老化机制
研究小组或电化学能源转换和存储，部门，或化学与材料科学，学校工程，阿尔托大学，P.O。Box 16100，FI-00076，芬兰B LUT大学，Yliopiston Cat 34，53850，芬兰C Labratoire Matim，大学。 1, Uppsala, 75121, Sweden f TOFWERK AG, Schoore Streets 39, 3645, Thun, Switzerland g European Commission, Joint Research Centre (JRC) Pettes, Netherlands 54a i National Institute of Chemistry, Department of Materials Chemistry, Hajdrihova 19, 1000, Ljubljana, Slovenia j National Physical Laboratory (NPL), Hampton Road,泰丁顿，TW11 0LW，英国k Die Physikalisch-Technische Bundstant，德国，机构 - 技术邦德斯塔尔，D-38116，德国邦迪，德国Box 16100，FI-00076，芬兰B LUT大学，Yliopiston Cat 34，53850，芬兰C Labratoire Matim，大学。 1, Uppsala, 75121, Sweden f TOFWERK AG, Schoore Streets 39, 3645, Thun, Switzerland g European Commission, Joint Research Centre (JRC) Pettes, Netherlands 54a i National Institute of Chemistry, Department of Materials Chemistry, Hajdrihova 19, 1000, Ljubljana, Slovenia j National Physical Laboratory (NPL), Hampton Road,泰丁顿，TW11 0LW，英国k Die Physikalisch-Technische Bundstant，德国，机构 - 技术邦德斯塔尔，D-38116，德国邦迪，德国
纳米材料
摘要：石墨烯/硅异径光电探测器由于高表面状态和界面处的低屏障高度而遭受高黑暗电流，这限制了它们的应用。在这项研究中，我们通过磁控溅射引入了HFO X界面层以解决此问题。使用这种新结构，在偏置电压为-2 V的情况下，暗电流降低了六次。在460 nm的照明下，响应性为0.228a/w，检测率为1.15×10 11 cmHz 1/2 w -1，噪声等效的功率为8.75×10-5 pw/hz 1/2/2/2/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/hz 1/2/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz。此外，HFO X界面层中的氧空位为电荷载体提供了导电通道，导致光电流增长2.03倍，外部量子效率为76.5％。光电探测器在低偏置电压下保持良好的光响应能力。这项工作展示了HFO X膜作为界面层材料的出色性能，并为高性能光电探测器提供了新的解决方案，以及提高太阳能电池光伏转换效率的新途径。
约瑟夫森辐射阈值探测器
设计并制作了一种基于电流偏置约瑟夫森结 (CBJJ) 阈值行为的约瑟夫森辐射阈值探测器 (JRTD)，用于低温红外辐射 (IR@1550nm) 检测。为了实现最佳性能，我们开发了一种二元假设检测方法来校准无辐射和有辐射时的约瑟夫森阈值行为（即 CBJJ 与 Al/AlO x /Al 结的开关电流分布）。在没有红外辐射的情况下，结点转变，结点两端的电压降可测量，该信号被视为假设 H 0 的事件。在有红外辐射的情况下观察到的结点转变事件作为假设 H 1 。考虑到通常的高斯噪声并基于统计决策理论，对测得的开关电流分布的累积数据进行处理，并估算了所演示的 JRTD 设备的阈值灵敏度。所提出的探测器的最小可探测红外辐射功率约为 0.74 pW，这对应于 5.692 × 10 6 光子/秒的光子速率。进一步优化 JRTD 以实现所需的单光子二元检测仍然是一个争论的主题，至少在理论上是如此。
基于石墨烯/基于SOI的自动schottky屏障光电二极管阵列
我们已经在基于绝缘体（SOI）的Schottky屏障光电二极管阵列（PDA）上制造了四元素的石墨烯/硅，并研究了其光电设备性能。在我们的设备设计中，单层石墨烯被用作SOI基板上N型SI通道的光刻定义的线性阵列上的常见电极。通过波长解析的光电流光谱测量显示，在自动操作模式下，PDA结构中的每个元素均显示出最大的光谱响应性约为0.1 A/W。时间依赖的光电流光谱测量值分别具有1.36和1.27 L S的升高时间和秋季时间，显示出出色的光电流可逆性。阵列中的每个元素的平均特定检测率约为1.3 10 12琼斯，而从代码上则是0.14 pw/hz 1/2的小噪声等效功率。预计此处提供的研究将在高增值石墨烯/基于SI的PDA设备应用方面提供令人兴奋的机会。
第一长老会教堂
有兴趣加入教会吗？无论您是与我们一起敬拜了几周还是几年……如果您想正式承诺参与第一长老教会的敬拜、生活和事工，只需联系 Erin Bowers，邮箱：erin@firstpreshp.org，电话：336-884-2248。我们传统上在每月的最后一个星期日欢迎新成员。我们的春季音乐剧《伊甸园之子》的演员今天下午 3:30 至 6:00 开会开始排练。小学儿童请在下午 3:30 至 4:45 到场。任何有兴趣帮助舞台工作人员、搭建布景或准备服装的人，请联系 Elizabeth Gulley，邮箱：elizabeth@firstpreshp.org，电话：336-884-2248，分机 550。我们的下一次 PW 聚会将于明天 1 月 6 日中午 12:00 举行。皮埃蒙特临终关怀院的 Ryan Biagini 将举办一场“欢乐渡过难关”的活动。外展活动是为临终关怀院举办的。请务必在 Realm 上预约，发送电子邮件至 amoffice@firstpreshp.org 或致电教会办公室 336.884.2248。教会办公室将于 1 月 20 日星期一关闭，以纪念马丁路德金纪念日。沃德街食品银行 - 本月我们正在收集谷物和任何罐装蔬菜。
肝癌类器官的药物蛋白质组学表征及其在精准肿瘤学中的应用
* 通讯作者。gaoqiang@fudan.edu.cn (QG); ydsun@ion.ac.cn (YS); zhouhu@simm.ac.cn (HZ)。† 这些作者对本文的贡献相同。作者贡献：概念化，QG、YS、HZ 和 SJ 方法论，SJ、LF、ZF、GW、DL、YS、ZY、YL、CS、YL、HL、GH 和 JL 形式分析，YS、SJ、LF、ZF、YW、DL、YS、PC、ZY 和 SC 调查，SJ、ZF、GW、DL、YL、CS、GS、YL、YS 和 HL 验证：SJ 和 YL 资源：YL、SZ 和 XZ 可视化，SJ、LF、ZF、YW 和 PC 资金获取：QG、YS、BZ、SJ、YW 和 ZD 项目管理：QG、YS、HZ、SZ、XW、SQ、XZ、GH、JL、JZ 和 XW 监督：QG、YS、HZ、GH、JL 和 JF 撰写 - 原始草稿： SJ、LF、ZF、YW、YS 和 QG。撰写 - 审阅和编辑：QG、YS、HZ、LD、PW、DG、BZ、HR 和 HC
非时间有序关联与纠缠的分离
非时序关联 (OTOC) 和纠缠是两种物理上被广泛使用的量子信息“扰乱”探测方法，这种现象最近在量子引力和多体物理学中引起了极大的兴趣。我们认为，相应的扰乱概念可能存在根本区别，方法是证明在具有严格瓶颈的图（如树形图）上定义的随机量子电路模型中，OTOC 饱和的时间尺度和纠缠熵的时间尺度之间存在渐近分离。我们的结果与直觉相反，即随机量子电路的混合时间与底层相互作用图的直径成正比。它还为我们之前工作中的一个论点 [Shor PW，Schwarzschild 黑洞光子球的扰乱时间和因果结构，arXiv:1807.04363 (2018)] 提供了更严格的依据，即黑洞可能是慢速信息扰乱器，这反过来又与黑洞信息问题有关。我们获得的 OTOC 界限本身就很有趣，因为它们以严格和通用的方式将之前对格子上 OTOC 的研究推广到图上的几何。
C30902 系列_修订版2022.01
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。此结构在 400 nm 和 1000 nm 之间提供高响应度，并在所有波长下提供极快的上升和下降时间。器件的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。C30902SH 系列硅 SPAD 提供极低的噪声和大暗电流，可实现非常高性能的数据和距离测量。它们特别适合超低光照水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），适用于光功率小于 1 pW 的情况。C30902SH 可在线性模式（V OP < V BD ）下使用，典型增益为 250 或更高，或在“盖革”模式（V OP > V BD ）下使用，具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比。在此模式下，无需放大器，单光子检测概率最高可达约 50%。为了获得更高性能，这些高性能 SPAD 可配备单级或双级热电冷却器。
高级 LinCMOS 轨至轨运算放大器数据表 (Rev. D)
电源电压，V DD+ （见注释 1）8 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。电源电压，V DD– （见注 1）–8V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。差分输入电压，V ID （见注释 2）± 16 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入电压，V I （任何输入，见注释 1）V DD– – 0.3 V 至 V DD+ 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>...输入电流，I I (每个输入) ± 5 mA .. < /div>............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.输出电流，I O ± 50 mA ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.流入 V DD+ 的总电流 ± 50 mA .... div>........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。V DD– ± 50 mA 输出的总电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。25°C（或以下）时的短路电流持续时间（见注3）无限制。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。连续总耗散 请参阅耗散额定值表。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...................工作自然空气温度范围，TA：C后缀0°C至70°C。......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。........我后缀 –40 ° C 至 125 ° C .................................Q 后缀 –40 ° C 至 125 ° C .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...........M 后缀 –55 ° C 至 125 ° C ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。存储温度范围，T stg –65 ° C 至 150 ° C 。............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>......引线温度 1,6毫米（1/16 英寸）距离外壳 10 秒：D、N、P 和 PW 封装 260 ° C 。......J、JG、U 和 W 封装 300 ° C 。。。。。。。
议程公开会议曼彻斯特地区 - 主要...
汤姆·辛奇克利夫（Tom Hinchcliffe） - 主席（TH） - 基于副地的铅，NHS GM（曼彻斯特地区）卡罗琳·布拉德利（CB） - NHS GM（曼彻斯特地区）副主任Carolina Ciliento（CC）副主任（CC）戈登·里德（Gordon Reid）（GR） - NHS GM（曼彻斯特地区）初级保健副主管汤姆·哈灵顿（THA） - 耐心和公共咨询小组主席安德鲁·肯尼迪（Ank） - 地区融资领导者，NHS GM（Manchester Localitaly） LPC地区负责人（曼彻斯特），初级保健提供者代表，社区药房Vish Mehra（VM） - GP董事会主席，初级保健提供者代表，出席的一般实践-Darren Parsonage（DP），Humera Ahmed（HAMed（HA），Kay Hussain（Kay Hussain（KH），Kay Hussain（kh），Paul Wright（PW），Sophie Porter - Sophie Porter - 注意（SP）。公众出勤-Penny Frantzescou（PF），Adam Webster（AW），Emma Greetham（EG）。道歉：珍妮·奥斯本（Jo）（乔），莎拉·弗隆（SF），戴维·里根（David Regan）（博士），劳拉·沙阿（Lara Shah）（LS）。项目详细信息