XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemqd
BAL BHARATI公共学校Nayi Mumbai
（v）*ils- {n-（51-100xvifteqqqqqqqqqqq flb-3（r [r [，fq：qd：qd：，qrqf，61 {，fr-ff*fr_，qfr_，qfr-db，（re，zlefi-aql，zlefi-aql aql aql aql aql akt：arkt：，ffi，ffi，ffifi，ffifi，ffifr
基于量子点的成像和生物传感，用于早期检测神经退行性疾病
神经退行性疾病，包括阿尔茨海默氏病（AD），帕金森氏病（PD）和亨廷顿氏病（HD），对现代医学的挑战越来越大，早期诊断在有效治疗和管理中起着至关重要的作用。量子点（QD），具有独特光学特性的半导体纳米晶体，由于其高亮度，光稳定性和可调发射光谱而成为成像和生物传感应用中的强大工具。尤其是，基于QD的成像技术通过在疾病进展的早期阶段实现高分辨率的细胞和分子过程来早期检测神经退行性疾病的巨大希望。此外，QD可以用诸如抗体或肽等生物分子进行功能化，以促进与这些疾病相关的生物标志物的特定靶向，从而促进高度敏感和选择性的检测。本综述探讨了基于QD的成像和生物传感策略的进步，以早期检测神经退行性疾病，重点是它们在生物标志物检测中的应用，脑组织的成像以及非侵入性诊断的潜力。还讨论了在神经退行性疾病背景下基于QD的技术的挑战，局限性和未来方向。
量子点自发光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
Position-dependent chiral coupling between single quantum dots and cross waveguides
光子纳米结构与量子发射器之间的手性光 - 脱子相互作用显示出实现量子信息处理的自旋 - 光子界面的巨大潜力。量子发射极的位置依赖性自旋动量锁定对于这些手性耦合纳米结构很重要。在这里，我们报告了量子点（QD）和跨波导之间的位置依赖性手性耦合。选择在横截面中不同位置分布的四个量子点以表征设备的手性特性。定向发射是在单个波导和两个波导中同时实现的。此外，可以用四个输出的手性对比确定QD位置。因此，通过将QD放置在合理位置，跨波导可以充当单向单向波导和圆形极化的光束分离器，该位置具有潜在的应用程序，该QD在单个光子水平上的复杂量子光学网络中具有潜在的应用程序。
脂肪酸合酶（FASN）抑制剂和甲状腺激素受体β（THRB）激动剂的组合显示
•雄性C57BL/6J Gubra-氨基蛋白 - 纳什（GAN）饮食诱导的肥胖小鼠，具有组织学确认的NAS（≥5）（≥5）和纤维化阶段（F2-F3）（F2-F3），并用TVB-3664（TVB-3664）（替代fasn imbioritor for denifater in demifitor for denifanStat，5 mg/keg）进行治疗（MGL-3196，3 mg/kg，PO，QD）单独或组合6周（每组n = 10-12，Gubra，丹麦）
divarasib (GDC-6036) 治疗患有 KRAS G12C 突变的日本局部晚期或转移性实体瘤患者的 I 期研究
数据截止时间：2024 年 1 月 5 日。 * 一名接受 divarasib 400 mg QD 治疗的患者出现胆道感染和胆管狭窄（被认为与 divarasib 无关）以及食欲下降和贫血（被认为与 divarasib 有关）。第二名接受 divarasib 200 mg QD 治疗的患者出现腹泻（被认为与 divarasib 有关）。† 患者出现 3 级食欲下降，这是相关的严重不良事件（400 mg QD 组）。‡ 一名接受 divarasib 200 mg QD 治疗的患者出现 1 起导致剂量减少（2 级恶心）的不良事件和 1 起导致剂量中断的不良事件（3 级腹泻）。第二位接受 divarasib 400 mg QD 治疗的患者出现 1 起导致剂量减少的 AE（3 级食欲下降）和 3 起导致剂量中断的 AE（贫血、胆道感染和胆管狭窄，均为 3 级）。§ 患者出现的其他 TRAE 包括贫血、淀粉酶升高、恶心、外周水肿、发热和呕吐（各 n=1）。AE，不良事件；TRAE，治疗相关不良事件。1. Sacher A 等人。N Eng J Med 2023；2. Garralda E 等人。于 2024 年 9 月 13 日至 17 日在 ESMO 上发表（616MO）。
![b'd \ xf \ xac \ x83bhdms] qdbdms qdrd] qbg g] r qdud] kdc sg] s m] m] trhmf lnkdbtk] q cxm] rodbh \ xcb \ x99b onqd rhydr rdfqdf] sd sd sgd svn bnlonmdmsr* vhsg vhsg v] sdq adhmf oqdedqqdqqdqqdc hm sgd bdmsdq] mc ldssdq] mc ldsg] mc ldsg] mnk] mnk] mnk] mnk] bbtltk] bbtltk] gxcqnognahb v] kkr- @ksdqhmf sgd onqd vhcsg] krn] \ xcb \ xcb \ x87dsr mnm，lnmnsnmhb] v] sdq ch \ xcb \ x87trhmf e] rsdq sg] m ldsg] ch \ xcb \ x87dqdmbdr* b] m dm] akd sgd sgd rtbdrretk dwsq] bshnm ne ansg bnlonmdmsrgnvdudq* sgd rxdl rxdl rxdl qdthqdr dwsdqm] l] hms] hm ldbg] mhb] k rs] ahkhsx] 4 @ \ xe \ x80 \ x84 onqd rhyd l] whlhydr ogxrhb] k rdo] q] q] lhmhlhydc-' div>](/simg/8\8e15fcdc7aedbb0e2ed21e4e3099470d0f6c5880.webp)
b'd \ xf \ xac \ x83bhdms] qdbdms qdrd] qbg g] r qdud] kdc sg] s m] m] trhmf lnkdbtk] q cxm] rodbh \ xcb \ x99b onqd rhydr rdfqdf] sd sd sgd svn bnlonmdmsr* vhsg vhsg v] sdq adhmf oqdedqqdqqdqqdc hm sgd bdmsdq] mc ldssdq] mc ldsg] mc ldsg] mnk] mnk] mnk] mnk] bbtltk] bbtltk] gxcqnognahb v] kkr- @ksdqhmf sgd onqd vhcsg] krn] \ xcb \ xcb \ x87dsr mnm，lnmnsnmhb] v] sdq ch \ xcb \ x87trhmf e] rsdq sg] m ldsg] ch \ xcb \ x87dqdmbdr* b] m dm] akd sgd sgd rtbdrretk dwsq] bshnm ne ansg bnlonmdmsrgnvdudq* sgd rxdl rxdl rxdl qdthqdr dwsdqm] l] hms] hm ldbg] mhb] k rs] ahkhsx] 4 @ \ xe \ x80 \ x84 onqd rhyd l] whlhydr ogxrhb] k rdo] q] q] lhmhlhydc-' div>
b'd \ xf \ xac \ x83bhdms] qdbdms qdrd] qbg g] r qdud] kdc sg] s m] m] trhmf lnkdbtk] q cxm] rodbh \ xcb \ x99b onqd rhydr rdfqdf] sd sd sgd svn bnlonmdmsr* vhsg vhsg v] sdq adhmf oqdedqqdqqdqqdc hm sgd bdmsdq] mc ldssdq] mc ldsg] mc ldsg] mnk] mnk] mnk] mnk] bbtltk] bbtltk] gxcqnognahb v] kkr- @ksdqhmf sgd onqd vhcsg] krn] \ xcb \ xcb \ x87dsr mnm，lnmnsnmhb] v] sdq ch \ xcb \ x87trhmf e] rsdq sg] m ldsg] ch \ xcb \ x87dqdmbdr* b] m dm] akd sgd sgd rtbdrretk dwsq] bshnm ne ansg bnlonmdmsrgnvdudq* sgd rxdl rxdl rxdl qdthqdr dwsdqm] l] hms] hm ldbg] mhb] k rs] ahkhsx] div>4 @ \ xe \ x80 \ x84 onqd rhyd l] whlhydr ogxrhb] k rdo] q] q] q] q] hr lhmhlhydc-' div>
在量子点超晶格中调和时空分辨激子传输的复合电动力机制
量子点（QD）固体是有希望的光电材料；进一步提高其设备功能需要了解其能量传输机制。The commonly invoked near-field Förster reso- nance energy transfer (FRET) theory often underestimates the exciton hopping rate in QD solids, yet no consen- sus exists on the underlying cause.为了响应，我们使用了时间分辨超快刺激的发射消耗（STED）显微镜，这是STED的超快速转化，以在泰氏剂掺杂的核心/核心/钙含量的核/钙含量硫化物硫化物硫化物 - 硫化物 - 硫化物 - 壳QD超弹药中的超快转化。我们测量了由于激子在超晶格内采样异质的能量景观而导致的伴随时间分辨的激子衰减。通过单粒子发射光谱量化异质性。这套强大的多模式集合集合对激子传输的动力学蒙特卡洛模拟提供了足够的约束，以阐明一种复合运输机制，该机制包括近场和以前被忽视的远场排放/吸收性贡献。发现这种机制提供了一个急需的统一框架，可以在其中表征QD固体中的传输和设备设计的其他原理。
纳米结构的gaas-on-s-on-si基板上的Ingaas量子点的线性阵列
在SI中集成的高质量量子点（QD）的线性阵列是探索量子信息的操纵和传输的理想平台。因此，了解与SI技术兼容的底物的QD自组织机制至关重要。在这里，我们证明了INAS和INGAAS QD的线性阵列的外延生长来自AS 2和裸露和GAAS涂层Si（001）底物的分子束，由高分辨率激光干扰纳米义造影。原子力MI司法检查与高分辨率扫描和透射电子显微镜结合使用，表明，当QDS的生长选择性，横向顺序和尺寸均匀性的提高时，QDS的大小为1 nm thick thick gaas gaas buffer层是在INAS沉积之前种植的。此外，x ga 1-x作为QD的优先成核沿<110>的纳米结构的gaas-on-si（001）底物的面向面向的边缘从Adatom迁移中从（111）迁移到（111）到（001）纳米和湿润层引起的湿润层引起的EDM迁移而产生。 Stranski-Krastanov过渡。这些是相干QD的线性阵列形成的关键要素，它们的形态和结构与GAAS（001）和Si（001）平面表面上的形态和结构不同。
量子点自对准介电微球的光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。