依赖于完美晶体和纳米级特征的新型中子光学装置的开发正在引领新一代中子科学实验,从基础物理到新兴量子材料的材料表征。然而,分析中子通过完美晶体传播的标准动态衍射 (DD) 理论并未考虑复杂的几何形状、变形和/或缺陷,而这些现在正成为高精度干涉实验中相关的系统性效应。在这项工作中,我们扩展了基于粒子通过酉量子门晶格传播的 DD 量子信息 (QI) 模型。我们表明,在适当的极限下,模型输出在数学上等同于 Takagi-Taupin 方程的球面波解,并且该模型可以扩展到布拉格几何和劳厄-布拉格几何,在几何中它与实验数据一致。所提出的结果证明了 QI 模型的通用性及其对超出 DD 标准理论范围的场景进行建模的潜力。
毕业生概况和学习目标:毕业生将获得凝聚态系统的量子理论、热力学和统计物理学基础知识以及相应的计算方法的广泛教育。他们能够以不同的形式描述系统的结构、机械、电、磁和光学特性。他们掌握了通过例如衍射、光谱和显微技术表征凝聚态化合物的结构、组成和性质的实验方法的一般知识,并能够将其应用于实践。毕业生能够在基础物理、化学和生物医学研究机构、大学、应用研究实验室、测试实验室以及卫生和生态机构中找到合适的职位。该研究的目的是提供量子理论、热力学和统计物理学方面的广泛教育,并结合理论、无机有机和大分子凝聚态系统的当前方法。同时,本研究的目标是让学生全面了解现代实验方法和技术程序的原理。在所选专业中,学生将获得更深入的教育和实践技能。
由于并行处理的优势,基于波的计算最近引起了广泛关注。特别是,已经证明了几种声波计算设备可以执行经典算法和数学运算。在这里,我们扩展了声波计算以模拟量子算法,提出了一种支持欺骗表面声波的集成声学梯度超表面系统来实现 Grover 量子搜索算法。我们表明,这种集成元设备可以实现设计的亚衍射和透射相位,可用于模拟量子算法中使用的操作,例如 Hadamard 变换和平均值的逆。数值模拟证明了该设备具有良好的搜索能力,包括比经典算法快一倍的速度和亚波长搜索精度。我们预计,我们的结果将启发片上集成元设备的替代设计方案,以实现更多受量子启发的声学模拟计算。
快速、可逆、低功耗操控自旋纹理对于下一代自旋电子器件(如非易失性双极存储器、可切换自旋电流注入器或自旋场效应晶体管)至关重要。铁电拉什巴半导体 (FERSC) 是实现此类器件的理想材料。它们的铁电特性使得能够通过可逆和可切换的极化对拉什巴型自旋纹理进行电子控制。然而,只有极少数材料被确定属于此类多功能材料。这里,Pb 1 − x Ge x Te 被揭示为一种新型的纳米级 FERSC 系统。通过温度相关的 X 射线衍射证明了铁电相变和伴随的晶格畸变,并通过角分辨光电子能谱测量了它们对电子特性的影响。在少数纳米厚的外延异质结构中,较大的 Rashba 自旋分裂表现出随温度和 Ge 含量变化的宽调谐范围。本研究将 Pb 1 − x Ge x Te 定义为用于自旋电子学应用的高电位 FERSC 系统。
这项工作致力于证明在非努力理论中应用自然语言处理理论中获得的信息处理公式的可能性。这些公式是在计算机实验中获得的,用于通过更改触发此运动的信息量来建模材料对象的运动和相互作用。定义了实验研究的假设,客观和任务。开发了用于执行典范的方法和软件工具。为了比较语音生产过程中人大脑过程中的过程的不同结果,采用了一系列方法来计算自然语言文本片段序列的估计,包括基于线性近似的方法。实验证实,在非力量相互作用理论中获得的信息处理公式反映了语言形成的过程。证明,提供的方法可以成功地用于创建反应性人工智能机系统。实验性并在这项工作中提出的实际结果构成了非强制性(信息)交互公式通常是有效的。
摘要:在双层石墨烯 (BLG) 中打开带隙对于石墨烯基电子和光子器件的潜在应用具有重要意义。本文,我们报告了通过在 BLG 和 Ru 衬底之间插入硅烯在 BLG 中产生相当大的带隙。我们首先在 Ru(0001) 上生长高质量的 Bernal 堆叠 BLG,然后将硅烯插入 BLG 和 Ru 之间的界面,这通过低能电子衍射和扫描隧道显微镜得到证实。拉曼光谱显示,插入的 BLG 的 G 和 2D 峰恢复到独立 BLG 特征。角分辨光电子能谱测量表明,BLG 中打开了约 0.2 eV 的带隙。密度泛函理论计算表明,大带隙打开是 BLG 中掺杂和波纹/应变共同作用的结果。这项工作为 BLG 中带隙打开的机制提供了深刻的理解,并增强了基于石墨烯的器件开发的潜力。关键词:双层石墨烯、带隙、协同机制、插层、硅烯 ■ 介绍
摘要:本文报道了通过简便的水热法成功合成钴钌硫化物。使用 X 射线衍射、X 射线光电子能谱和拉曼光谱对所制备的钴钌硫化物的结构进行了表征。所有制备的材料均呈现纳米晶体形态。通过循环伏安法 (CV)、恒电流充放电 (GCD) 和电化学阻抗谱技术研究了三元金属硫化物的电化学性能。值得注意的是,优化后的三元金属硫化物电极表现出良好的比电容,在 5 mV s -1 时为 95 F g -1,在 1 A g -1 时为 75 F g -1,优异的倍率性能(在 5 A g -1 时为 48 F g -1)和优异的循环稳定性(1000 次循环后电容保持率为 81%)。此外,该电极在功率密度为 600 和 3001.5 W kg -1 时的能量密度分别为 10.5 和 6.7 Wh kg -1。这些诱人的特性使所提出的电极在高性能储能装置中具有巨大的潜力。
2.4.1。液滴尺寸。用激光差异方法(Mastersizer 3000,Malvern Inc)测量了液滴尺寸及其大小分布。2.4.2。界面张力。使用dunoüy板法(BZY-2张力计,亨普仪器)测量油/水接口处的界面张力。2.4.3。zeta电位。在室温下,用痕量激光多普勒电溶剂方法(Zetasizernano Zs,Malvern Inc.)测量丙烯酸酯迷你乳液的Zeta电位。用水将样品稀释一百次,每个样品的pH在5处控制以防止pH干扰。对于每个样品,重复测量三次。2.4.4。sem。在3 kV加速电压下,通过扫描电子微拷贝(SEM)(RIGMA/VP,Carl Zeiss显微镜LTD)研究了带有或没有CNC的聚丙烯酸酯样品的形态。将聚丙烯酸酯乳液稀释一千次,掉在硅片上,在空气中干燥,放在平台上进行观察。
2D半导体可以推动量子科学和技术的进步。但是,它们应该没有任何污染。同样,相邻层及其电子特性的晶体学排序和耦合应具有良好的控制,可调且可扩展。在这里,这些挑战是通过一种新方法来解决的,该方法结合了分子束外延和原位带工程在石墨烯上半导体硒化(GASE)的超高真空中。通过电子差异,扫描探针显微镜和角度分辨的光电子光谱法表明,在层平面中与基础与石墨烯的下层晶格相对的原子研究表明,GASE的原子薄层对齐。GASE/石墨烯异质结构(称为2semgraphene)具有GASE的中心对称性(组对称性D 3D)多晶型物,GASE/Chapeene界面处的电荷偶极子,以及可通过层厚度调谐的带结构。新开发的可伸缩2秒封装用于光学传感器,该传感器利用光活动Gase层和与石墨烯通道的接口处的内置电势。此概念证明具有进一步的进步和设备体系结构,将2semgraphene作为功能构建块。
金属电极诱导的晶格应变会损害用电子或孔自旋运行的高级量子设备的功能。在这里,我们通过nanobeam扫描X射线di效果显微镜很好地研究了由埋入10 nm厚的SI / SI 0.66 GE 0.34量子孔的晶状体上的CMOS制造钛电极引起的变形。我们能够测量2-8×10-4范围内的锡电极诱导的应变张量成分的局部调制,并具有约60 nm的横向分辨率。我们评估这些应变流动在局部调制中反映在SI传导带的最小值大于2 MeV的电势中,该电池的最小值大于2 MeV,该调制带接近静电量子点的轨道能。我们观察到,在量子孔层的给定深度处应变调制的符号取决于电极的横向尺寸。由于我们的工作探讨了设备几何形状对应变诱导的能量景观的影响,因此它可以进一步优化缩放CMOS加工的量子设备的设计。