日内瓦,瑞士,2025年2月26日 - 全球半导体领导者Stmicroelectronics(NYSE:STM)在电子应用程序范围内为客户提供服务,它介绍了Teseo VI全球导航卫星系统(GNSS)的TESEO VI家族(GNSS)接收者的AIMED AIMED AIMET AIMET AIMET AIMET AIMET AIMET AIMET AIM AIM AIM EAMET AIM AIM AIM AIM置于优先位置。对于汽车行业来说,TESEO VI芯片和模块将是高级驾驶系统(ADA),智能车载系统以及自动驾驶等安全关键应用的核心组成部分。他们还旨在提高多个工业应用中的定位功能,包括资产跟踪器,用于家居运输的移动机器人,管理机械和智能农业中的机械监测,基本电台等定时系统等。“我们的新TESEO VI接收器在定位引擎之间取得了真正的突破:它们是第一个在单个模具中整合多构造和四频带信号处理的人;它们是第一个嵌入双臂®核心架构,可实现非常高的性能和ASIL级别的辅助和自动驾驶驾驶的安全。最后但并非最不重要的一点是,他们嵌入了ST的专有嵌入式非挥发性内存(PCM),从而为新的精确定位解决方案提供了一个非常集成,成本效益且可靠的平台,”卢卡·塞兰特(Luca Celant),数字音频和信号求解,stmicroelectronics。“ ST的新卫星游动接收器将支持汽车ADAS应用程序中令人兴奋的高级功能,并启用工业公司实施的许多新用例。” TESEO VI是市场上第一个将所有必要的系统元素集成到一个厘米精度中的所有必要系统元素,并支持同时进行多构造和Quad-Band操作。这项创新简化了最终用户导航和定位产品的开发,即使在诸如Urban Canyons之类的具有挑战性的条件下,也可以提高可靠性,并降低了材料清单成本。此外,单个芯片加速了上市时间,并允许紧凑而轻巧的形式。新的Teseo VI家族由精确定位的接收器芯片筹码数十年的经验,并整合了多种ST专有技术,包括精确定位和先进的嵌入式内存。
在本文中,我们提出了一种称为自旋扭矩二极管(STD)的纳米级旋转射频(RF)检测器的电气模型。提出了一种用于模型参数提取的完整方法。得出了与STD的等效电路,并将设备电阻非线性的建模与自旋扭转二极管效应一起。提出了一种详细的逐步方法,以使用常规的直流测量,RF散射参数(S-Parameter),连续波和功率表征提取模型参数。参数提取后,与单个STD的测量结果进行了比较,成功验证了模型。最后,提出的STD电气模型用于预测基于2-STD的RF检测器体系结构的行为。仿真结果突出了提出的建模方法的兴趣,以研究合适的RF检测器体系结构,以提高单个或多体RF检测的RF-DC转换效率。
检测低功率和高功率光的短脉冲 能够在恶劣环境和很宽的温度范围内工作 大动态范围 在感应到明亮目标后,快速过载恢复以检测后续信号 承受高光功率密度,提高探测器的损伤阈值 除了这些标准之外,许多 LRF 和 LiDAR 系统设计都会受益于在传输和接收过程中使用光纤,以改善系统热管理并降低整体系统噪音 (1) 。许多国防应用都需要商用现货 (COTS) 组件,因为 COTS 更容易获得且更具成本效益。CMC 推出了一系列新的 COTS 尾纤 SMT 封装铟镓砷 (InGaAs) 雪崩光电二极管 (APD) LIDAR/LRF 接收器,276-339832-VAR,根据 MIL-STD 规格进行设计、测试和验证。这款 COTS APD 接收器提供的性能可以更准确地检测更长距离的小目标。坚固的光纤尾纤封装有利于节省空间和简化系统集成,同时满足 MIL-STD 环境操作条件。
频率:868.3 MHz调制:FSK(频移键)安全性:带主传输原理的滚动代码:板上电源:12 V DC电源:15 MA操作控制:15 MA操作控制:红灯发射二极管(LED)温度范围:-10°C至 +50°C尺寸:43 x 40 x 40 x 40 x 15 mm连接:3杆连接:3级电缆,近似。320毫米长:大约。 50 g IP等级:IP 20切换冲动:潜在的320毫米长:大约。50 g IP等级:IP 20切换冲动:潜在的
认证................................................................................................................................................ii
摘要:本文介绍了一种采用 65 nm 技术制造的 26 Gb/s CMOS 光接收器。它由三电感跨阻放大器 (TIA)、直流 (DC) 偏移消除电路、3 级 gm-TIA 可变增益放大器 (VGA) 以及内置均衡技术的无参考时钟和数据恢复 (CDR) 电路组成。TIA/VGA 前端测量结果显示 72 dBΩ 跨阻增益、20.4 GHz −3 dB 带宽和 12 dB DC 增益调谐范围。VGA 电阻网络的测量也证明了其有效克服电压和温度变化的能力。CDR 采用全速率拓扑,具有 12 dB 嵌入式均衡调谐范围。该芯片组的光学测量结果显示,在 2 15 −1 PRBS 输入下,26 Gb/s 速率下的 BER 为 10 −12,输入灵敏度为 −7.3 dBm。使用 10 dB @ 13 GHz 衰减器的测量结果也证明了增益调谐功能和内置均衡的有效性。整个系统功耗为 140 mW,采用 1/1.2 V 电源供电。
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对话角色对语音 AI 和人类对话者语音对齐的影响 标题:角色和对话者影响对齐 Georgia Zellou、Michelle Cohn 和 Tyler Kline 语音实验室,加利福尼亚大学戴维斯分校语言学系 469 Kerr Hall,One Shields Ave.,戴维斯,CA 95616,美国 通讯作者电子邮件:gzellou@ucdavis.edu 摘要 两项研究调查了对话角色对人类和语音 AI 对话者语音模仿的影响。在单词列表任务中,给予者指示接收者将单词放在两个列表中的哪一个上;这个对话任务类似于用户与语音 AI 系统进行的简单口头交互。在地图任务中,参与者与对话者一起完成填空工作表,这是一项更复杂的交互任务。参与者与两个对话者完成了两次任务,一次作为信息提供者,一次作为信息接收者。通过相似性评级评估语音对齐,并使用混合效应逻辑回归进行分析。在单词列表任务中,参与者在更大程度上仅与人类对话者保持一致。在地图任务中,仅作为给予者的参与者更多地与人类对话者保持一致。结果表明,语音对齐由对话者的类型介导,并且对话角色的影响因任务和对话者而异。关键词:语音对齐、语音-AI、人机交互、对话角色
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端(Rx_AFE),主要由有源电压电流反馈跨阻放大器(AVCF-TIA)和交错有源反馈限幅放大器(LA)组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术,大输入电容得到很好的隔离,而不受低电源电压的限制,并且显著缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时,通过在LA设计中采用交错有源反馈技术,带宽进一步扩展。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造,跨阻增益为63.8 dB Ω,3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始,当运行 30 Gbps PRBS 时,电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词:光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS 分类:集成电路(存储器、逻辑、模拟、RF、传感器)
摘要。本文提出了一种基于动态阈值 MOSFET (DTMOS) 的下变频吉尔伯特混频器,用于采用 UMC 180 nm CMOS 工艺的医疗植入通信服务 (MICS) 接收器设计。电流源辅助器和开关偏置技术用于提高基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器的性能。所提出的设计在 403 MHz 的射频 (RF) 下工作,在 5 dBm 的 LO 功率下最大变频增益为 12.5 dB。所提出的设计的 1 dB 压缩点和三阶输入截点 (IIP3) 分别为 - 8.79 dBm 和 3.92 dBm,噪声系数 (NF) 在 10 MHz 中频 (IF) 下为 6.6 dB。该设计电路在 0.9 V 电源电压下工作,直流功耗为 0.55 mW,芯片面积为 0.035 9 0.037 mm 2。因此,这种具有高转换增益和更好噪声性能的设计是适合 MICS 应用的模块。