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均匀磁化矩形杆和圆柱体退磁因子的简单近似表达式

光学显微镜显示蚀刻后表面清晰无特征。总之，我们描述了一种制造可靠、易于去除的高能高剂量离子注入掩模的新工艺。要注入的样品以额外的 AIGaAs 金属剥离层作为表面层，在其上通过常规光刻胶剥离技术对金属掩模进行图案化。注入后，通过使用 HCl 选择性蚀刻 AIGaAs 来去除 AIGaAs 金属剥离层和金属掩模。由于 HCl 的选择性，在去除金属掩模期间底层外延结构不会受损。这项工作得到了国家科学基金会化合物半导体微电子工程研究中心 (CDR-85-22666)、材料研究实验室 (DMR-86-12860) 和海军研究实验室 (NOOO14-88-K-2oo5) 的支持。