• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*),用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护: – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断: – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下: – 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度
I.2 事故保护 本手册中提供的安全说明旨在防止人员受伤(警告)或设备损坏(注意)。有关重启联锁功能的安全说明,请参阅第 5 节。警告:高电压。即使关闭后,设备的电压也可能≥ 810Vdc(电容电压)。放电时间约。6 分钟。警告:高电压。恢复电阻连接到母线,电压可能≥ 810Vdc。警告:操作期间请勿触摸恢复电阻,以免烫伤 注意:确保已连接正确的输入电压 400V 或 460V 注意:建议断开驱动器和 EMC 滤波器,以执行 EN 60204-1 (1997),第 19.4 段的交流电压测试,以免损坏相线和地之间的 Y 型电容器。此外,产品系列标准 EN 50178 (1997) 要求的直流电压介电测试已在工厂作为常规测试进行。可以在不断开驱动器和 EMC 滤波器的情况下执行 EN 60204-1 (1997),第 19.3 段的直流绝缘电阻测试。注意:需要紧急停止时,必须先禁用轴,然后打开 U2-V2-W2 引脚并关闭电机相至电阻器。延迟时间必须至少为 30 毫秒。注意:如果反复打开和关闭,请在打开和打开之间等待 1 分钟。注意:不要超过表中的紧固扭矩(但请参阅适当的数据表以了解输入电容器和电源模块的紧固扭矩,并参阅本手册第 2 部分以了解端子块的紧固扭矩)螺钉紧固扭矩
在图4,M1和M2的电路中是N型MOS晶体管,M3和M4是P型MOS晶体管。这些晶体管在CMOS拓扑中配置差分放大器,以最大程度地减少功率消耗[6]。偏置电路是由编程电流(I Ref)控制的镜电路(M5和M6),可为差分和通用源放大器提供适当的偏置电流。补偿电路涉及频率补偿的技术,其中使用这些技术的目的是避免产生正面反馈的意外创建,从而导致Op-Amp输出中的振荡并控制对单位步骤功能的响应[7]。频率补偿技术包括磨坊主补偿技术,无效电阻技术以及电压缓冲液或电流缓冲技术。
抗干扰措施 使用高度复杂的微电子器件需要始终实施抗干扰和布线概念。结构越紧凑,对现代机器的性能要求越高,这一点就越重要。以下安装说明和建议适用于“正常工业环境”。对于所有干扰环境,没有理想的解决方案。当采取以下措施时,编码器应处于完美的工作状态:• 在串行线的开始和结束处(例如,控制和最后一个编码器)用 120 电阻器(接收/发送和接收/发送之间)终止串行线。• 编码器的布线应远离可能造成干扰的电源线。
单元I:材料,晶体系统,单元细胞和空间晶格的晶体结构,以及缺陷,工程材料类别 - 金属和合金,黑色和非有产性合金,低钢,铝合金,铝合金,铜合金,不锈钢,不锈钢,不锈钢钢,固有钢,粘土,陶器,陶器,有机有机化物材料和组合材料。从电气工程角度分类固体。导电材料 - 导体的特性,良好的导体材料的特性,常用的导电材料,用于间接头部线的导体材料,导体类型,地下电缆的导体,电气机中使用的导体材料,电阻材料,电阻材料,电阻类型,公共汽车棒的材料。
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路的关键元件,例如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性,并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的精度和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此,已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度
(绝缘体和开关) 硅晶锭:是由直径为 8 至 12 英寸、长度约为 12 至 24 英寸的硅晶体组成的棒。 切片机:这些圆柱体被切成薄片 毛坯晶圆:这些圆柱体是高度抛光的晶圆,厚度不到四十分之一英寸。 20 到 40 个处理步骤:晶圆要经过多步光刻工艺,电路所需的每个掩模都要重复一次。每个掩模定义组成完整集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部分,并定义制造器件的每个层的电路图案。 图案化晶圆:晶圆上的图案与掩模的精确设计一致
总共提供 12 个专用缓冲高阻抗输入(V1 至 V10、VBAT1 和 VBAT2),用于测量来自外部传感器或电阻分压器的电压,从而可以测量电池组电压、温度、HV-Link 电压、底盘隔离以及监控接触器和保险丝的状态。在某些配置下,还有另外八个缓冲高阻抗输入(V11 至 V18),总共 20 个输入。ADBMS 电池组监视器的内置串行接口可以配置为与 BMS 控制器进行 SPI 或隔离 isoSPI 通信。它有一个额外的 isoSPI 端口,允许连接菊花链式 ADBMS 电池组监视器设备,可选择使用 ADBMS6834/6836/6837 电池监视器(ADBMS 电池监视器)进行扩展。
概述 MAX22190 是一款符合 IEC 61131-2 标准的工业数字输入设备。MAX22190 将八个 24V 电流吸收工业输入转换为串行 SPI 兼容输出,该输出可与 3V 至 5.5V 逻辑接口。电流设置电阻允许将 MAX22190 配置为 1 型、2 型或 3 型输入。通过每个输入上的第二个阈值检测器验证接近开关的现场接线。当启用断线时,如果输入电流低于断线阈值超过 20ms,则将断言 FAULT 输出并设置寄存器标志。断言 FAULT 引脚的其他诊断包括:过热、24V 现场电源低、24V 现场电源缺失、CRC 通信错误等。