•D2 - 从增量编码器发出的脉冲;通过FOD817 OptoCOPLER分离。在输出侧我使用了大约1k电阻器将开放式收集器连接到5V。•D3,D4 - A,B输入来自增量编码器;不需要上拉电阻•D5 - 旋转编码器按钮的输入;不需要上拉电阻•D6 - 用户输出B - 使用晶体管我要切换5V继电器,以打开13.8V TRX电源的功率。不要忘记继电器周围的反平行二极管。请注意,继电器必须为5V,因为最初在电源降低时,Arduino董事会仅由USB(5V)供电。•d7,d8,d9,d10,d11,d12 - 连接到4线设置中使用的2x16字符lcd显示器(RS,E,D4,D5,D5,D6,D7)。r/w输入的LCD显示器已连接到地面,因为只执行了要显示的写入。通过电压分隔器•D13 - 控制显示器的背光;如果不活动较长的背光熄灭•A0 - h-bridge控件,侧面1(左)•A1-H桥控件,侧面2(右)•A2 - A2 - 适用于H-Bridge•A3 - A3 - 用户输出A;类似于用户输出B,但是在我的情况下,我要控制天线开关的24V继电器
内置上电复位模块会让芯片一直处于复位状态直到电压正常,当电压低于一定阈值时,芯片也会复位。当外部复位引脚RST n 为低电平时,整个芯片都会复位。此引脚内置上拉电阻和RC滤波器,也可悬空。内置看门狗确保芯片在发生异常情况时仍能在规定时间内恢复正常工作。
摘要:智能纺织品因其在简化生活方面的潜在应用而引起了广泛关注。最近,通过将电子元件整合到导电金属纱线上/内来生产智能纺织品。表面贴装电子设备 (SMD) 集成电子纱线的开发、特性和机电测试仍然有限。由于非细丝导电纱线具有突出的纤维,因此容易发生短路。确定最佳构造方法并研究影响基纱纺织性能的因素非常重要。本文研究了不同外部因素(即应变、焊盘尺寸、温度、磨损和洗涤)对 SMD 集成镀银 Vectran (SCV) 纱线电阻的影响。为此,通过应用气相回流焊接方法将 SMD 电阻器集成到 SCV 纱线中来制造 Vectran 电子纱线。结果表明,导电线规长度、应变、重叠焊盘尺寸、温度、磨损和洗涤对 SCV 电子纱的电阻性能有显著影响。此外,根据实验,由 SCV 导电线和 68 Ω SMD 电阻制成的电子纱的最大电阻和功率为每 0.31 m 长度 72.16 Ω 和 0.29 W。因此,这种电子纱的结构也有望为制造可穿戴导电轨道和传感器带来巨大好处。
温度传感器是从细胞端子中分离出来的,可以通过单独的电路安全地读取信号。但是,使用标准堆栈测量IC非常方便,通常用于电池监视和平衡。图6给出了具有广泛可用LTC6803的电路示例。要测量温度,在IC上激活平衡开关。这样做后,CN+1和CN之间的电压差为温度。在这种测量过程中,传感器电流从细胞正选项卡到串联电阻器到传感器,然后转移到IC的内部平衡FET,然后通过另一个串联电阻到细胞为阴性。因此,在这种情况下,使用330Ω电阻为传感器形成680Ω电阻。当禁用开关时,可以测量电池电压。请注意,在添加电容器进行过滤测量时,应格外小心,因为这可能导致传感器中的过电流状态。还要注意,不得启用相邻的平衡开关,因为这也会导致过电流。如果选择了这样的技术,则应一次在每个第二个单元格上进行两个循环进行测量(例如:1、3和5,2、4和6)。建议使用单独的IC进行电池管理和温度测量,但是,通过额外的谨慎和智能工程,可以使用单个IC进行电池电压测量,温度测量和平衡:如果添加了额外的出血电阻和MOSFET,则可以在温度测量过程中平衡细胞。
背板 保护接地 光耦合器 : 压敏电阻 : 电阻器 : 保险丝 : 二极管 : 电容器 使用时,请仔细阅读产品附带的使用说明书并正确使用。 未经许可,不得分发或复制本目录的全部或部分内容。 请注意,由于产品的改进和修改,本目录中的产品描述可能在某些方面与实际产品不同。 DIASYS Netmation/DIASYS Netmation4S 是三菱重工业株式会社的注册商标。 本目录中描述的其他公司的服务名称和产品名称是各公司的商标或注册商标。
如图所示,一个导电条正在在均匀磁场下的两个平行导轨上移动。磁场存在于整个空间中,直接在纸板上,并具有幅度𝐵。轨道被距离隔开,足够长,无摩擦。棒具有质量𝑚且可忽略不计的抗性;它垂直于轨道,向右移动,并且在此实验期间不会离开轨道。轨道的左端连接到具有电阻的电阻器,而右侧朝向杆运动方向的右端被张开和未连接。在𝑡= 0,栏具有速度𝑣(0)=𝑣0> 0。回答以下问题。
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
注意:1。can_speed是打开=> baud Rate = 500 kbps; 2。addr_0和addr_1开放=>可以地址= 0xD0 3。可以通信手册参考文献文档:BCA.00290(在客户请求中提供)。4。可以禁用hvil循环,但不建议进行。可以从12V/24V电池创建hvil循环。+VBAT应连接到HVIL。在将电阻器(为12V的600欧姆或24V的1200欧姆连接到-VBAT)以实现20mA电流环路是必要的。*对于通过机箱分布的应用程序,我们建议在-VBAT上使用其他保险丝。