Basics of lasers & laser properties: Interaction of light with matter (Absorption, spontaneous and stimulated emissions), Einstein coefficients and light amplification, Einstein coefficients and finding their relationships, Population inversion, Laser rate equations, Three-level, and four-level laser systems, Optical resonators, Axial and transverse modes, Q-switching and mode locking,激光,时间相干性,空间相干性,单色性,方向性,亮度,线宽,激光辐射和可调性的聚焦特性的相干性能。激光的类型:掺杂的激光器(固态激光器):ND Ruby Laser:YAG和ND:玻璃激光器,气体激光器:原子激光器:He-ne Laser;离子激光器:氩激光;分子激光器:二氧化碳激光,氮激光器和准分子激光;液体染料激光;半导体激光器。
在光子学中,谐振器是一种用途元素,其目的是引导光。它们包括各种大小的数量级和激光源的力量。可以认为,某些效应可以被认为是否定的,导致简化的数学模型。我们将重点关注两个这样的模型:一种与耳语画廊模式谐振器有关,另一个与响声/Fabry-Perot共振器有关。在第一种情况下,保留的模型会导致整个空间中的二维线性Helmholtz方程,其物质定律沿有界的界面跳跃。对靠近真实轴的复合共振集进行了分析,对应于靠近界面的模式。在第二种情况下,考虑了基于Lugiato-LeFever方程的一维模型。从溶液中发出的施加解决方案的分支被突出显示,提供了频率梳子解决方案。
提出了一种基于混合耦合技术的具有宽带外抑制的紧凑型双频带带通滤波器 (BPF)。该 BPF 由两个混合螺旋耦合谐振器组成,其中谐振器之间的电耦合和磁耦合可以为双频带产生两个传输路径。这种双频带 BPF 具有宽带外抑制。此外,它的通带频率和带宽可以轻松控制。为了说明其工作原理,给出了一个具有偶模和奇模分析的等效电路。这种双频带 BPF 采用硅集成无源器件 (IPD) 技术制作。制作的双频带 BPF 具有 1.6 mm × 0.54 mm × 0.23 mm 的紧凑尺寸,并进行了测量。测量结果表明,这种双频带 BPF 可以产生 2.45 GHz 和 6.15 GHz 的两个频带。此外,在 7.8 至 20 GHz(8.16 f 0)范围内可实现超过 20 dB 的抑制。模拟结果和测量结果具有很好的一致性。
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW),以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm,比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗,这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平,并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
我们确定了三维超导射频(SRF)谐振器中的量子反应性的主要来源,以及由氧化尼伯群组成的二维透射量值:五级系统(TLS)损失的氯托氧化物中的氧气空位:氧气空位。通过探测顺序真空烘焙处理对大量NB NB SRF共振器RF性能以及使用飞行飞机二级离子质谱法(TOF-SIMS)的代表性NB样品的氧化物结构的影响,我们发现Cavity质量因子Q 0的非单调性进化与NB相互构图相关联。我们将这种作用定位在氧化物本身中,并通过通过湿氧化来揭示了缓解加重的TLS损失的缓解氧化氧化物,从而呈现了基础NB中扩散的间质氧的微不足道作用。我们假设五氧化五氧化物中的此类空缺是磁杂质的,并且是TLS驱动的RF损失的来源。
在波动波参数放大器(TWPA)中,低损耗电容器对于提供50Ω的阻抗与增加的电感相匹配的50Ω阻抗,而不是通过用于放大的非线性元件所带来的电感,无论是Josephson连接点还是高动力敏感材料。在这里,我们报告了真空隔离微带的制造过程的开发,该设计的设计在无介电支持的情况下,地面平面悬挂在中心导体上方的附近。除了高电力传输线外,该体系结构还可以启用空气桥和紧凑的并行板电容器。在低温稀释冰箱设置中,使用分布式铝和颗粒铝谐振器进行了制造的性能,显示出与最先进的TWPA中使用的Fabripation过程相同的质量因素。除了表征质量因素对功率的依赖性外,还探索了它们在温度方面的行为,采用基于热准准颗粒和可饱和的两级系统(TLS)的模型,表明谐振器的质量因素受TLS的限制。
3 共面波导谐振器的设计 8 3.1 材料和几何选择 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 3.1.3 共面波导几何形状. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .................................................................................................................................................................................13 3.3.1 初步设计....................................................................................................................................................................................14 3.3.2 优化设计....................................................................................................................................................................................15
摘要:钻石中的颜色中心在量子技术中具有广泛的实用性,但它们的创造过程本质上仍然是随机的。确定性创建可以使用设备就绪的钻石平台中的颜色中心可以提高产量,可扩展性和集成。使用脉冲激发激发的最新工作在确定性地造成散装钻石的缺陷方面表现出了令人印象深刻的进步。在这里,我们将这种激光写入过程扩展到刻在钻石膜中的纳米光子设备中,包括纳米骨和光子谐振器,并在低温温度下以书写和随后的读数进行写作。我们证明了钻石纳米木中心的碳空位(GR1)和氮空位(NV)中心的光学驱动创建,并从中观察到增强的光致发光收集。我们还制造了靶标谐振器,并利用其腔模式来局部放大激光编写场,从而使用Picojoule Write-Pulse Energies产生缺陷,比在散装钻石演示中通常使用的脉冲能量低100倍。关键字:激光写作,钻石纳米光子学,颜色中心,空腔耦合,牛乳天线,纳米质
图 1. 晶圆级基于 LN 的 MWP 信号处理引擎及其构建模块。a 基于 LN 的 MWP 处理引擎示意图,由将模拟电子信号忠实地转换为光域的高速 EO 调制部分和低损耗多用途光子处理部分组成。b 使用紫外步进光刻系统对 4 英寸晶圆级 LN 光子集成电路进行图案化拍摄。c 我们高速 MWP 系统基本构建模块的显微镜图像和关键性能指标,包括固有品质因数 ~ 6 × 10 6 的微谐振器、用于信号编码的低驱动电压和宽带强度和相位调制器、作为积分器的分插环谐振器、作为微分器的非平衡 MZI,以及作为二阶积分器和微分器的级联环和 MZI。 d 设备的假彩色扫描电子显微照片(SEM),分别显示波导的侧壁、微谐振器的耦合区域、波导和多模干涉(MMI)耦合器的横截面图。
在通往易断层量子计算的道路上 - 这是由解决量子化学,材料和优化等领域中棘手的计算问题的前景所激发的 - 一个关键挑战是扩大量子信息的数量(Qubits),量子计算机可以托管量的量子,同时又不降级其性能。为此,由于其灵活的设计,与微芯片制造工艺的兼容性以及由市售设备生成的微波处理,超导量子处理器(SQP)具有其优势。本文是SQPS可伸缩性的证明。通过采用用于半导体制造的3维集成技术,与单芯片结构可以容纳的较小数量相比,平流芯片集成的SQP可以托管数十至数百个量子位。本文的第一部分展示了我们如何转移SQP的各个组件的设计 - Qubits,耦合器,读取谐振器和Purcell过滤器(同时维持良好的Qubit相干性和高控制和高度遵守的效果,并使用其他制造工艺)保持了良好的Qubit chip体系结构。我们特别注意InterChip间距,这是在平流芯片体系结构中引入的附加设计参数,该参数对SQP的参数可预测性和性能具有很大影响。论文的第二部分展示了我们如何使用这些单独的组件来设计缩放的SQP。从参数设计到布局的多Qubit SQP的设计工作流已经详细详细阐述。这项工作流量导致了25 Q量的片芯片集成的SQP,而不会降低量子轴相干性和门的性能,进一步证明了流质芯片集成的SQP的可扩展性。我们通过引入基于共形映射技术的超导谐振器的分析设计方法加快了这项设计工作的速度,我们将其用于设计读取谐振器,其参数不受Interchip间距的变化影响。