PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块,用于局部去除硅以提高无源性能(适用于所有技术) TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项,可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项,在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV
I. 引言 数字射频发射器因其相对于模拟发射器的众多优势而广受欢迎 [1]、[2]、[3]、[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。数字发射器 (TX) 省去了大部分模拟功能,只包含一个模拟端口,即其输出。当然,这种方法依赖于高速、高线性度的数模转换器 (DAC)。DAC 的输出稳定时间必须与载波频率相称,其线性度由所需信号的可容忍失真和/或相邻信道功率比 (ACPR) 决定。后者在长期演进 (LTE) 标准等蜂窝应用中尤其具有挑战性。DAC 的非线性和无杂散动态范围 (SFDR) 已得到广泛研究 [10]、[11]、[12]、[13]、[14]、[15]。本文重点讨论 DAC 非线性和 ACPR 之间的关系。目的是提供简洁的方程,帮助设计人员决定如何选择 DAC 单元,以及在应用预失真等校正技术后可以容忍多少残余积分非线性 (INL)。第二部分涉及电流控制 DAC 的非线性分析,第三部分将其 INL 与 ACPR 联系起来。第四部分研究了当输入近似为白噪声时这些 DAC 的行为,第五部分研究了相位失真的影响。第六部分重复了开关模式架构的计算。
问题陈述:能够高速和高功率处理的半导体设备平台是无数RF电源应用的关键组件级构建块,例如雷达(国防,航空航天和平民 - 汽车),通信(国防,航空航天,航空和平民 - 5G及以后),信号jamming和rf。迫切需要这些技术,尤其是印度的国防和航空航天机构,因为它们是敏感和控制的。
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能(适用于所有技术) TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项,可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项,在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV
使用人工神经网络以低能耗成本从射频 (RF) 信号中提取信息是从雷达到健康的广泛应用的关键需求。这些 RF 输入由多个频率组成。在这里,我们表明磁隧道结可以并行处理具有多个频率的模拟 RF 输入并执行突触操作。我们使用一种称为极限学习的无反向传播方法,使用来自同时充当突触和神经元的磁隧道结的实验数据,对由 RF 信号编码的噪声图像进行分类。我们实现了与等效软件神经网络相同的精度。这些结果是嵌入式射频人工智能的关键一步。简介分析射频 (RF) 信号在各种应用中都至关重要,例如联网物体、雷达技术、手势感应和生物医学设备 1–8 。对于许多信号分类任务,例如发射器类型识别,人工神经网络已被证明比标准方法表现更好,并且表现出对噪声和缺陷的卓越鲁棒性 1 。然而,在传统计算硬件上运行神经网络非常耗时且耗能,这使得将这种功能集成到嵌入式系统中具有挑战性 9,10 。这一问题在射频信号的情况下被放大,因为它们需要先进行信号数字化,然后才能由神经网络处理。降低人工智能能耗的一种有前途的方法是利用新兴技术构建物理神经网络 11 。对于这一目标,自旋电子纳米器件具有关键优势,包括多功能性、快速动态、小尺寸、低功耗、高循环性、高可靠性和 CMOS 兼容性 12,13 。此外,自旋电子器件的高速动态为它们提供了发射、接收和处理射频信号的关键特性 14–20 。多项研究表明它们在构建硬件神经网络方面具有潜力 11,21–
一种具有分级介电特性的3D打印成分的当前方法是构建两种空间分离的介电材料的成分。这些不同的材料之间的不同界面可能导致材料的热膨胀不同。另一种技术是将空隙放置在组件中以控制介电常数(即电能分配)。这两种技术通常都会产生机械不稳定的结构,这些结构限制了设备性能,尤其是对于在困难的环境条件下运行的小型卫星和飞机上的RF系统。
振动和机械态度可以在射频信号中纳入RF信号,这意味着必须在量子计算中使用的连接器进行机械稳健且稳定,从而表明连接保持安全并且不受微小化的范围。使用具有低电阻和高热电导率的材料有助于降低噪声。有时在高级连接器中使用超导材料来达到接近零的电阻,从而最大程度地减少了热噪声。
IHP 为研究合作伙伴和客户提供其强大的 SiGe:C BiCMOS 技术和特殊集成 RF 模块。这些技术特别适合更高 GHz 频段的应用(例如无线、宽带、雷达)。它们提供截止频率高达 500 GHz 的集成 HBT,包括互补设备。• 适用于光纤、航空航天、宽带和无线通信、雷达、数据中心、测量设备、太赫兹成像、电子健康领域的产品
请注意!本文件仅供参考,本文提供的任何信息在任何情况下均不视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格,我们恳请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
3真空弧已被研究很长时间,不确定。在1900年,该电子被发现5年前被发现,人们在空气中“理解”了崩溃,但想知道是否可以在真空中保持更高的田地。A.A. Michelson没有真空泵,但可以在较小的距离上查看BD,而不是电离长度。他发现崩溃仍在固定的地面场发生。这项工作是由R. Millikan扩大的,他研究了各种实验细节。凯尔文勋爵认为崩溃是由于:静电力〜抗拉强度。他假设了大型田野增强。我们也提出了这个论点。尽管已经研究了超过100年的真空故障,但预算大量,但大部分努力旨在对组件而不是ARC物理学进行质量控制。我们的数据和建模使我们朝着不同的方向发展。