图5a。lipo 2 f 2的色谱图在KOH洗脱液中。在DI水中未处理的1G/L Lipo 2 F 2(顶色谱图)显示出具有明显的尾巴和边缘的水解产物。使用量增加的NaOH处理相同的样品,显示出更高程度的水解。
用于生产Ca的主要碳源材料是植物材料,其形式是从植物材料或植物材料本身(例如马铃薯,木薯,玉米,米饭,米饭,88或其他谷物)中分离出的87碳水化合物(Tong等,2019)。A. Niger CA行业中使用的主要基材是玉米陡峭的89液(Xue等,2021)。美国超过90%的制造商依赖于玉米衍生的90葡萄糖或葡萄糖的发酵(Anastassiadis等,2008)。研究人员研究了其他原料,例如Agro-91工业副产品(例如,茎,果壳,工业液体等),作为92柠檬酸生产的潜在碳源(Tong等,2023),但这些替代底物仅是今天的93(Anastassiadis and Alastsies and and and and and and and and and and and and and and and and and and and and and and。1 94
钢合金作为经济的遏制材料候选材料,易受到 TES 系统中熔融介质的热腐蚀和氧化 [3-7, 9-22]。碳酸盐、氯化物-碳酸盐和氯化物-硫酸盐的熔融共晶混合物也被视为具有高热容量和能量密度的 PCM 候选材料 [3, 23]。腐蚀产物的溶解度和合金的氧化电位是影响遏制材料和熔融介质之间兼容性的关键因素 [24]。在钢合金中,材料表面保护性氧化物的形成可提高抗腐蚀能力,其中材料化学、温度和气氛决定了结垢速率 [25, 26]。然而,在熔盐中,由氧化铬等成分组成的保护层通常会通过熔剂溶解到盐混合物中。一旦氧化膜被去除,暴露金属中最不活泼的成分就会受到侵蚀 [24, 27, 28]。例如,铁基合金在 450°C 下的 ZnCl 2 -KCl 中的腐蚀是由于氧化膜的分离和剥落造成的[29]。
SQM 太阳盐的排放强度因子是通过计算太阳盐生产过程中释放的平均温室气体排放量,然后将其与各个 CSP 工厂在 30 年内向电网产生的总电能联系起来确定的。SQM 计算出的太阳盐碳足迹平均值为 0.60 kgCO2eq/kg 太阳盐。该值可以洞悉太阳盐生产对环境的影响,而这只是 CSP 工厂整体碳足迹的一个方面。
特定的电能消耗为(11.5 - 13 kWh/kg SI),进入该工艺的碳材料代表相似的能源贡献。将大约一半的能量保留为Si金属中的化学能。碳足迹范围从4.7 kg CO 2 /kg Si到16千克CO 2 /kg Si),具体取决于该过程中使用的能源的类型(Xiao等,2010;Sævarsdottir等人,2021年)。由碳热过程产生的MG-SI的纯度约为98%和99%。电子级硅(杂质含量<1 ppb)和太阳级硅(杂质含量<1 ppm)用于各种应用,例如在光伏和电子产品中(Suzdaltsev,2022年)。用于从MG-SI生产高纯度硅的常规技术是西门子的工艺,它具有高能量消耗和低生产率(Chigondo,2018),或者使用流体化的床工艺(Arastoopour等,2022年)。另一种方法是Si在熔融盐中的电沉积,预计会产生高纯硅。如果所使用的阳极不耗时并且不产生CO 2,则与常规过程相比,碳足迹可以显着降低,如果用于电解的电力是可续签或核能的。已经证明,具有不同形态学的si膜可以电化学地沉积在不同的熔融盐中,例如氯化物,氟化物和氯化物 - 氟化物(Juzeliu Nas和Fray,2020年)。这些盐中的每一个都有优势和缺点;氯化物熔体是高度水溶性的,但沉积的胶片薄(<10 µm)。同时,沉积在浮力物中沉积的胶片是致密的,但是粘附在沉积物上的盐很难轻易去除。si可以通过将Si源/前体(例如SiO 2,Na 2 Sif 6,K 2 SIF 6和SICL 4)添加到熔融盐中来沉积。Si前体分解为Si(IV)电活性离子,该离子通过基于盐类型的一步或两步减少机制减少。
考虑到各种 F − 离子配位化合物,研究了熔融 LiF – NaF-KF (FLiNaK) 共晶盐中 Cr 0 、Cr 2 + 和 Cr 3 + 氧化状态下铬的热力学稳定性。构建了氟离子活度 (F − 和 CrF 3 − ) 电位图,以预测最稳定的 Cr 氧化态与阴离子活度、铬离子的溶剂化状态和 600°C 时的电位的关系。利用循环伏安法 - 能斯特理论分析法估算了 FLiNaK 盐中这些化合物的吉布斯自由能。为了验证构建的图表,在施加各种电位后对 Cr 进行 X 射线衍射,以确定在固化 FLiNaK 盐中检测到的化合物是否与热力学计算一致。这项工作旨在确定对熔盐核反应堆应用中的铬腐蚀有重要意义的关键热力学因素。 F − 稳定区覆盖了 Cr 自发腐蚀发生的整个区域。除了 p 1/2 H 2 /a HF 等某些条件外,在 HF 存在下(由于水分作为杂质),Cr 可能会自发氧化为 Cr 2 + 和 Cr 3 +。对于氧化的 Cr 溶质在 F − 溶剂中的各种溶剂化状态,这种情况不会发生质的变化,并且对于本文考虑的两种情况(对 1:Cr 0 /CrF 3 − /CrF 6 3 −;对 2:Cr 0 /CrF 4 2 − /CrF 5 2 −),这种情况基本相似。
我们报告了一项系统的研究,该系统研究盐浓度及其阳离子价对模型的混合物的多种等分和转运性能,其混合物具有单价(Lino 3)的硝酸盐(lino 3),二价(mg(no 3)2和Ca(no 3)2和Ca(no 3)2)和(no 3)3)salts。由适当的实验技术确定的这些特性包括密度,声速,折射率,表面张力,电导率和粘度。单粒子动力学和径向分布函数也通过分子动力学模拟进行了分析。在Vogel-Fulcher-Tammann框架中研究了电导率的温度依赖性,我们获得了有效的激活能量,脆弱性指数和Vogel温度。此外,我们进行了高温Arrhenius分析,并计算了电导率和粘度的激活能。最后,获得了不同混合物的分数Walden规则的指数,并分析了系统的离子和脆弱性,证明所有混合物都是亚离子和脆弱的。在其第一个溶剂化壳中建立的由添加盐的阳离子和硝酸盐阴离子组成的长寿命阴离子聚集体的氢键网络的变形以及长寿命的阴离子聚集体的形成是对分析特性产生的深影响。细节分析了盐阳离子的表面电荷密度对溶液的结构和运输特性的作用,并与离子液体极性纳米孔(纳米结构溶剂化)中盐物质的溶剂化有关。2022作者。由Elsevier B.V.这是CC BY-NC-ND许可证(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)下的开放访问文章。
摘要。熔融盐是使用MS功率塔和“直接”存储或使用带有MS“间接”存储的抛物线槽的CSP植物中存储热能的首选选择,使用热油作为太阳能场中的传热油。自2000年以来,已经提出并研究了在线性抛物线槽中使用“直接”储存的传热液。从2001年开始,ENEA在其“太阳热力学”项目中充分发展了这种概念。这样的努力导致建造全尺寸100 m。 2003年的测试工厂在ENEA测试领域,并于2010年由意大利公用事业ENEL(ACHIMEDE)授予5 MW的单位。随着线性菲涅尔技术变得更加成熟,也开始研究这种类型的太阳能收集器,以采用熔融盐作为HTF。意大利公司Sol.in.par专门从事可再生能源工厂,最近决定采用带有熔融盐的菲涅尔技术作为传热液和储存培养基,用于在Partanna(Sicily)开发新的发电厂(SICILY),其中包括5.6 MW e Photovoltaic section和4.26 MW E CSSP部分。由于实际上没有这种类型的植物,因此这种植物将是这种概念的第一个。本文描述了目前在施工阶段的设计和操作主要数据,预计将不晚于2020年春季。
摘要 材料喷射 (MJT) 是一种增材制造工艺,其中构建材料以单个液滴的形式沉积。由于 MJT 具有潜在的高打印速度以及低设备和原材料成本,因此最近已扩展到金属加工领域。为了实现完整的 3D 功能,需要支撑结构,打印作业后必须将其移除。我们研究了水溶性盐和合适的喷嘴材料,以实现 MJT 工艺中的熔盐打印。在这里,熔体和喷嘴的润湿特性至关重要,因为明显的润湿会影响液滴的喷射。建立了一个固着滴接触角测试台,以评估三种盐或盐混合物(NaCl、KCl-NaCl 和 NaCl-Na 2 CO 3 )在六种不同喷嘴材料(各种陶瓷和石墨)(即潜在喷嘴材料)上的润湿特性。结果表明,除石墨上的 KCl-NaCl 外,大多数检查样品都具有较高的润湿趋势。这些材料在 MJT 测试台上的应用证实了我们研究结果的可行性。
如何快速可靠地克服挑战,以促进锂基盐在潜热存储技术中的开发?原位实时显微镜用于通过微观机制了解材料的理论和实验宏观性质之间的差异。尽管无机锂盐对空气/湿度敏感,且普遍认为 LiOH 在干燥环境或真空下会分解,所以不能用于在显微镜室内合成新材料,但仍证明了该方法在无机锂盐上的可行性。以 Li 4 Br(OH) 3(一种不常见的、有前途的相变材料)为例,调查了与理论能量密度 434 kWh/m 3 约 30% 的偏差来源。起始材料的水合/脱水是主要参数之一,应用温度协议,在形貌和性能方面引起与目标材料不同的偏差。如果不考虑这一标准,则可能会对设备在使用过程中的存储容量造成灾难性的影响。本研究重点介绍了避免这些缺陷的解决方案。尽管操作条件不同,但微观尺度上的结果与宏观尺度上的结果也得到了证明© 2020 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)。