HAL 是一个多学科开放存取档案库,用于存放和传播科学研究文献,无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
hal是一个多学科的开放访问档案,用于存款和传播科学研究文件,无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
摘要 — 卷积神经网络 (CNN) 是最重要的深度神经网络 (DNN) 类别之一,有助于解决许多与图像识别和计算机视觉相关的任务。它们使用传统 CMOS 技术和数字设计技术的传统实现仍然被认为非常耗能。浮点 CNN 主要依赖于 MAC(乘法和累加)运算。最近,基于 XNOR 和位计数运算的经济高效的 Bite-wise CNN 已被视为可能的硬件实现候选。然而,由于内存和计算核心之间密集的数据提取导致的冯诺依曼瓶颈限制了它们在硬件上的可扩展性。XNOR-BITCOUNT 操作可以通过在忆阻交叉开关阵列上执行的内存计算 (IMC) 范例轻松实现。在新兴的忆阻设备中,自旋轨道扭矩磁随机存取存储器 (SOT-MRAM) 提供了具有更高导通电阻的可能性,从而可以降低读取电流,因为所有交叉开关阵列都是并行读取的。这有助于进一步降低能耗,为更大的交叉开关设计铺平道路。本研究提出了一种基于 SOT-MRAM 的交叉开关架构,能耗极低;我们研究了工艺变异性对突触权重的影响,并对整个交叉开关阵列进行了蒙特卡罗模拟,以评估错误率。模拟结果表明,与其他忆阻解决方案相比,此实现的能耗较低,每次读取操作的能耗为 65.89 fJ。该设计对工艺变化也具有很强的鲁棒性,读取误差极低,最高可达 10%。
能源转型加速了可再生能源的大规模使用,特别是太阳能和风能取代化石燃料[1]。然而,为了确保电力生产和消费之间的平衡,储能系统与可再生能源发电机相结合[2]。这些储能系统还必须满足效率和电网支持方面的要求。欧洲人才项目提出将BESS的电压从传统的低压机架[3]1kV-1.4kV提高到中压机架(2×1 500V,中点接地),以实现高效率(> 99%)并减少所需功率元件原材料的数量。在外部开关调制模式(OSMM)下工作的ANPC转换器的主要优势在于仅在逆变器或整流器模式下使用小开关环路,从而可以提高开关速度[4]。本文重点介绍ANPC转换器设计。作者将在后续文章中对DC/DC转换器进行分析。
关键词;UTBB 28nm FD-SOI、模拟 SNN、模拟 eNVM、eNVM 集成。2. 简介基于新兴非易失性存储器 (eNVM) 交叉开关的脉冲神经网络 (SNN) 是一种很有前途的内存计算组件,在边缘低功耗人工智能方面表现出卓越的能力。然而,eNVM 突触阵列与 28nm 超薄体和埋氧全耗尽绝缘体上硅 (UTBB-FDSOI) 技术节点的共同集成仍然是一个挑战。在模拟脉冲神经网络 (SNN) 中,输入神经元通过一电阻一晶体管 (1T1R) 突触与输出神经元互连,计算是通过突触权重将电压尖峰转换为电流来完成的 [1]。神经元将尖峰积累到预定义的阈值,然后产生输出尖峰。神经元区分和容纳大量突触和输入脉冲的能力与神经元放电阈值的电压摆幅直接相关。这主要取决于膜电容、突触电荷的净数量和低功率神经元的阈值 [2]。
摘要 — 为了确保这种新兴器件的可靠性,控制导电桥式随机存取存储器 (CBRAM) 中的细丝生长至关重要。在这里,我们证明了扫描焦耳膨胀显微镜 (SJEM) 可用于检测和精确定位工作中的交叉 CBRAM 器件中的导电细丝。基于 Pd/Al 2 O 3 /Ag 堆栈的柔性存储器件首先在低温下在聚酰亚胺基板上精心制作。这些器件在低压 (<2V) 下显示置位和复位操作,开/关比高于 10 4 。在低电阻状态下操作时,SJEM 振幅图像显示出单个导电细丝存在下的热点。在 50kHz 下提取的有效热扩散长度为 4.3µm,并且还证明了热膨胀信号与耗散的焦耳功率成正比。我们相信,所提出的程序为可靠性研究开辟了道路,可将其应用于任何基于细丝传导的存储器件系列。索引词——CBRAM、柔性电子、SJEM、长丝定位。
因此,本文提出了一种新颖的直流微电网 (DCMG) 交叉开关架构,可以将时变电气拓扑安装到现有的物理架构上。我们通过提出一种以电源交叉开关为中心的系统组织来改进最先进的技术,该系统支持软件定义的电气拓扑和相应的数字控制架构。这使得能够处理从一组能源参与者到另一组能源参与者的动态和透明切换(切换操作)。我们的方法通过其灵活性提供了显着的优势,例如通过选择电源和负载之间的适当路由来最大限度地减少配电/转换损耗。由于数字控制架构对多个电压和电流进行恒定的高频监控,因此该方法能够设置一种反应性故障检测和缓解措施,能够在不中断能源输送的情况下从各种故障中恢复。
近年来,电阻式存储器已成为电子领域的一项关键进步,在能源效率、可扩展性和非易失性方面具有众多优势 [1]。这些存储器以其独特的电阻开关行为为特征,非常适合各种应用,从高密度数据存储到神经形态计算 [2]。它们与先进的半导体工艺的兼容性进一步增强了它们的潜力,使其能够无缝集成到现代电子电路中 [3]。电阻式存储器的一个特别有前途的途径在于将其集成在半导体制造的后端 (BEOL) 阶段 [4]。BEOL 集成涉及晶体管制造后发生的工艺,主要侧重于创建电气连接这些晶体管的互连。在此阶段集成电阻式存储器可实现紧凑、高效和高性能的架构,这对于数据存储和处理共置的内存计算应用至关重要 [5]。本文研究了使用化学机械抛光 (CMP) 工艺将基于 TiO x 的电阻式存储器集成到无源交叉阵列结构中的三种方法,重点是确定最佳集成技术。
•根据联邦能源监管委员会(FERC)通过的CAISO关税,如果基本案例分析的结果表明需要进行额外的传输开发,则将传输项目带到CAISO董事会批准TPP的第二年。•如果经CAISO董事会批准,根据FERC关税,传输项目将通过传输访问费用获得成本回收。•以及通常直接导致传输项目批准的基本案例分析,
最终的社区咨询一旦计划草案完成,它就可以在网上以及位于金斯巴恩斯纪念堂和教堂的硬副本上提供社区,地方议员和邻近的社区委员会。进行了一项在线调查,以允许发表评论,并邀请所有人在5月18日(星期六)在纪念馆举行咖啡和讨论,这是咨询过程的一部分。交付了简短的演讲,地板开放进行讨论。然后邀请出席者提交任何进一步的评论。