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Mike Gravely，能源存储技术主管 能源研究与开发部 加州能源委员会 Mike.Gravely@energy.ca.gov
• 纳税人资助的计划，使纳税人受益 • 由能源委员会和三家投资者所有的公用事业公司（PG&E、SCE 和 SDG&E）管理 • 能源委员会计划每年约 1.3 亿美元用于研究 • 2020 年，CPUC 将 EPIC 计划延长 10 年
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。
亚太经合组织秘书处最新消息
1. 能源工作组、专家组、研究中心、任务组和卫星网站（亚太经合组织能源标准信息系统 (ESIS) 和能源智能社区倡议 (ESCI)）起草为期四年、包含日落条款的职责范围，并于 2025 年 12 月 31 日前提交给 SCE 批准。 2. 专家组、研究中心和任务组的职责范围承诺每年向能源工作组汇报；遵守亚太经合组织的指导方针和政策，包括确保亚太经合组织品牌的产出首先得到能源工作组的认可。 3. 能源工作组更新其战略计划。 4. 能源工作组审查所有网站，并指示相关成员更新/关闭不符合亚太经合组织政策或过时的网站。如果没有经济体对网站负责，则该网站应被关闭。 5. 能源工作组于 2025 年向 SCE 汇报其行动
成本回收申请 23-10-001 野火......
通过电子邮件发送 2024 年 9 月 3 日 Connor Flanigan 董事总经理 州监管运营 南加州爱迪生公司 2244 Walnut Grove Avenue Rosemead, CA 91770 亲爱的 Connor Flanigan： 最终报告传送函——对南加州爱迪生公司申请 23-10-001 在 2022 年 1 月 1 日至 2022 年 12 月 31 日期间的审计 加州公用事业委员会 (CPUC) 的公用事业审计部门 (UAB) 已完成对南加州爱迪生公司 (SCE) 申请 (A.) 23-10-001 的审计，该申请旨在收回 2022 年 1 月 1 日至 2022 年 12 月 31 日期间的野火缓解和植被管理成本。我们于 2024 年 8 月 8 日发布了审计报告草案。SCE 对报告草案调查结果的回应以及我们对回应的评估都我们将在网站“行业审计报告”(ca.gov) 上发布最终审计报告。请在发布最终审计报告后的 45 个日历日内提供针对发现和建议的纠正行动计划 (CAP)。CAP 应包括纠正发现的具体步骤和目标日期。请将 CAP 提交至：UtilityAudits@cpuc.ca.gov。我们感谢 SCE 在整个合作过程中提供的协助和合作。如果您对本报告有任何疑问，请联系计划和项目主管 Kevin Nakamura，电话 (916) 928-4736。诚挚的，Angie Williams Angie Williams，公用事业审计总监，风险与合规部 抄送：见下页
南加州爱迪生：我们的业务如何运作
在委员会举行的公开透明程序中确定了授权的收益率和SCE向客户收取用电的费用。这些程序包括代表客户兴趣的集团，例如加利福尼亚公共倡导者办公室和公用事业改革网络等集团的公开投入和参与。
启用NEM 3.0系统的电池导出技术简介
•NEM 3.0和电池导出仅适用于PG＆E，SDG＆E和SCE中互连的系统。对于PG＆E，SDG＆E和SCE之外的实用程序，可能不需要电池出口。在市政公用事业（如SMUD，LADWP，LODI Electric Utility等）中互连的系统无需启用电池出口。•根据电力购买协议或太阳能租赁连接的第三方拥有的系统应在更改之前与系统所有者核对。•某些公用事业仅将导入为非出口，而仅导出为非进出口。•安装人员将在调试时设置ESS操作模式。七天后，此模式被锁定，只能通过启动支持调整。•安装人员负责确认公用事业批准的NEM协议中的操作模式与委托系统匹配。安装程序必须选择ESS操作模式。房主无法更改电池模式设置。
在存在二苯或terthihiophene的存在下硫代的电化学聚合：聚合的动力学和机制。
镍磷酸催化剂，遵循Tamao等人报告的程序。34电化学合成和环状伏安法（CV）在EG＆G PAR 273型Potentiostat/galvanostat上进行。用饱和的钙胶电极（SCE）用作参考和铂金箔作为工作和反电极，用饱和的钙胶电极（SCE）用作。 用铬酸洗涤工作电极，然后用水洗涤，并将其抛光至CA的最终平滑度。 0.1 PRM，含氧化铝抛光粉，然后用蒸馏水和乙腈彻底冲洗。 在Perkin-Elmer 1610 FTIR光谱仪上记录了聚合物-KBR颗粒的红外光谱。 使用测量电导率。用铬酸洗涤工作电极，然后用水洗涤，并将其抛光至CA的最终平滑度。0.1 PRM，含氧化铝抛光粉，然后用蒸馏水和乙腈彻底冲洗。在Perkin-Elmer 1610 FTIR光谱仪上记录了聚合物-KBR颗粒的红外光谱。使用
高k电介质材料在短沟道中的性能...
摘要 — 当氧化层变薄，栅极长度变短时，MOSFET 器件中会出现短沟道效应 (SCE)。本研究的目的是寻找一种新的电介质和栅极材料来取代传统的氧化物二氧化硅 (SiO 2 ) 和多晶硅作为栅极材料。本研究的目的是研究使用不同类型的高 k 电介质材料和锗 (Ge) 作为栅极材料的 MOSFET 的性能。使用 Silvaco TCAD 工具制造和模拟 MOSFET 结构。基于电流-电压 (IV) 特性评估 MOSFET 的整体性能。结果表明，用 HfO 2 和 Ge 作为电介质和栅极材料制造的 MOSFET 具有较高的驱动电流，漏电流比传统 MOSFET 降低了 0.55 倍。因此，与 SiO 2 和多晶硅相比，MOSFET 结构中 HfO 2 和 Ge 的组合具有最佳性能，因为它在缩小器件尺寸时产生较小的漏电流和较小的 V th，从而降低 SCE。
VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。
