XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemsemiconductors
S32K1XX 数据表 | NXP 半导体
• 安全性和保密性 – 加密服务引擎 (CSEc) 实现了 SHE（安全硬件扩展）功能规范中所述的一套全面的加密功能。注意：CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除将在 HSRUN 模式（112 MHz）下触发错误标志，因为此用例不允许同时执行。设备需要切换到 RUN 模式（80 MHz）才能执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。 – 128 位唯一标识 (ID) 号 – 闪存和 SRAM 存储器上的纠错码 (ECC) – 系统内存保护单元（系统 MPU） – 循环冗余校验 (CRC) 模块 – 内部看门狗 (WDOG) – 外部看门狗监视器 (EWM) 模块
MPC5744P 数据表 | NXP 半导体
• 本文档提供 MPC5744P 系列微控制器单元 (MCU) 的电气规格、引脚分配和封装图信息。有关功能特性和编程模型，请参阅 MPC5744P 参考手册。
半导体的未来 (FuSe2) (nsf24521) | NSF
该计划旨在资助研究以及教育和劳动力发展，以改善美国高等教育机构的科学、技术、工程和数学 (STEM) 教育，这些机构包括两年制学院和四年制大学，包括为少数族裔服务的机构，目标是推动半导体设计和制造。 NSF 鼓励大胆、具有变革潜力的活动，以应对未来的半导体设计和制造挑战以及熟练的科学家、工程师和技术人员短缺的问题。 这项征集鼓励提案人从整体角度看待劳动力发展，考虑各种人才在 STEM 职业道路、先进技术和研究能力方面的参与。 所有提案必须包括与拟议研究活动相结合的教育和劳动力发展计划。 这项征集寻求通过专注于共同设计方法的研究资助进行基础研究的提案，以实现半导体能力的新范式。 鼓励各种规模的团队，至少有一名 PI 和一名共同 PI。
半导体和 CHIPS 法案：全球背景
随后，在为 PL 116-283 的 CHIPS for America 条款拨款时，国会将之前提出的多份法案中的条款合并为一份法案。这些提案旨在增加美国的半导体制造，并解决人们对美国在研发 (R&D) 和美国科学与工程劳动力发展方面的投资是否充足的担忧。在解决了众议院和参议院版本的这些法案之间的分歧后，该法案被称为（虽然没有正式命名）CHIPS 和科学法案。2022 年 7 月，国会颁布了 CHIPS 和科学法案 (PL 117-167)，总统乔·拜登于 2022 年 8 月签署该法案成为法律。PL 117-167（A 部分）为 2021 年 NDAA 中颁布的 CHIPS for America 条款提供资金。该法案拨款 527 亿美元，通过为建设、扩建和装备国内制造设施和半导体供应链中的公司提供财政激励，提高美国的半导体制造能力。此外，该法案还包括资助国家标准与技术研究所、国家半导体技术中心（与美国工业界合作）、国家先进封装制造计划的联邦半导体研发活动以及建立多达三个美国制造业研究所的条款。PL 117-167 还创建并资助了另外三个基金，旨在增强美国半导体在国防、劳动力发展和国际合作方面的能力。
半导体的基础：物理和材料特性
1。简介/调查：审查和调查广泛使用的概念，提出了导致您进行高级查询的问题2。半导体晶体结构和电子带结构：快速量子力学引物/审查，周期性晶体结构和能带，统一带（物理）和键（化学）图片3。缺陷，掺杂，载体统计4.晶格振动（声子），热和机械性能5。电运输：半经典模型，迁移率，散射机制；弹道/量子运输6。光学特性7。表面和接口：接口是设备！8。半导体材料特征9。半导体材料的生长和加工10。选定的预先主题（学生研究领域和兴趣的TBD：例如电力电子设备的宽频段差距半导体，备忘录的缺陷工程，计算材料科学或冷凝物质物理的第一原理方法等）
功率半导体中的宇宙射线故障
ANITA 来自厚靶的类大气中子 CAL 控制轴向寿命 CIA 电流诱导雪崩 DN 深 N 缓冲层 DUT 被测设备 FEM 有限元法 FIT 及时失效 FWD 续流二极管 IC 集成电路 IGBT 绝缘栅双极晶体管 LANSCE 洛斯阿拉莫斯中子科学中心 LET 线性能量传递 MCNP 蒙特卡罗 N 粒子 MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 MTTF 平均故障时间 NPC 中性点钳位 NPT 非击穿 NYC 纽约市 PID 比例 – 积分 – 导数 PSI 保罗谢尔研究所 PT 击穿 PWM 脉冲宽度调制 QARM Qinetic 大气辐射模型 RCNP 核物理研究中心 SEB 单粒子烧毁 TCAD 技术计算机辅助设计 E av 空间平均电场 P f 总设备故障率 P lf 局部设备部分故障率 RB 体区扩展电阻 T 0 温度常数 ti 故障时间 T j 结温 T SUM 器件通量积数量 V aval 雪崩电压 V CE 集电极-发射极电压 V DC 直流电压 V DS 漏源电压 Δ fi 故障通量 A 面积 E 电场 h 高度 i 故障事件总和 r 器件故障数量 Si 硅 SiC 碳化硅 ε 介电常数 λ 故障时间 ρ 净电荷密度 Ω 器件体积
欧洲半导体：产业政策的回归
蒙田研究所是一家位于法国巴黎的非营利性独立智库。我们的使命是制定公共政策提案，旨在影响法国和欧洲的政治辩论和决策。我们汇集了来自不同背景的领导人——政府、民间社会、企业和学术界——以进行平衡的分析、国际基准和基于证据的研究。我们提倡一种平衡的社会愿景，其中开放和竞争的市场与机会平等和社会凝聚力齐头并进。我们一方面坚定地致力于代议制民主和公民参与，另一方面坚定地致力于欧洲主权和一体化，这构成了我们工作的思想基础。蒙田研究所由企业和个人资助，其中任何一个人的贡献都不超过其年度预算的 1%。
量子应用半导体中的颜色中心
半导体中的点缺陷已经并且将继续与应用有关。浅缺陷实现了晶体管的晶体管，这些晶体管在现代的信息时代以及在不太遥远的未来中，深层缺陷可以为量子信息处理的革命奠定基础。深层缺陷（特别是颜色中心）对于其他应用（例如单个光子发射极）也很感兴趣，尤其是在1550 nm处排放的一个光子发射器，这是通过光学器件进行长时间通信的最佳频率。第一原则计算可以预测点缺陷的能量和光学特性。i对磁光能进行了广泛的收敛测试，例如零声子线，高细胞耦合参数和4H-SIC中DivaCration的四个不同配置的零曲线分裂。将收敛结果与实验测量结果进行比较，对不同的配置进行了清晰的识别。使用这种方法，我还确定了4H-SIC中的硅空缺以及6H-SIC中的硅和硅空置方面的所有配置。进一步使用了相同的方法来识别4H-SIC中3C堆叠断层包含在3C堆叠断层中存在的两种额外的配置。i扩展了计算的属性，以包括提供零声子线的极化，强度和寿命的过渡偶极矩。在计算过渡偶极矩时，我表明，由于几何形状弛豫，将电子轨道的自一致变化包括在激发状态下至关重要。i测试了4H-SIC中除疾病的方法，从而进一步加强了先前的识别，并提供了准确的光致发光强度和寿命。在给定应用程序中找到具有正确属性的稳定点缺陷是一项具有挑战性的任务。由于散装半导体材料中存在的大量可能的缺陷，我设计并实施了一系列自动工作流，以系统地研究任何点缺陷。此集合称为ADAQ（自动缺陷分析和资格术），并自动化理论过程的每个步骤，从创建缺陷到预测其属性。使用ADAQ，我在4H-SIC中筛选了约8000个固有点缺陷簇。本文概述了这些单点和双点缺陷的地层能量和最相关的光学特性。这些结果显示出适合各种量子应用的新颜色中心的巨大希望。
成熟节点半导体使用公开报告
这些芯片的使用虽然普遍，但也很肤浅。按数量计算，中国芯片仅占所有芯片的 2.8%，按价值计算，仅占芯片总数的 1.3%。换句话说，尽管中国芯片出现在绝大多数受访公司的产品中，但目前它们在大多数单个产品中仅占总芯片数量的一小部分。除了最终用户，BIS 还调查了半导体供应商。BIS 从 22 家组织收集了他们使用中国代工厂进行外包生产的数据。接受调查的美国芯片供应商对中国代工厂的使用很少：这些工厂生产的芯片占受访公司芯片总销售额的不到 2%。尽管如此，几家芯片供应商表示，中国的产能扩张开始带来价格压力，中国对代工厂和下游行业的补贴，以及在中国使用中国原产内容的压力，可能会影响他们的竞争地位。
英国半导体2024技术计划
英国半导体2024技术计划，我们很高兴欢迎我们的全体扬声器，他们将作为单个光子源提供量子点的扩展演示，这是分子和其他无序半导体中陷阱状态的影响，以及范德尔瓦尔瓦尔瓦尔·沃尔斯（Van der Waals）异质结构的超平台组装。我们也很荣幸能为IOP半导体物理小组论文奖主持奖项，并使用半导体纳米电视探测强电子相关性。除了每次研讨会的定期演讲外，还将进行对英国半导体策略的更新，并介绍新的创新和知识中心（IKCS）：基础光子光子创新中心，用于使用半导体和超宽的silicon Phoponics和Rewire IKC，用于下一代IKC。效率网络正在对英国半导体的研究和开发能力进行调查，作为本研究的一部分，他们将在整个会议上举行一次会议（位于诺福克210演讲剧院外），以供代表发表自己的看法并为该项目做出贡献。周二下午还将举行摘要和讨论会议。同样在星期二，加的夫大学的彼得·斯莫顿教授将举办一个论坛，以研究改善英国学术和行业互动的方法。周一下午还举行了一次会议，供任何有兴趣与EPSRC国家外交设施合作的人，概述了该设施的功能，包括最近委托设备以及访问该设施的方法。代表可以参加他们希望的任何会议，并鼓励这样做。您也欢迎参加会议上的其他活动：Phil Buckle Research Communication竞赛将在会议的第一天举行午餐时间，IOP半导体集团AGM将在第二天的午餐时间举行。