我们每个人在培养社交和情感技能方面都扮演着不同的角色,我们都可以以自己的方式使用“塑造我们”框架。例如,幼儿教育工作者可以使用该框架来回顾他们的活动,并了解在哪些方面可以做得更多,以加强儿童发展的不同领域。健康访问者和育儿从业者可以使用它来与家庭讨论儿童的早期发展,以及父母可以做些什么来支持社交和情感技能。雇主可以使用该框架来思考其员工的技能以及如何通过专业发展来提高这些技能。
超短激光脉冲是诱导材料改性的有力工具 1–4。特别是在透明电介质中,超短激光脉冲可用于局部修改材料块内的化学结构、折射率、色心密度,光聚合,产生纳米光栅、表面纳米结构或内部空隙。大量应用领域受益于基础性进步:外科和生物医学应用、光子学、微流体学、高速激光制造 2,5–7。将这些应用推进到纳米结构需要数值建模的支持 8。在激光诱导的强场下,束缚电子从价带跃迁到导带 1,9,10,在价带中留下一个空穴。电子-空穴等离子体的粒子在激光场中被加速,通过碰撞电离导致自由载流子密度倍增,并可能产生致密的电子-空穴等离子体。最后,在远大于几皮秒的时间尺度上,材料内部发生热和结构事件 1 。我们的模型侧重于等离子体密度的积累,时间尺度可达几皮秒。已经开发了大量不同的模型来研究超短激光脉冲(约 100 fs)在高强度范围内(约 10 14 W/cm 2 )在介电体中的传播以及随后的电离。这些模型可分为两类。第一类是几种
JRC139999 EUR 40184印刷ISBN 978-92-68-23669-7 ISSN 1018-5593 doi:10.2760/1638274 KJ-01-25-004-EN-EN-C PDF doi:10.2760/0396389 KJ-01-25-004-EN-N-N-Luxembourg:欧盟出版社,2025年,2025年©欧盟,2025年,欧盟委员会文件的重用政策由委员会决定2011年12月12日/EU 2011年12月12日在委员会文件中进行了委员会文件(OJ L 3302.11),14.12.22011111111111111。除非另有说明,否则该文档的重复使用将根据创意共享归因4.0国际(CC BY 4.0)许可(https://creativecommons.org/licenses/4.0/)授权。这意味着只要给出适当的信用并指示任何更改,就可以重复使用。必须直接从版权所有者那里寻求任何欧盟许可拥有的照片或其他材料的使用或复制。
第 8 类进入、下降和着陆 1563 航天器减速和轨道插入的大气捕获 第 8 类进入、下降和着陆 1565 综合精确着陆系统的评估和验证能力
1.3.2.10由于MONA陆上变电站和BESS位置,可能会产生明显的局部累积效应。由于与太阳能部位增加了MONA陆上变电站,因此有限(如果有的话)可能会产生重大累积效应。尽管太阳能地点在足迹方面的规模相当大,但它将位于相对平坦的耕种景观中,而拟议的结构的高度最高为4.55 m(范围范围的3.2.4段),对周围景观的影响有限。由于分离距离以及介入林木植被以及Bodelwyddan和繁忙的A55 Road所提供的筛查,对MONA陆上变电站的累积影响将非常有限。
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度,并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO:开路故障)。结果表明,SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是,使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平,在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明,性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高,这导致顶部 Al 融合,从而导致厚氧化物中出现裂纹。
随着远程分布式能源资源位置的运营越来越需要数字技术,设备安装时必须密切关注操作、管理和安全性的简易性。思科验证设计简单、可扩展且灵活。它们专注于现场友好的操作流程,不需要技术向导。我们的集中式网络设备管理(思科 Catalyst Center)和强大的网络资产运营功能消除了手动资产跟踪的需要,也消除了从一个站点到另一个站点的现场部署不一致的问题。与运营的集成可确保现场技术人员无需 IT 支持即可轻松部署和管理设备,同时 IT 和 OT 团队可以完全查看和控制已部署的设备。