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2025 年 1 月 27 日 短期带薪培训专业
成立大会由研究所所长 Ravinkar C.N. 博士主持。做到了。您强调了分子分类学在物种鉴定、防止海产品非法织网以及打击非法、未报告和无管制 (IUU) 捕捞方面的重要性。培训课程包括讲座和实践课程，涵盖样本采集、引物设计、PCR扩增、测序分析和系统发育树重建等主题。还向参与者介绍了开源生物信息学工具来分析 DNA 条形码、线粒体基因组和系统发育数据。
细菌群落结构中的精细尺度一致性，来自iLlumina上的短读和纳米孔上的长阅读的海洋沉积物
在开发高通量测序仪后，环境原核生物群落通常是通过在16S域上用遗传标记来描述的。然而，由于底漆的选择和读取长度，简短读取测序遇到了系统发育覆盖率和分类分辨率的局限性。在这些关键点上，纳米孔测序（一种适用于长读的元编码的上升技术）被低估了，因为其每读的错误率相对较高。在这里，我们比较了模拟社区中的原核生物群落结构和两个对比的红树林遗址的52个沉积物样本，由16SV4-V5标记上的短读描述（Ca。0.4kpb）通过Illumina测序分析（Miseq，v3），由长读细菌对细菌的描述几乎完整16s（Ca。1.5 kpb）由牛津纳米孔（Minion，R9.2）分析。短读和长阅读从模拟中检索了所有细菌属，尽管两者都显示出与所期待的比例相似的偏差。从沉积物样品中，具有覆盖范围的读数稀有性，在单例过滤后，共同恩赐和Procrustean测试表明，从短读和长长读取的细菌社区结构显着相似，表明位点之间的相当对比度和站点内相干的海岸方向是可比的。在我们的数据集中，分别将84.7和98.8％的短阅读分别分别分配给了相同的物种和属，而不是长阅读所检测到的物种和属。长期16的底漆特异性使其能够检测到309个家庭中的92.2％，而在短16SV4-V5检测到的448属中，有87.7％。长阅读记录了973个未检测到的额外分类单元，其中91.7％被确定为该属等级，其中一些属于11个独家门，尽管仅占长期读数的0.2％。
利用长阅读的组件和机器学习来增强短阅读转座
图1：（a）描述用于检测非参考TE 97插入的读取图信息的图表。简短读取与参考基因组对齐，并读取98，其中一个在对参考基因组中读取，而另一个读取为TE序列99（不一致的映射读取）或读取一对在参考和TE 100序列之间分配的，而TE 100序列（分裂读数）被量化。（b）Teforest管道的概述。输入和输出101个文件显示在椭圆形中，管道中的重要分支点显示在钻石中，管道的102个计算步骤显示在矩形中。（c）IGV中显示的TE插入周围的103个对齐模式的示例。将映射到基因组中其他地方的TE序列104中以颜色显示。105
使用最佳门源电压去极化在功率SIC MOSFET的短路操作下朝着安全故障模式
摘要 - 本文重点介绍了在短路条件下SIC MOSFET的鲁棒性水平的提高。在这项研究中，提出了两种允许在短电路操作下在平面电源MOSFET设备中确保安全的“失败”（FTO）模式的方法。这些方法基于栅极源电压的直接去极化及其根据FTO和经典不安全热失控之间的临界消散功率（W/mm²）的计算进行估计。他们允许确定门源电压的最大值，以在接近名义值的排水源电压下保留FTO模式。引入了FTO和“ Fafto-Short”（FTS）之间功率密度的边界。对竞争中的两种故障模式进行了完整的实验，该实验可能出现在1.2 kV SIC MOSFET的短路测试（SC）测试中。最后，研究了栅极源电压去极化对国家电阻（R DS（ON））的惩罚，以评估技术效率。
针对LLL和BKZ的参数研究，并应用于最短矢量问题
摘要 - 在这项工作中，我们研究了最短矢量问题（SVP）在学习错误问题（LWES）方面产生的最短媒介问题（SVP）。lwes是模块环上方程式的线性系统，其中将扰动向量添加到右侧。这种类型的问题引起了人们的极大兴趣，因为必须解决LWES，以便能够破坏基于晶格的密码系统作为NIST在2024年发表的基于模块的键盘封装机制。由于这一事实，已经研究了几种基于经典和量子的算法来求解SVP。可用于简化给定SVP的两种著名算法是Lenstra-Lenstra-Lov´asz（LLL）算法和块Korkine-Zolotarev（bkz）算法。LLL和BKZ构造碱基可用于计算SVP的解决方案或近似解决方案。我们研究具有不同尺寸和模块化环的SVP的两种算法的性能。因此，如果LLL或BKZ在给定的SVP中的应用被认为是成功的，那么它们会产生包含SVP的溶液向量的碱基。
用超短激光脉冲激发后聚碳酸酯中的解密载体动力学
暴露于超短脉冲激光器（UPL）的聚合物（UPL）经历了一系列物理和化学变化，这些变化在从材料加工到高级光子学和生物医学的应用中起着关键作用。为了阐明UPL与聚合物材料的相互作用，假设聚碳酸酯（PC）是暴露于中等能量的激光脉冲的测试材料，则研究了超快现象，例如载体动力学，重组和松弛。为介电材料开发的理论模型被扩展，以描述PC的未开发的激发和载体动力学，而femtsecond瞬时吸收光谱用于阐明材料的响应和超快动力学的演变。使用理论模型来解释实验测量结果表明，能量水平的存在促进了自我捕获的激子在传导和价带之间的自我转移的形成（低于传导带的2.4-2.8 eV）。它还可以预测电子播寿命（约110-150 fs），重组时间（约34 ps）和由于kerr效应而折射率的非线性部分（𝑛2值范围为1.1-1.5×10 -16 cm 2 /w）。此外，还强调了多光子辅助电离的主要特征，而还计算出光学崩溃阈值并发现等于2.55×10 12 W/cm 2。结果预计将支持旨在阐明强烈超短激光脉冲与聚合物材料相互作用的未来努力，这对于优化这些材料的制造过程至关重要。
基于全基因组DNA甲基化谱和免疫组织化学分析的神经胶质瘤的分类：一项简短的研究
1独立的临床表观遗传学实验室，波兰的波美拉尼亚医科大学，波兰，2个病理学和神经病理学系，波兰医科大学，gdansk医科大学，3个神经外科，波美兰科医学系，波兰，波兰，波兰，波兰，医学和遗传学系，科学学院，radi and of g。波兰的GDANSK，六季神经病学系，波兰，波兰，波兰的波默拉尼亚医科大学，波兰7生物银行实验室，波兰分子生物物理学系，波兰大学，8号，波兰大学，8号神经外科，哥白尼医院神经外科，哥白尼医院，哥白尼医院，哥伦比亚郡，医疗学院，医疗学院9号。波兰Olsztyn
在特定的低闸门源电压偏置方面的SIC MOSFET的重复短路能力，以实现更健壮的极端操作
摘要 - 本文提出了在高排水源电压下重复定位的SC应力下的商用硅卡比德（SIC）MOSFET设备的短路（SC）性能。研究了两种方案，以评估栅极源电压（V GS）去极化和SC持续时间（T SC）降低的影响。V GS去极化可提供功率密度的降低，并允许在短路持续时间t scmax的情况下保持安全的故障模式（FTO：失败）。结果表明，SIC MOSFET V GS去极化不会降低T SCMAX时的SC循环能力。但是，使用V GS去极化允许将近1000个周期@T SC = 10 µ s的IGBT鲁棒性水平接近IGBT鲁棒性水平。 SC测试期间芯片温度演变的模拟表明，降解归因于SC周期期间的连接温度（T J）的升高，这导致顶部Al诱导裂纹融合到厚氧化物中。
在比较短期增强风化研究中量化二氧化碳去除碳去除碳去除碳的方法中的智障风化产品
目前使用各种方法来量化与增强风化（EW）相关的二氧化碳去除（CDR），该方法涉及修改硅酸盐矿物质压碎的土壤。我们的目的是通过补充最近发表的土壤柱实验的结果来为CDR定量的标准化程序做出贡献，其中将压碎的橄榄石，氧化球和albite添加到土壤中，并在土壤中添加了总融合ICP-OES分析碱基阳离子浓度。CDR仅与基于渗滤液的总碱度测量值相当，校正了保留在土壤剖面中的风化产物后，我们将其定义为智障分数。智障分数占风化阳离子的92.7–98.3％，表明至少在我们的短期研究（64天）中，大多数风化产物保留在土壤中。进一步研究了智障风化产物的命运表明，以碳酸盐矿物质（最高34.0％）沉淀或吸附到反应性表面，例如土壤有机物和粘土矿物（最高32.5％）。因此，由于强烈的吸附和/或进一步的矿物降水反应（31.6–92.7％），可能会保留大部分风化产品，这可能对整个时间的CDR进行量化具有潜在的重要意义。我们得出的结论是，基于土壤的质量平衡方法可用于量化风化速率，并可以推断潜在的CDR。但是，仅在考虑到智障分数后才能限制在给定时间和深度间隔内实现的实际CDR。
具有软短路故障模式的 SiC 功率 MOSFET 中的栅极损伤积累和离线恢复
摘要 – 本文详细分析了特定类型的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 的短路故障机制，该 MOSFET 具有安全的开路故障类型特征。结果基于广泛的实验测试，包括晶体管的功能和结构特性，专门设计用于实现逐渐退化和逐渐累积的损伤。结果表明，软故障特征与栅极源结构的退化和最终部分短路有关。此外，在退化的组件上观察到由临时离线偏置引起的部分恢复。结果表明，这是一种现实的新选择，可在应用中部署，以提高系统级稳健性和系统级跳转运行模式能力，这在许多可靠性关键领域（例如运输）中非常重要。