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PDF 版本 - SIC 149 - SIC 杂志
• 国家网络安全计划。今年3月29日部长会议批准的国家网络安全计划（PNC）内容尚未正式公开。据悉，该计划已于2021年11月中旬提交给国家安全委员会，并获得好评。随后，2021年国家安全战略于12月发布后，文本进行了更新。看来PNC“包含130多项行动，实施总金额达10亿欧元。其中重要的一部分已经获得了融资。一旦获得必要的财政资源，其余部分将在未来几年内执行。 “该计划中包含的大部分措施都与恢复、转型和复原力计划相关。”其中一些行动已经为人所知（有些非常古老）：AGE 的 SOC、国家通知平台、国家网络安全指标系统……正如 SIC 所指出的，该文件的传播有限，其出版和/或宣传将意味着将西班牙网络安全的设计和架构置于危险之中……并且公开该计划超出其一般内容的细节将会适得其反。显然，在说出有关该计划的内容和提供详细信息之间存在合理的中间立场。甚至值得澄清 p
碳化硅 (SiC) 基板
碳化硅 (SiC) 具有独特的电子和热特性，非常适合用于先进的高功率和高频半导体器件，其工作性能远远超出了硅或砷化镓器件的能力。基于 SiC 的技术的主要优势包括降低开关损耗、提高功率密度、改善散热和增加带宽能力。在系统层面，这可以实现高度紧凑的解决方案，大大提高能源效率并降低成本。目前和预计采用 SiC 技术的商业应用名单正在迅速增加，包括开关电源、绿色（太阳能和风车）能源发电逆变器、工业电机驱动器、HEV 和 EV 汽车、智能电网电源切换和无线通信基站。
SiC MOSFET 模块（半桥）
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层全彩色碳化硅衍射波导
和安全优势。第一个光学透视 HMD 由 Sutherland 在 20 世纪 60 年代提出 6 。从那时起，光学透视技术在军事 7-11 、工业 12,13 和消费电子应用 14-16 中不断得到探索。已经开发出各种方法来将图像从微型投影仪引导到观察者，将现实世界的视图与虚拟图像相结合 16,17 。早期的 HMD 光学组合器基于传统的轴向分束器，如谷歌眼镜 18-20 所示。然而，由于视场 (FOV) 和框架尺寸与光学元件的尺寸成正比，因此在性能和舒适度之间取得平衡会导致此类智能眼镜的 FOV 更小。为了实现更大的 FOV，使用离轴非球面镜的 HMD
用于高端激光器的 OPTOSIC® SIC 光学元件...
Mersen 制造标准通用“一刀切”XY 激光振镜扫描镜，孔径范围从 4 毫米到 100 毫米，可供单对使用，并配有一系列高品质反射涂层。我们的客户可以选择带或不带胶合安装的镜子，所有标准轴尺寸均可。此外，我们能够根据客户规格制造。我们可应要求提供不同等级 SiC 的 OEM 产品，最大尺寸可达 1000 毫米，几何形状也更大。
SiC 功率器件的可靠性和标准化
Donald A. Gajewski1,A*, Sattyak Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, john w. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, Daniel J. NWaler1,C, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganguly1,B, Daniel J. Allen1,f, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganganguly1,B, daniel J. Lichtenwaner1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDALMOUR1,G Donald A. tyaki ganguly1,b, Daniel J. Lichtenerer1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDAL A. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, Daniel NT1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDAL A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenerer1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott allen1,f, john w. 1,g Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Gangurly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, DANIEL. LichtenWalner1,C, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,B, Daniel J. Lichtenwar1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott allen1,f, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyak Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,f, John W. Palmour1,g
电动汽车传动系统的 SiC MOSFET 可靠性
• [1] JH Stathis 和 S. Zafar，“MOS 器件中的负偏压温度不稳定性：综述”，《微电子可靠性》第 46 卷（2006 年），第 270-286 页。 • [2] DK Schroder，“负偏压温度不稳定性：我们了解什么？”《微电子可靠性》第 44 卷（2007 年），第 841-852 页。
比较Al2O3，SIC和B4C作为抗弹道抗性的...
摘要 - 陶瓷装甲材料旨在保护人和车辆免受弹道损伤。当前，重点是开发具有难以实现的特性的陶瓷，例如高弹道性能和低重量。在过去的三十年中，陶瓷材料的发展导致其性质和结构均匀性的不断改善。但是，这些特性与陶瓷的弹道性能之间的关系尚不清楚。本文回顾了对陶瓷装甲故障阶段的当前理解以及评估弹道性能的方法。在氧化铝和碳化硅和碳化物碳化硅之间进行了比较。尽管陶瓷材料的开发积极地有助于提高其性质，但它们与弹道性能的关系仍然是一个谜。这项研究试图进一步了解陶瓷装甲的故障阶段以及如何评估其性能。对三种主要陶瓷材料进行了比较：氧化铝，碳化硅和碳化物，以更好地了解它们在弹道保护中的特性和潜在应用。