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使用SIC MOSFET
碳化硅（SIC）设备以其提供高压，高电流和高温组件的能力而闻名，这使它们成为创建更节能系统的理想选择，例如电动汽车中使用的系统。这些设备可以承受高功率密度并在高温下运行，这对于创建具有最大行驶范围的电动汽车至关重要。通过在电动汽车系统中使用碳化硅设备，制造商可以创建更高效，更持久，更可靠的车辆。在电池系统中使用碳化硅会导致大量节省，因为随着时间的流逝，能量回收的损失较小。此外，它允许更高的频率和密度和更好的热管理。这些好处可能会对整体系统效率和有效性产生积极影响。硅碳化物在该行业中的小时水平和可靠性最高，使其成为电力转换的绝佳材料。
在SIC/Poly 2（...
抽象的乙酰胆碱（ACH）是人体中兴奋性神经递质之一。它是负责触发突触后神经元激活的最丰富的神经递质，导致兴奋反应。ach在各种生理过程中起着至关重要的作用，包括肌肉收缩，自主神经系统调节以及学习和记忆等认知功能。在这项研究中，基于WO 3纳米棒修饰的玻璃碳电极来制备电化学传感器，以检测ACH。WO 3纳米棒为ACH的电化学确定提供了极好的特性。所提出的传感器显示ACH的宽线性检测范围（0.1至400.0 µm）和低检测极限为0.025 µm。这些结果证明了传感器在检测这一重要神经递质的高灵敏度。此外，开发的传感器在实际样品中显示出良好的ACH测定能力。这项研究为电化学检测ACH提供了创新的策略，展示了纳米材料在高级感应技术开发中的潜力。
频率压接式 SiC FET 模块
本文由内布拉斯加大学林肯分校 DigitalCommons 电气与计算机工程系免费提供给您，供您免费访问。它已被内布拉斯加大学林肯分校 DigitalCommons 授权管理员接受并纳入电气与计算机工程系：学位论文、毕业论文和学生研究。
SiC 市场概况及供应链演变
一些中国公司的中文和英文名称并不相同。以下是知名公司中文名称的逐字翻译，方便非中文人士参考。TankeBlue：天科合达 SICC：山东天岳 Synlight：河北通光
optoSiC® 适用于高端激光工艺的 SiC 光学元件
Mersen 制造标准通用“一刀切”XY 激光振镜扫描镜，孔径范围从 4 毫米到 100 毫米，可供单对使用，并配有一系列高品质反射涂层。我们的客户可以选择带或不带胶合安装的镜子，所有标准轴尺寸均可。此外，我们能够根据客户规格制造。我们可应要求提供不同等级 SiC 的 OEM 产品，最大尺寸可达 1000 毫米，几何形状也更大。
SiC 中的 NV 中心：量子计算技术的解决方案？
金刚石和最近的碳化硅中的自旋 S = 1 中心已被确定为可用于各种量子技术的有趣固态量子比特。金刚石中氮空位中心 (NV) 是研究较多的案例，被认为是适用于大多数应用的量子比特，但也存在重大缺点。最近的研究表明，SiC 中的双空位 (V Si VC ) ° 和 NV (V Si NC ) 中心可以克服许多缺点，例如与微电子技术、纳米结构以及 n 型和 p 型掺杂的兼容性。特别是，4H-SiC 多型体是一种广泛用于功率器件的微电子半导体，这些问题已经得到解决，并且大规模基板 (300mmm) 可供商业化使用。研究较少的 3C 多型体可以拥有相同的中心 (VV、NV)，并且具有额外的优势，因为它可以在 Si 上外延，从而允许与 Si 技术集成。执行光学操控和自旋状态检测的光谱范围从金刚石中 NV 中心的可见光 632 nm 移至 SiC 中双空位和 NV 中心的近红外 1200 – 1300 nm（电信波长）。然而，还有其他关键参数对于可靠的信息处理至关重要，例如自旋相干时间、芯片上的确定性位置和受控缺陷浓度。在这篇评论中，我们重新审视并比较了金刚石中 NV 中心以及 4H 和 3C-SiC 中双空位和 NV 中心的一些基本特性。
SiC MOSFET 软故障模式和硬故障模式
摘要 — 本文首先讨论了在短路电热应力下 1200 V SiC 功率 MOSFET 中产生短路故障或开路故障特征的判别现象。由于开路故障行为与应用特别相关，本文接着提出了对一些商用器件的基准测试，确定了一款产品，该产品在偏置电压高达额定值的至少 50% 的情况下，能够提供一致的开路故障特性。对于该特定器件，我们将提供全面的功能和结构特性。具体而言，本文表明：栅极电流是短路应力下随后发生的退化的有效监测器，可用于评估损伤积累以及器件退化的可逆性或永久性；开路故障特征与栅极结构的退化有关，在距离有源单元相对较远且不涉及场氧化物的区域中，栅极和源极端子之间会产生短路。该发现与分立器件和多芯片功率模块（包括多个并联连接的芯片）的应用相关。
功率 SiC MOSFET 在重复性
摘要 本文研究了商用平面和沟槽 1.2 kV 4H-SiC MOFSET 在重复非钳位电感开关 (UIS) 和短路 (SC) 应力下的可靠性。观察到器件特性的退化，包括传输特性、漏极漏电流 Idss 和输出特性。对 400 和 600 V 总线电压进行重复 SC 应力。应力期间总线电压的增加对测试器件的电气性能有更大的影响。在老化实验期间可能会发生热载流子注入和进入沟道区域栅极氧化物的捕获，这被认为是导致电气参数变化的原因。 关键词：可靠性、退化、SiC MOSFET、TrenchMOSFET、重复 UIS、重复短路 介绍 近年来，碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 制造技术已经相当成熟，因此，现在可以从不同的制造商处大量购买 [1]。由于其优异的性能，SiC 器件可用于更高温度、更高开关频率和更高功率密度的应用 [2-3]。尽管如此，在它们完全取代硅 (Si) 器件之前，稳健性和可靠性仍然是这些器件在过流、过温、短路和非箝位电感开关 (UIS) [5] 等多种极端工作条件下的主要问题 [3-4]。随着为降低成本而缩小芯片尺寸的趋势，雪崩稳健性和短路承受能力变得更加关键，因为它们对芯片尺寸设计非常敏感，因为芯片的最大能量密度是固定的。在 UIS 测试中，MOSFET 通常连接到没有反向并联续流二极管的电感，以在关闭器件时换向环路电流。因此，器件必须在工作阶段吸收先前存储在电感中的所有能量。因此，只要存储的能量足够高，MOSFET 就会进入雪崩模式，导致器件结温逐渐升高 [6]。在大电流雪崩操作期间，会产生高浓度的热载流子，这可能会导致界面和绝缘 (氧化物) 层的退化。
SIC 代码手册 - 美国数据公司
01 农业生产 - 农作物 02 农业生产 - 畜牧业和动物特产 07 农业服务 08 林业 09 捕鱼、狩猎和诱捕 10 金属开采 12 煤炭开采 13 石油和天然气开采 14 非金属矿物开采和采石，燃料除外 15 建筑 - 总承包商和施工承包商 16 重型建筑，建筑施工除外，承包商 17 建筑 - 特殊行业承包商 20 食品及相关产品 21 烟草产品 22 纺织厂产品 23 服装、织物及类似材料制成的成品 24 木材和木制品，家具除外 25 家具和固定装置 26 纸及相关产品 27 印刷、出版及相关工业 28 化学品及相关产品 29 石油精炼及相关工业 30 橡胶及各种塑料制品 31 皮革及皮革制品 32 石材、粘土、玻璃和混凝土产品 33 初级金属工业 34 金属制品 35 工业和商业机械及计算机设备 36 电子及其他电气设备及部件 37 运输设备 38 测量、摄影、医疗、光学产品及钟表 39 杂项制造业 40 铁路运输 41 本地及郊区交通及城际公路运输 42 汽车货运 43 美国邮政服务 44 水运 45 航空运输 46 管道（天然气除外） 47 运输服务 48 通信 49 电力、燃气及卫生服务 50 批发贸易 - 耐用品 51 批发贸易 - 非耐用品 52 建筑材料、五金、园艺用品及移动房屋 53 百货商店 54 食品店 55 汽车经销商及加油站
SIC 代码手册 - 美国数据公司
01 农业生产 - 农作物 02 农业生产 - 畜牧业和动物特产 07 农业服务 08 林业 09 捕鱼、狩猎和诱捕 10 金属开采 12 煤炭开采 13 石油和天然气开采 14 非金属矿物开采和采石，燃料除外 15 建筑 - 总承包商和施工承包商 16 重型建筑，建筑施工除外，承包商 17 建筑 - 特殊行业承包商 20 食品及相关产品 21 烟草产品 22 纺织厂产品 23 服装、织物及类似材料制成的成品 24 木材和木制品，家具除外 25 家具和固定装置 26 纸及相关产品 27 印刷、出版及相关工业 28 化学品及相关产品 29 石油精炼及相关工业 30 橡胶及各种塑料制品 31 皮革及皮革制品 32 石材、粘土、玻璃和混凝土产品 33 初级金属工业 34 金属制品 35 工业和商业机械及计算机设备 36 电子及其他电气设备及部件 37 运输设备 38 测量、摄影、医疗、光学产品及钟表 39 杂项制造业 40 铁路运输 41 本地及郊区交通及城际公路运输 42 汽车货运 43 美国邮政服务 44 水运 45 航空运输 46 管道（天然气除外） 47 运输服务 48 通信 49 电力、燃气及卫生服务 50 批发贸易 - 耐用品 51 批发贸易 - 非耐用品 52 建筑材料、五金、园艺用品及移动房屋 53 百货商店 54 食品店 55 汽车经销商及加油站