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基于 SiC 的辐射探测器前端电子器件
摘要 — 在高剂量脉冲带电粒子束中，所有在线探测器都会因离子复合而饱和。因此，不可能单独计数探测器脉冲。碳化硅由于其高带隙、高热导率和高位移能量而被视为替代品。实时分析波形在带宽、可测量能量范围、传感器尺寸、数据速率方面具有挑战性。在此背景下，设计了一个用于辐射信号处理的模拟前端 (AFE)。它基于跨阻放大器 (TIA) 和电荷敏感放大器 (CSA) 来分析生成信号的形状。描述了用于表征高探测器电容 AFE 的方法。还介绍了从辐射环境中的模拟、实验和测量中提取的结果。
SIC进一步进入硅的电动电动机
市场新闻6化合物半导体市场的增长率为6.1％，到2030年为6190万美元； GAN市场份额超过30％，但SIC推动增长微电子新闻新闻8 Guerrilla RF实施一定六的反向股票分割宽带宽带电子产品新闻9 Bosch购买TSI并将Fab转换为SIC•SIC•将SIC设备转换为ZF•向WolfSpeed和Nc SiC R＆t sumis deporner•SIC R＆D FORES•SIC SIC INSIC PORTION•ONSEMI ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ONSIC ON onSIC onsemi Hyundai to evaluate and develop high-voltage power semi device designs and packaging • Navitas launches GaNSense Control ICs Materials and processing equipment News 26 Welsh Government to expand Newport's compound semiconductor cluster • SGL Carbon to supply graphite components to Wolfspeed • OIPT to supply KAUST with hardware upgrades and ALE systems • III-V Epi's CTO made Professor of Photonics at Aston LED News 36 Vuereal三年来创造75个新工作•使用短期的超级晶格技术光电技术新闻新闻40连贯在牛顿牛顿英国工厂光学通信新闻43固定宽带单元和较新的发射量•Liments umection•Liments uneplion•Liments uneverance•Liments uneplion•limeventure•lilestim• funding to create independent photonic chip foundry • Vector Photonics' £1m ZEUS project to commercialize 1-Watt artificial intelligence PCSEL Photovoltaic News 50 India incentives for First Solar's Tamil Nadu manufacturing facility • 5N Plus boosting AZUR's production capacity by 30% • Midsummer participating in Australian project targeting 30% tandem cell efficiency
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。
88702 SIC 68320 - NKT 学院
信息是一项重要资产。您掌握的信息越多，您就越能适应周围的世界。在商业领域，信息通常是公司拥有的最重要的资产之一。组织通常会选择部署更多资源来控制敏感度更高的信息。组织以不同的方式对信息进行分类，以便以不同的方式管理信息处理的各个方面，例如标签（页眉、页脚和水印是否指定应如何处理）、分发（谁可以看到它）、复制（如何制作和处理副本）、发布（如何向外部人员提供）、存储（保存位置）、加密（如果需要）、处置（无论是粉碎还是强力擦除）以及传输方法（例如电子邮件、传真、打印和邮寄）。公司可能拥有机密信息，例如研发计划、制造流程、战略公司信息、产品路线图、流程描述、客户名单和联系信息、财务预测和收益公告，这些信息旨在根据需要供内部使用。机密信息的丢失或被盗可能会侵犯个人隐私、降低公司的竞争优势或对公司造成损害。专业信息或秘密信息可能包括商业机密，例如配方、生产细节和其他知识产权、描述如何提供服务的专有方法和实践、研究计划、电子代码、密码和加密密钥。如果泄露，这类信息可能会严重损害公司的竞争优势。它通常仅限于公司内部的少数人或部门，很少在公司外部披露。丢脸：案例研究 Egghead Software 是一家著名的软件零售商，它在 2000 年发现互联网攻击者可能从其网站窃取了多达 370 万个信用卡号，这些信用卡号存放在一家安全性不佳的电子商务服务提供商的异地。这一信息很快成为新闻，结果 Egghead 的企业形象不仅被玷污了，而且被摧毁了。客户纷纷离开。媒体的报道毁了公司的声誉。 Egghead 的股价和销售额急剧下降。随后采取了包括裁员在内的削减成本措施。连锁反应最终导致 Egghead 破产并被 Amazon.com 收购。b. 解释用于构建安全程序的各种组件。
空间辐射对SIC电源设备可靠性
摘要 - 高空离子辐射会导致碳化硅动力装置降解和/或灾难性故障。测试程序和数据解释必须考虑重型离子诱导的现状泄漏电流增加将对随后的单事件效应敏感性和可检验性产生的影响。在轨道上，由于累积离子诱导的非胃动态性单事件效应，必须在整个任务寿命中确保可靠的表现。这项工作为不同的二极管，Power MOSFET和JFET设备提供了大量的重离子测试数据。SIC和SI功率设备之间比较了对单事件效应的敏感性。对硅碳化物电源设备的重型离子辐射测试方法的初步建议进行了，并讨论了辐射硬度保证，目的是将一步更近的一步移动到可靠地将这项技术从地面上脱离地面的航天器和仪器，从而使其从其独特的功能中受益。
AA 6061/ SIC/石墨烯杂交的机械性能... div>
由于其出色的强度，对腐蚀，可负担性和易于制造的耐药性，铝及其合金被广泛用于许多不同的工程目的。铝及其合金由于负担能力和易于制造而广泛用于许多工程领域。[1-3]。硬度刚度，压缩强度和强抗拉伸能力的程度是铝合金混合纳米复合材料（AAHNCS）的一些所需特征。与纯合金相比，这些材料表现出更大的耐磨性。这些材料用于多个行业的许多结构应用，例如汽车，飞机和海洋。可以在卡车框架，机车教练，建筑物，塔楼，陆军和工业桥，航空航天利用和造船厂的活动中找到AA 6061的重型结构用途。在其极好的电导率，缺乏密度，高强度和对腐蚀性的抵抗力以及更大的能力以及机器的能力。AA 6061是最常用的矩阵材料[1，4-5]。金属基质复合材料（MMC）最近获得了丰富的焦点，因为它们具有出色的机械品质，它们具有耐磨性和机械强度。空间结构，滑动电触点，
GaN/AlGaN 和 SiC 电子和光子器件中的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已商业化用于电力电子和可见光至紫外发光二极管（例如 GaN/InGaN/AlGaN 材料系统）。对于电力电子应用，SiC MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）和整流器以及 GaN/AlGaN HEMT 和垂直整流器在高功率水平下提供比 Si 器件更高效的切换，现在正用于电动汽车及其充电基础设施。这些器件还可应用于涉及高温和极端环境的电动飞机和太空任务。在本综述中，将它们的固有辐射硬度（定义为对总剂量的耐受性）与 Si 器件进行了比较。宽带隙半导体的固有辐射硬度更高，部分原因是它们产生缺陷的阈值能量（原子键强度）更大，更重要的是因为它们的缺陷复合率高。然而，现在人们越来越认识到，SiC 和 GaN 功率器件中重离子引起的灾难性单粒子烧毁通常发生在电压约为额定值的 50% 时。在高线性能量传输速率和高施加偏压下，离子诱导泄漏发生在外延区域内的临界功率耗散之上。沿离子轨道耗散的功率量决定了漏电流衰减的程度。最终结果是沿离子轨道产生的载流子发生碰撞电离和热失控。发光器件不受这种机制的影响，因为它们是正向偏置的。应变最近也被确定为影响宽带隙器件辐射敏感性的一个参数。
英飞凌 SiC 副总裁 Peter Friedrichs 博士周二，...
摘要 碳化硅 (SiC) 器件具有许多优势，尤其是在功率转换电路中，这些电路对于效率至关重要。这些应用包括太阳能逆变器和电动汽车，它们也可能需要使用数十年。对于这些应用，非常高的效率和长期可靠性的结合至关重要。在这些应用中部署 SiC 的挑战在于，该技术处于比硅更早的发展阶段。这意味着部署 SiC 的最佳方法仍在探索中，并且仍然需要更好地理解和更有效地缓解 SiC 器件特有的一些故障模式。英飞凌多年来一直致力于解决这些问题，因此拥有必要的见解和经验，既可以帮助客户充分利用 SiC 器件，又可以帮助他们理解和缓解其故障机制，以确保必要的可靠性。本文将深入探讨有关 sic 功率器件的长期可靠性和故障模式的具体方面，同时考虑到与应用相关的任务概况。
一目了然的最终议程。xlsx
摘要碳化硅（SIC）设备具有许多优势，尤其是在电源转换电路中，用于效率为溢价的应用。这些包括太阳逆变器和电动汽车，预计几十年来也可以继续使用。对于这些应用，非常高效率和长期可靠性的结合至关重要。在此类应用中部署SIC的挑战是该技术处于开发的早期，而不是硅。这意味着仍在探索部署SIC的最佳方法，并且SIC设备所特有的某些故障模式仍然需要更好地理解和更有效地减轻。Infineon多年来一直致力于这些问题，因此，既有帮助客户的优势，并了解和减轻其故障机制以确保必要的可靠性，因此所必需的见解和经验也是如此。考虑到相关的任务配置文件，贡献将使有关长期可靠性和SIC Power设备的长期可靠性和故障模式的特定方面。
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。