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通过精密植入和分析设计 SiC 量子系统
量子信息科学为计算、通信和传感的革命带来了巨大的希望。这些进步的核心是宽带隙半导体中的固态缺陷中心。缺陷中心是材料原子晶格中由各种因素引起的微小缺陷，包括缺失原子（空位）、通常处于空位位置的原子（间隙原子）以及材料成分中不固有的外来原子的存在。这些缺陷可能具有与之相关的特定自旋状态。这些离散的自旋能态可用作量子比特（量子位），用于存储和操纵信息。虽然与传统计算中的 0 和 1 的二进制系统相似，但量子位增加了叠加等独特行为，从而显著提高了信息密度。金刚石中的氮空位中心作为量子位的可能自旋缺陷，在固态量子信息处理领域引起了最多的关注。但是，碳化硅 (SiC) 是一种广受欢迎的宽带隙半导体，通常用于高功率电子和恶劣环境应用，作为量子平台也具有很大的前景。1
碳化硅纳米线场效应晶体管在集成电路和传感应用方面的进展
摘要。块体碳化硅 (SiC) 的优越物理特性以及一维 (1D) 纳米结构特定物理特性的预期增强，激发了一系列针对纳米线 (NW) 制造和特性以及其在器件中的应用的研究。SiC 纳米线场效应晶体管 (NWFET) 是研究 SiC NW 在外部刺激（如电场）（集成电路中的应用）或 NW 表面上存在力或化学/生物物种（传感器中的应用）时在不同温度下的电特性的理想器件概念。SiC NW 量子传输建模的初步报告揭示了实现与 Si 基 NWFET 相当性能的前景。然而，实验性的 NWFET 演示表现出较低的载流子迁移率、I ON /I OFF 比和跨导 (gm ) 值，这对其进一步发展构成了障碍。低性能主要源于高度无意掺杂和未优化的 SiO 2 /SiC NW 界面。事实上，由于缺乏对 SiC NW 自下而上的生长过程的严格控制，导致非常高的载流子浓度（主要源于无意掺杂）接近退化极限。高密度陷阱和固定电荷的低界面质量导致栅极电场屏蔽，并表明需要进一步研究 SiO 2 /SiC NW 界面。由于这两种影响，即使在非常高的栅极电压下也无法实现器件关断。目前，只有在源/漏极 (S/D) 区域具有肖特基势垒 (SB) 的背栅极 NWFET 才表现出明确的关断和改进的性能，这要归功于通过全局栅极作用间接调制漏极电流，从而调节 S/D 区域的 SB 透明度。
通过嵌入 SiC 半导体实现高压电源模块的概念
具有集成电气隔离，如陶瓷基板。安装半导体的首选方法是低压低温银烧结工艺。该方法具有一些优点：首先，它能够在大型面板格式上组装芯片，从而实现高度并行处理。此外，芯片粘合精度对后续工艺步骤很重要，主要取决于芯片粘合工艺的精度，因为除了
3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能
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短路中 SiC Mosfet 的瞬态热二维有限元分析 ...
了解电热 SiC 功率 Mosfet 在短路等极端异常操作中的行为是认证的主要需求，尤其是对于关键或长寿命应用。但模拟电子元件中的短路非常困难，因为我们需要一个完全电热的多物理模型。我们还需要模拟顶部铝电极的熔化。我们使用“表观热容量”方法来模拟这种熔化，该方法考虑了潜热和熔化过程中所需的吸收能量。因此，本文首次提出了一个数值有限元模型，该模型在 2D 中完全模拟了 SiC 功率晶体管在短路状态下的动态电热行为。与现有的 1D 模型相比，该模型的几何精度提供了显着的附加值。
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。
p-SiC® 固体 SiC CVD 纯化等静压石墨多孔...
在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中，保持在特定温度下的源材料会升华，其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶，在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境，使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。
2021 MSGP 附录 N – SIC 和 NAICS 代码列表
任何主要活动为钢丝绒制造 (NAICS 332999) 的设施都应受 AA 部门监管，但可能继续受 E 部门监管。AA 部门适用额外的基于技术的流出物限制，包括良好的管理措施、溢漏预防和响应程序以及溢漏和泄漏；额外的 SWPPP 要求；以及额外的检查要求。E 部门适用额外的基于技术的流出物限制，包括良好的管理措施和额外的 SWPPP 要求。
SiC MOSFET 建模及使用遗传算法进行参数拟合
在这一部分，我想感谢那些在工作中给予我帮助的人。副教授 Dimosthenis Peftitsis 和博士候选人 Ole Christian Spro 是我的导师，他们的指导和支持对我的工作至关重要。我感谢 Dimosthenis 的激励和积极性，鼓励我工作。Ole Christian 是我的日常导师，帮助我解决遇到的困难。他的指导总是挑战我的思维，给我指点，帮助我理解，而不是简单地给我最简单的答案。这帮助我成长为一个人。我感谢 Ole Christian 花了很多时间来指导和激励我的工作。此外，我还要感谢博士候选人 Daniel Alexander Philipps 与我讨论不同的话题并给我反馈。这帮助我改进了我的工作。最后，我要感谢我的家人和朋友对我的信任和鼓励。这帮助我克服了困难时期并最终完成了学业！