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采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术的适用于通信应用的宽带 300 GHz 功率放大器
摘要 — 介绍了一种用于 300 GHz 左右高速通信的宽带三级伪差分 SiGe 互连双极晶体管 (HBT) 功率放大器 (PA)。该放大器采用实验性的 130 nm SiGe BiCMOS 技术制造，ft / f max 为 470/650 GHz。建议使用非对称耦合线变压器在所有放大器接口处进行器件电抗补偿，以促进宽带阻抗变换。该放大器的最大小信号功率增益为 23.0 dB，P sat /OP 1 dB 分别高达 9.7/6.7 dBm。它在小信号操作中显示 63 GHz（239-302 GHz）的 3-dB 带宽，在饱和时显示 94 GHz（223-317 GHz）的 3-dB 带宽。该放大器在 3 V 电源电压下消耗大约 360 mW，在 260 GHz 时产生 1.95% 的峰值功率附加效率 (PAE)。
超快双模式预定器的设计和相位噪声测量130 nm sige：c bicmos
摘要 - 高速和功率电路的设计复杂性增加到更高的操作频率。因此，此手稿概述了如何使用两个可切换除法比率为4和5的双重模数预分量器设计和优化完全差异的发射极耦合逻辑（ECL）门。第一个预拉剂被优化为最高的运行频率，分别为5和4的分别为142 GHz，甚至166 GHz。此外，另一位预拉剂已针对广泛使用的80 GHz频段进行了优化，该频段已由汽车行业大量促进，并且该域中有大量组件。可以在具有较宽的除法比率范围的完全可编程频率分隔线中使用两个预分量员。作为对具有出色噪声性能的频率转换设备的添加期噪声的测量非常具有挑战性，因此在理论上进行了讨论，并实际上进行了。在100 Hz的集成极限内，测得的抖动在500 AS和1.9 FS之间，最高为1 MHz偏移频率。
当前泄漏机制与在Si（001）上生长的GE富含螺纹脱位有关
目前的工作研究了螺纹位错密度（TDD）在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上（001）的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错（TD）的影响，而不会与加工诱导的缺陷相互作用，例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度，但具有三种不同的TDD值：3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明，泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明，通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道，在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下，无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度（> 100°C）下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里，我们看到材料中SRH的贡献减少，其中最小的TDD（3×10 6 cm -2），我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。
用于 2.5–5tnqx202f;THz 子带间光子学的高质量 CMOS 兼容 n 型 SiGe 抛物线量子阱
* 通讯作者：Michele Ortolani，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291，00161 罗马，意大利；以及罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Rome, Italy，电子邮件：michele.ortolani@roma1.infn.it。 https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena Campagna、Enrico Talamas Simola、Luciana Di Gaspare 和 Monica De Seta，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利，电子邮件：elena.campagna@uniroma3.it（E. Campagna），enrico.talamassimola@uniroma3.it（E. Talamas Simola）。 https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E. Campagna）。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712 (E. Talamas Simola) Tommaso Venanzi，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291, 00161 罗马，意大利，电子邮件：tommaso.venanzi@uniroma1.it Fritz Berkmann 和 Leonetta Baldassarre，罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 罗马，意大利，电子邮件：fritz.berkmann@uniroma1.it (F. Berkmann) Cedric Corley-Wiciak，IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国，电子邮件：cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子与微系统研究所（CNR- IMM），VIII Strada 5，卡塔尼亚 95121，意大利 Giovanni Capellini，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利；以及 IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国 Michele Virgilio，物理学系“E.费米”，大学；比萨，Largo Pontecorvo 3，比萨 56127，意大利，电子邮件：michele.virgilio@unipi.it
基于INP的量子点材料的高光学增益是在电信波长下发射的硅上生长的
相干技术目前正在深入讨论短距离内的光学互连。本文报告了先前工作的进度，该工作分析了从C-到O带光学方面的好处，以实现数字信号处理。在这里，我们研究了将连贯的方法适应已建立的数据中心互连技术（PSM4）的可行性。这种类似PSM4的实现带来了对激光漂移的弹性大大提高的好处，从而减少或消除了对温度稳定激光器的需求，这通常假定是相干收发器的需求。分析取决于SIGE光子BICMOS技术中相干接收器的先前实验实现的部分模拟参数。此外，我们还利用了有关在20 nm波长窗口上优化O-带2D光栅耦合器在效率和低极化依赖性方面的最新结果。我们将这些耦合器确定为启用类似于PSM4的实现的构建块。©2023作者。代表日本应用物理学会出版，由IOP Publishing Ltd
用于 2.5–5tnqx202f;THz 子带间光子学的高质量 CMOS 兼容 n 型 SiGe 抛物线量子阱
* 通讯作者：Michele Ortolani，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291，00161 罗马，意大利；以及罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Rome, Italy，电子邮件：michele.ortolani@roma1.infn.it。 https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena Campagna、Enrico Talamas Simola、Luciana Di Gaspare 和 Monica De Seta，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利，电子邮件：elena.campagna@uniroma3.it（E. Campagna），enrico.talamassimola@uniroma3.it（E. Talamas Simola）。 https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E. Campagna）。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712 (E. Talamas Simola) Tommaso Venanzi，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291, 00161 罗马，意大利，电子邮件：tommaso.venanzi@uniroma1.it Fritz Berkmann 和 Leonetta Baldassarre，罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 罗马，意大利，电子邮件：fritz.berkmann@uniroma1.it (F. Berkmann) Cedric Corley-Wiciak，IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国，电子邮件：cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子与微系统研究所（CNR- IMM），VIII Strada 5，卡塔尼亚 95121，意大利 Giovanni Capellini，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利；以及 IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国 Michele Virgilio，物理学系“E.费米”，大学；比萨，Largo Pontecorvo 3，比萨 56127，意大利，电子邮件：michele.virgilio@unipi.it
在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。
高质量的CMOS兼容N型SIGE抛物线量量子孔，用于2.5-5TNQX202F； THz
*Corpsontding作者：Michele Ortolani，生命中心Nano＆Neuro Science，意大利理工学院，Viale Regina Elena 291，00161，意大利罗马；和物理系“ Sapienza”罗马大学，Piazzale Aldo Moro 2，00185，意大利罗马，电子邮件：michele.ortolani@roma@roma1.infn.it。https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena运动，Enrico Talamas Simola，Gaspare的Luciana和大学科学系Monica de Seta；在罗马研究中，Viale G. Marconi 446，罗马00146，意大利，电子邮件：elena.campagna@uniroma3.it（E。竞选），Enrico.talamassimola@uniroma@uniroma@uniroma3.it（E。Talamas Simola）。https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E.广告系列）。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712（E. Talamas Simola）Tommaso Venanzi，意大利技术研究所，意大利技术研究所，Viale Regina Elena 291，00161 Rome，00161 ROME，00161 ROME，EMMAN，EMMAN：和莱昂内塔·巴尔达萨尔（Leonetta Baldassarre Technologiepark 25，Frankfurt，（Oder）15236，德国，电子邮件：Cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子和微型系统研究所（CNR- IM）（CNR- IM），VIII STRADA 5，VIII STRADA 5，CATANIA 95121，ITALY GIOVAND GIOVANDIALY GIOVANCENT CAPINES，分校在罗马研究中，意大利罗马00146的Viale G. Marconi 446；和IHP-LeibnizInstitutFür创新的Mikroelelektronik，IM Technologiepark 25，Frankfurt（Oder）15236，德国Michele Michele Virgilio物理学部”，E。https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E.广告系列）。https://orcid.org/0000-0001-5468-6712（E. Talamas Simola）Tommaso Venanzi，意大利技术研究所，意大利技术研究所，Viale Regina Elena 291，00161 Rome，00161 ROME，00161 ROME，EMMAN，EMMAN：和莱昂内塔·巴尔达萨尔（Leonetta Baldassarre Technologiepark 25，Frankfurt，（Oder）15236，德国，电子邮件：Cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子和微型系统研究所（CNR- IM）（CNR- IM），VIII STRADA 5，VIII STRADA 5，CATANIA 95121，ITALY GIOVAND GIOVANDIALY GIOVANCENT CAPINES，分校在罗马研究中，意大利罗马00146的Viale G. Marconi 446；和IHP-LeibnizInstitutFür创新的Mikroelelektronik，IM Technologiepark 25，Frankfurt（Oder）15236，德国Michele Michele Virgilio物理学部”，E。
母校StudiorumUniversitàdiBologna Archivio ...
Barbara G.，Cremon C.，Bellini M.，Corsetti M.，Di Nardo G.，Falangone F.等。 （2023）。 Italian guidelines for the management of irritable bowel syndrome: Joint Consensus from the Italian Societies of: Gastroenterology and Endoscopy (SIGE), Neurogastroenterology and Motility (SINGEM), Hospital Gastroenterologists and Endoscopists (AIGO), Digestive Endoscopy (SIED), General Medicine (SIMG), Gastroenterology, Hepatology and小儿营养（SIGENP）和儿科（SIP）。 消化和肝病，55（2），187-207 [10.1016/j.dld.2022.11.015]。Barbara G.，Cremon C.，Bellini M.，Corsetti M.，Di Nardo G.，Falangone F.等。（2023）。Italian guidelines for the management of irritable bowel syndrome: Joint Consensus from the Italian Societies of: Gastroenterology and Endoscopy (SIGE), Neurogastroenterology and Motility (SINGEM), Hospital Gastroenterologists and Endoscopists (AIGO), Digestive Endoscopy (SIED), General Medicine (SIMG), Gastroenterology, Hepatology and小儿营养（SIGENP）和儿科（SIP）。消化和肝病，55（2），187-207 [10.1016/j.dld.2022.11.015]。
使用飞秒激光器对无内部增益层的 SiGe BiCMOS 单片硅像素探测器的时间分辨率
摘要：使用飞秒激光研究了为 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目生产的第二个单片硅像素原型的时间分辨率。ASIC 包含一个间距为 100 μ m 的六边形像素矩阵，由低噪声和非常快速的 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 μ m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的硅晶片来生产完全耗尽的传感器。在测试的最高前端功率密度 2.7 W/cm 2 下，发现飞秒激光脉冲的时间分辨率对于由 1200 个电子产生的信号为 45 ps，对于 11k 个电子则为 3 ps，这大约相当于最小电离粒子产生的电荷最可能值的 0.4 倍和 3.5 倍。将结果与使用同一原型获取的测试光束数据进行比较，以评估电荷收集波动产生的时间抖动。