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在瞄准有效的植物固醇的计算机探索中
非小细胞肺癌Bishnu adhikari 1，Ashish Phuyal 2，Anuraj Phunyal 2，Nabin Upadhyaya 2，Amar Waiba 2，
二氧化硅的各向异性气相 HF 蚀刻以释放 Si 微结构
制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下，可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下面的处理基板来完成的，而在表面微加工中，一系列薄膜沉积和对堆栈中特定层（称为牺牲层）的选择性蚀刻产生最终所需的悬浮微结构。这两种 MEMS 制造方法的关键步骤是控制释放区域，从而精确定义柔顺机械结构锚 [1]，如图 1 a 和 b 所示，显示了锚的底蚀。湿法或干法蚀刻工艺都可以去除牺牲层，使用前一种方法会遇到粘滞，而后一种方法会引入污染或残留物 [2]。选择牺牲层时需要考虑的重要设计因素包括：(i) 沉积膜的均匀性和厚度控制、(ii) 沉积的难易程度、(iii) 蚀刻和沉积速率、(iv) 沉积温度以及 (v) 蚀刻选择性。光刻胶由于易于蚀刻（使用氧等离子体或有机溶剂）且不会损害大多数结构材料而被用作牺牲层 [3–6]。然而，该工艺仅限于低温
可穿戴硅橡胶基式摩擦电纳米生成器的进步：从制造到应用
抽象可穿戴的生物电子设备正在迅速发展到小型化和多功能性，具有弹性和舒适性等显着特征。但是，为可穿戴生物电子设备实现可持续的电源仍然是一个巨大的挑战。Triboelectric纳米生成剂（TENGS）通过将不规则的低频生物能源从人体转化为电能，从而提供了有效的解决方案。除了可持续的可穿戴生物电子药物外，收获的电能还提供了丰富的人体感测信息。在此转换过程中，材料的选择在影响tengs的输出性能中起着至关重要的作用。在各种材料中，有机硅橡胶（SR）由于其出色的可塑性，灵活性，舒适性和其他有利的特性而脱颖而出。此外，通过适当的治疗，SR可以实现极端功能，例如稳健性，良好的稳定性，自我修复能力，快速响应等等。在这篇综述中，系统地审查了基于可穿戴SR的Tengs（SR-Tengs）的最新进展，重点是他们在人体不同部位的应用。鉴于SR-Tengs的制造方法在很大程度上决定了其输出性能和敏感性，因此本文介绍了SR-Tengs的设计，包括材料选择，过程调制和结构优化。此外，本文讨论了当前
DNA折纸定向集成胶体纳米光子材料与硅光子学
将胶体量子发射器确定性地整合到硅基光子器件中将推动量子光学和纳米光子学的重大进展。然而，将 10 纳米以下的粒子以纳米级精度精确定位到微米级光子结构上仍然是一项艰巨的挑战。在这里，我们引入了腔形调制折纸放置 (CSMOP)，它利用 DNA 折纸的形状可编程性，选择性地将胶体纳米材料沉积在光刻定义的光刻胶腔内，这些光刻胶腔被图案化到任意光子器件上，具有高产量和方向控制。软硅化钝化可稳定沉积的折纸，同时保留其空间可编程的 DNA 杂交位点，从而实现等离子体金纳米棒 (AuNR) 和半导体量子棒 (QR) 的位点特异性附着。这分别提供了对光散射和发射偏振的控制，并在氮化硅波导、微环谐振器和靶心腔内确定性地集成了单个 QR。因此，CSMOP 为胶体纳米材料集成到光子电路中提供了一个通用平台，具有为量子信息科学和技术提供强大推动力的广阔潜力。
新兴的医疗用碳化硅 MOSFET ...
碳化硅 (SiC) MOSFET 凭借卓越的效率、可靠性和紧凑性，正在改变医疗设备的设计和功能。与标准的硅基功率器件不同，SiC MOSFET 具有增强的电气和热性能，包括更高的击穿电压、更低的开关损耗和更好的导热性。在医疗保健应用中，操作的准确性、能效和可靠性至关重要，这些特性非常重要。SiC MOSFET 可在 CT 和 MRI 扫描仪等医疗成像系统中提供更高的功率密度和更快的开关速度，从而提高图像质量并减小系统尺寸。可穿戴和便携式医疗设备的出色效率有助于缩小尺寸并延长电池寿命。此外，SiC MOSFET 可确保重症监护环境中的可靠性，从而提高手术器械、诊断器械和生命支持系统的效率。本文将讨论 SiC MOSFET 在改进医疗保健技术方面的重要性，以及它们与医疗保健相关的主要特性、现场应用及其对医疗保健系统的好处。随着医疗保健行业逐步采用复杂且能源密集型的技术，SiC MOSFET 有可能成为先进医疗电子产品的重要组成部分，从而推动临床和便携式护理解决方案的发展。
核糖 - 卡比德 - 毛线for-MoSfet-Medical- ...
碳化硅（SIC）MOSFET通过提供出色的效率，可靠性和紧凑性来改变医疗设备的设计和功能。尽管基于标准的硅电源设备，SIC MOSFET可提供增强的电气和热性能，包括更高的击穿电压，较低的开关损耗以及改善的导热率。在医疗保健应用中，准确性，能源效率和操作的可靠性至关重要，这些特征是极为重要的SIC MOSFET，可以提高功率密度，并提高医学成像系统（例如CT和MRI扫描仪）的开关速度，从而提高了图像质量和减少系统大小。可穿戴和便携式医疗设备的出色效率有助于缩小尺寸并延长电池寿命。此外，确保在重症监护环境中的可靠性，SIC MOSFET提高了手术，诊断工具和生命支持系统的仪器效率。在本文中介绍了SIC MOSFET在改善医疗保健技术方面的重要性，以及它们的主要特征，与医疗保健，现场的应用以及其与医疗保健系统的好处有关。SIC MOSFET有可能成为先进的医疗电子产品的基本要素，因为医疗保健行业逐渐融合了精致和能源密集型技术，因此可以在临床和便携式护理解决方案中发展。
通过与碳和质子共注入制造的硅中单个 G 中心
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
基于硅基氮化镓的微机电加速度计
1 G. Langfelder、M. Bestetti 和 M. Gadola，《微机械与微工程杂志》31 (8)，084002 (2021)。2 Chen Wang、Fang Chen、Yuan Wang、Sina Sadeghpour、Chenxi Wang、Mathieu Baijot、Rui Esteves、Chun Zhao、Jian Bai、Huafeng Liu 和 Michael Kraft，《传感器》20 (14)，4054 (2020)。3 V. Narasimhan、H. Li 和 M. Jianmin，《微机械与微工程杂志》25 (3)，033001 (2015)。4 DK Shaeffer，《IEEE 通信杂志》51 (4)，100 (2013)。5 LM Roylance 和 JB Angell，《IEEE 电子设备学报》26 (12)，1911 (1979)。 6 AA Barlian、W. Park、JR Mallon、AJ Rastegar 和 BL Pruitt，IEEE 97 论文集 (3)，513 (2009)。7 S. Tadigadapa 和 K. Mateti，测量科学与技术 20 (9)，092001 (2009)。8 O. Le Traon、J. Guérard、M. Pernice、C. Chartier、P. Lavenus、A. Andrieux 和 R. Levy，在 2018 年 IEEE/ION 位置、定位和导航研讨会 (PLANS) 上发表，2018 年（未发表）。9 O. Lefort、I. Thomas 和 S. Jaud，在 2017 年 DGON 惯性传感器和系统 (ISS) 上发表，2017 年（未发表）。
将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
使用二氟化氙蚀刻绝缘体上的硅对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工
Thomas Lerond、Dmitri Yarekha、Vanessa Avramovic、Thierry Melin、S. Arscott。使用氙二氟化物蚀刻绝缘体上的硅，对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工。《微力学与微工程杂志》，2021 年，31 (8)，第 085001 页。�10.1088/1361- 6439/ac0807�。�hal-03411474�