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英国科学与创新网络摘要：美国
美国的科学与创新网络包括在七个地区工作的13名官员，以开发科学和创新机会，以使英国受益。该团队由英国驻华盛顿特区大使馆带领。在2024 - 25年，罪美国将重点关注四个总体主题：新兴技术，能源安全和气候，太空科学以及一种健康和生物安全性。这些工作流既反映了科学和技术的高级HMG重点领域，也反映了美国联邦和地区级别的双边伙伴关系的广度。sin US支持多利益相关者UK-US研究与创新合作；确定和支持英国业务的新兴机会；跟踪和影响美国科学与创新政策；并通过美国见解支持英国政策制定。该团队与英国政府的同事如商业与贸易部（DBT）和其他英国组织紧密合作。与在华盛顿特区设有美国办事处的英国研究与创新（UKRI）也有强有力的合作伙伴关系。3。sin联系人以获取更多信息或接触个人罪恶的官员，请写信给美国si@fcdo.gov.uk 2024年5月
建筑相关物品订购指南...
与 FAR 第 22.4 部分相关的适用条款已纳入本 SIN；但不包括具体的工资决定，订购活动旨在审查 FAR、机构补充法规和任何其他相关指导，以确保根据其要求的具体情况，所有适用条款和其他要求均已纳入订单级别。根据合同执行订单的机构必须遵守与不动产工作相关的任何机构特定批准、门槛或资金限制，例如，将运营和维护 (O&M) 资金用于未指定的军事建设。本 SIN 不包括以下服务：(1) 建筑物、道路、停车场和其他设施的大型或新建； (2) 整个设施或设施重要部分的复杂 R&A，以及 (3) 联邦采购条例 (FAR) 第 36 部分规定的布鲁克斯建筑工程师法案下的建筑工程服务 (A&E)。辅助服务、杂费和设备租赁只能与根据联邦供应计划合同购买的产品或服务一起订购或为支持这些产品或服务而订购。
使用纳米力学谐振器在深度亚波长距离下测量近场辐射传热
摘要：近场辐射传热（NFRHT）测量通常依赖于定制的微发行版，这些版本在其原始演示后可能很难再现。在这里，我们使用纯硅（SIN）膜纳米力学谐振器研究NFRHT，一种可广泛可用的基材，用于电子显微镜和光学力学等应用，并可以轻松地沉积其他材料。我们报告的测量值降低到较大的曲率半径（15.5 mm）玻璃散热器和SIN膜谐振器之间的最小距离。在如此深的次波长距离处，热传递在（0.25 mm）2的有效区域上由表面极化共振支配，这与使用自定义的微型制造设备的平面 - 平面实验相当。我们还讨论了使用纳米力学谐振器的测量如何创造机会，同时测量近场辐射传热和热辐射力（例如，对Casimir力的热校正）。关键字：近场辐射，纳米力学谐振器，热辐射，表面极化
Tobias Thaller -Kirchhoff物理研究所
随着纳米级制造技术的高级，光子综合电路的速度和能源效率获得了流动性。一个主要的挑战涉及纤维和纳米光学设备之间的耦合。一个有希望的解决方案是使用光栅耦合器，它可以在芯片上的任何位置正交近似光。虽然已经在SOI平台上牢固地建立，但近年来，它们在诸如罪恶之类的低指数平台上也变得至关重要。这个相对较新的材料平台的特征是其低传播损失和出色的功率处理能力，使其对广泛的应用具有吸引力。虽然标准的光栅耦合器有效地将仅具有一个极化的光，但是无论其极化如何，极化的拆卸光栅耦合器都可以将光线磨合。后者尚未在罪恶平台上实现，使他们的调查特别值得。本文使用FDTD仿真确定了关于sin上2D光栅耦合器设计的操作参数。模拟的最大耦合效率为51。8％，无需使用任何其他返回反射器。此外，还探索了sin上极化的光栅耦合器的发展，其中3D模拟表明这项工作是可以实现的。
福利和承保范围摘要：本计划承保的内容以及您为承保服务支付的费用承保期：2022 年 7 月 30 日至 2023 年 7 月 28 日
会员服务呼叫中心每周7天、每天24小时（节假日除外）提供语言协助服务。工作时间内，我们可以免费为您提供翻译服务，包括手语。工作时间内，为残障人士免费提供辅助工具和服务。我们还可以为您、您的家人和朋友提供使用我们的护理设施和服务所需的任何特殊帮助。您可以免费请求将材料翻译成您的语言。您还可以免费索取大字号字体或其他适合您需要的格式的版本。如需了解更多信息，请拨打 1-800-788-0616（TTY 请拨打 711）。
Foundry开发从...
光子整合技术已成为大量现有和利基应用程序的核心，就像微电子技术在[1]之前开发的几十年一样。以光子学为关键的促成技术[2]，集成是具有稳定，便携式和低功耗设备的成本效益填充应用程序市场的自然路径，类似于电子集成电路的传播。虽然光子整合技术的主要应用程序开发在Tele/DataCom [3，4]领域，但这些领域逐渐进入了其他领域，例如土木工程[5]，生物和生命科学[6]，环境传感[7-10]和自动动力[11]，以及许多其他领域。自然而然地，光子整合技术开发的最初努力专门用于整体整合，以建立稳定且可加入的单个平台。关键因素是纳入通用技术哲学[12，13]。这些早期活性基于硅（SI），磷化物（INP）和氮化硅（SIN）材料[14-17]的三种主流技术。尽管如此，当前的评论和路线图[18-20]倡导混合和异质整合[21，22]，承认使用单个材料平台的使用不能涵盖所有现有的应用程序。SI和SIN膜的整体组合也是研究的主题[23，24]。与基于SI指南的平台和二氧化硅平台（所谓的Planar Lightwave电路，PLC [27]）相比，Sin Photonics将两者的良好特征结合在一起。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。
光学质量方面和波导硅平台中的机械划分
简介：氮化硅（SIN X）具有高折射率和光学透明度，从大约250 nm到7 µm，可以实现跨越紫外线的低损失平面综合设备，直到中型中型。作为一个平台，SIN X受益于晶圆尺度制造，免费的金属氧化物 - 氧化物 - 副导体（CMOS）兼容过程，并且可以针对不同的应用（包括非线性光学功能）定制[1]。但是，与许多集成的光子平台一样，可以在无法使用光栅耦合器时进行处理方面以进行最终耦合。传统的抛光可能会证明是耗时的，尤其是当从晶圆上处理数十个光子设备时，还证明了精确放置的刻面部的挑战。涉及多个薄层不同材料的层压结构，在抛光过程中的波导层的碎屑和分层也导致产量差。近年来，钻石加工通常使用DICING锯，开辟了通往各种脆性材料的光学质量表面的路线[2，3]。在延性状态下的加工可以拆除塑料样的材料，从而导致碎屑下的碎屑低和低表面粗糙度。我们以前已经证明了诸如二氧化硅和硅等散装材料的光学质量加工，以及尼贝特锂中的山脊波导和面的划分[4-7]。在这项工作中，我们将这些技术重新列为二合一质量质量的片段，该平台由多个层（底物 - 氧化物sin x-封顶层）组成，不需要抛光。我们将此技术扩展到了侧向定义的波导，这些波导证明了层压层的精确度，保存和凹入锯技术的低表面碎屑。我们的DICING例程还提供了一个过程来验证延性加工的参数。
发射温度对激发接触的APCVD Poly-SI特性的影响
摘要。我们证明了由大气压化学蒸气沉积制造的硼掺杂的多晶 - 硅质（poly-si），以形成驱动的钝化接触。层有关其结晶石尺寸，电阻率和钝化特性的不同层层。从X射线衍射测量值中，定量得出的结论是，较高的射击峰温度会增加poly-SI的结晶石尺寸，最高为10 nm。这种结晶石尺寸的变化与电阻率成反比，这对于更高的发射温度而言大大降低。对于较薄的聚-SI层和较高的射击温度，发现较高的隐含开路电压（IV OC）和较低的饱和电流密度（J 0），这很可能是由于从SIN X：H层到界面氧化物的氢扩散时间差异。尽管没有观察到（p）poly-si的水泡，但在高点火温度下，sin x：h层的水泡> 900°C会损害薄层的钝化。实现了708 mV的最大IV OC和〜12 fa/cm 2的最小J 0。
信使-Squarespace
波菲里长老曾经谈到青少年及其在教会生活中的挣扎：“男孩和女孩有时会来找我。这些可怜的孩子，他们做了什么。他们犯下了肉体的各种罪孽，但我爱他们。”长老并没有为年轻人的行为辩护，他将这些行为描述为肉体的罪孽，但同时他爱他们，因为他们是“基督为他们而死”的宝贵灵魂。他的爱像磁铁一样吸引着他们，逐渐治愈了他们对肉体的崇拜。长老的这种教父态度被保守的清教徒误解了，他们为此感到悲痛，而一些不负责任的进步人士则为之欢欣鼓舞，原因相同：据说长老“容忍”了肉体的罪孽。他们不明白，不能通过对罪人的不宽容谴责来对抗罪恶，也不能通过对堕落的罪恶律法主义来对抗罪恶。长老通过爱罪人并帮助他们意识到他们对堕落的责任，以及他们在基督里可能摆脱罪恶，有效地对抗了罪恶。
信使-Squarespace
波菲里长老曾经谈到青少年及其在教会生活中的挣扎：“男孩和女孩有时会来找我。这些可怜的孩子，他们做了什么。他们犯下了肉体的各种罪孽，但我爱他们。”长老并没有为年轻人的行为辩护，他将这些行为描述为肉体的罪孽，但同时他爱他们，因为他们是“基督为他们而死”的宝贵灵魂。他的爱像磁铁一样吸引着他们，逐渐治愈了他们对肉体的崇拜。长老的这种教父态度被保守的清教徒误解了，他们为此感到悲痛，而一些不负责任的进步人士则为之欢欣鼓舞，原因相同：据说长老“容忍”了肉体的罪孽。他们不明白，不能通过对罪人的不宽容谴责来对抗罪恶，也不能通过对堕落的罪恶律法主义来对抗罪恶。长老通过爱罪人并帮助他们意识到他们对堕落的责任，以及他们在基督里可能摆脱罪恶，有效地对抗了罪恶。