XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemsio
制造技术简介
正如我们在第1.1.1节中讨论的那样，大多数集成电路都是用硅制造的。因此，我们的重点是制造硅设备。为制造设备，硅必须以结晶形式为没有任何缺陷。它必须非常纯净。仅允许PPB的命令（仅零件十亿）的杂质。 2.1.1硅硅的纯化在自然界中大量可用于Sio 2（Sand）的形式，该形式形成了地壳的20％。 冶金级硅（MGS）是通过在碳弧炉中还原（以岩石形式可用的Sio 2的晶体形式）获得的。 MGS电子级硅（EGS）的是通过蒸馏过程获得的。 例如，本质上是多晶。 它由1 ppb的杂质组成。 （每10亿或10 9硅原子1不良杂质）。 2.1.2晶体生长仅允许PPB的命令（仅零件十亿）的杂质。2.1.1硅硅的纯化在自然界中大量可用于Sio 2（Sand）的形式，该形式形成了地壳的20％。冶金级硅（MGS）是通过在碳弧炉中还原（以岩石形式可用的Sio 2的晶体形式）获得的。是通过蒸馏过程获得的。例如，本质上是多晶。它由1 ppb的杂质组成。（每10亿或10 9硅原子1不良杂质）。2.1.2晶体生长
干细胞在肾脏再生中的作用在慢性疾病中的慢性疾病作用在慢性疾病中的作用
收到的原件：07/19/2024出版接受：08/09/2024 RudsonAntônioRibeiroOliveira Oliveira毕业于医学机构：国家高等教育研究所和研究生研究所Gervásiio（Inapós）地址：Pouso Alegre，Minas Gerais，Minas Gerais，Brazil email emersors email em jpa throud.pa not。医学上的德梅罗：国家高等教育与研究生教育研究所神父Gervásio（Inapós）地址：巴西米纳斯·格拉斯（Minas Gerais）Pouso Alegre，巴西，joandersonmelo@yahoo.com.br lays Martins rays Martins Ribeiro Oliveira Institation：巴西电子邮件：laysoliveira0606@gmail.com Lucas Gambogi Antunes医学和研究生学院毕业，以及高等教育学院和高等教育学院Gervásio神父（不适当）地址：Pouso Alegre，Minas Gera，Minas Gerais，Brazil e-Mail Email：lucasgambogi@yahahoahoo@yahoahoo@yahoahoocom.br
利用原位 X 射线衍射研究薄膜生长
摘要：我们报告了沉积在石墨烯上的 5,5′-双(萘-2-基)-2,2′-联噻吩 (NaT2) 薄膜的微观结构、形貌和生长，以掠入射 X 射线衍射 (GIXRD) 为特征，并辅以原子力显微镜 (AFM) 测量。NaT2 沉积在两种类型的石墨烯表面上：定制样品，其中我们将化学气相沉积 (CVD) 生长的石墨烯层转移到 Si/SiO 2 基底上，以及常见的商业转移 CVD 石墨烯到 Si/SiO 2 上。原始 Si/SiO 2 基底用作参考。NaT2 晶体结构和取向在很大程度上取决于下面的表面，分子主要位于石墨烯表面（面向取向），并在 Si/SiO 2 参考表面上几乎位于平面外（边缘取向）。生长后的 GIXRD 和 AFM 测量表明，晶体结构和晶粒形态会根据石墨烯表面是否有聚合物残留而有所不同。原位 GIXRD 测量表明，在沉积过程开始时，结晶边缘相的 (111) 反射强度的厚度依赖性不会与零相交，这表明在表面 - 薄膜界面处形成了对应于 1-2 个分子层的初始润湿层。相比之下，在整个沉积过程中，结晶正面相的 (111) 反射强度以恒定的速率作为薄膜厚度的函数增长。■ 简介
实验和模型
摘要：提出了一个分析子阈值摇摆（SS）模型，以观察当堆叠的SIO 2-中的FERROCTRIC结构用作无连接双门（JLDG）MOSFET的氧化物膜时，SS的变化。60 mV/dec的SS对于在保持晶体管性能的同时减少功率耗散至关重要。如果使用具有负电容（NC）效应的铁电材料，则可以将SS降低到60 mV/dec以下。使用2D电势分布，SS与从漏极电流和栅极之间的关系得出的SS相吻合。作为分析SS模型得出的结果，发现通过调节硅频道，SIO 2和铁电的厚度，也可以在15 nm通道长度下获得60 mV/dec的SS。，随着SIO 2的厚度的增加，SS根据铁电厚度的变化饱和，并且随着硅通道的厚度减小，几乎是恒定的。
利用硫-（TiO2/SiO2）蛋黄壳纳米结构提高锂硫电池性能
锂硫 (Li-S) 电池被视为近期下一代锂电池的有希望的候选材料之一。然而，这些电池也存在某些缺点，例如由于多硫化物的溶解导致充电和放电过程中容量衰减迅速。本文成功合成了硫/金属氧化物 (TiO 2 和 SiO 2 ) 蛋黄壳结构，并利用该结构来克服这一问题并提高硫阴极材料的电化学性能。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 技术对制备的材料进行了表征。结果表明，使用硫-SiO 2 和硫-TiO 2 蛋黄壳结构后电池性能显著提高。所得硫-TiO 2 电极具有较高的初始放电容量（>2000 mA h g −1 ），8 次充电/放电循环后的放电容量为 250 mA h g −1 ，库仑效率为 60% ，而硫-SiO 2 电极的初始放电容量低于硫-TiO 2 （>1000 mA h g −1 ）。硫-SiO 2 电极在 8 次充电/放电循环后的放电容量为 200 mA h g −1 ，库仑效率约为 70%。所得恒电流结果表明硫-TiO 2 电极具有更强的防止硫及其中间反应产物溶解到电解质中的能力。
薄膜siox，sioxny和sic ...
摘要。目标。确保可植入设备的寿命对于它们的临床实用性至关重要。这通常是通过密封在不可渗透的外壳中密封敏感的电子产品来实现的，但是，这种方法限制了微型化。另外，有机硅封装已显示出对植入的厚膜电子设备的长期保护。然而，当前的许多保形包装研究都集中在更刚性的涂层上，例如丙烯烯，液晶聚合物和新型无机层。在这里，我们考虑使用薄膜技术保护植入物的潜力，其特征是厚膜的33倍。方法。在血浆增强化学蒸气下沉积的钝化（Sio X，Sio X N Y，Sio X N Y + SIC）下的铝合作的梳子结构封装在医疗级硅硅酮中，共有六种钝化/硅酮组合。在连续的±5 V双相波形下，在67天的磷酸盐生理盐水中将样品在磷酸盐生理盐水中陈化多达694天。周期性的电化学阻抗光谱测量值监测了金属痕迹的泄漏电流和降解。使用傅里叶转换红外光谱，X射线光电光谱，聚焦离子束和扫描电子显微镜来确定任何封装材料变化。主要结果。在衰老过程中未观察到硅酮分层，钝化溶解或金属腐蚀。对于这些样品，唯一观察到的故障模式是开路线键。明显的能力。阻抗大于100gΩ，在铝轨道之间保持了硅胶封装和SIC钝化的封装。相比之下，Sio X的进行性水合导致其阻力减小数量级。这些结果表明，当与适当的无机薄膜结合使用时，有机硅封装对薄膜进行轨道的良好保护。该结论对应于先前的有机硅
通过TIO2和SIO2纳米颗粒对太阳PV细胞上抗反射涂层的比较分析
印度钦奈速度工程学院机械工程系摘要：如今，从非常规能源来收集能量是一种新兴方法。中，太阳能是一个重要的来源，因为它的丰富性，可持续性，多功能性，成本效益和适应性的技术进步。太阳能光伏（PV）细胞具有将太阳辐射转换为电能的能力。但是，由于这种方法固有的光子反射，转化效率大约下降了约30％。光子反射主要基于太阳能电池表面的光学特性和物理特性。为了解决此问题，使用自旋涂层技术使用TIO 2和SIO 2纳米颗粒的组合使用单层和双层抗反射（AR）表面。混合TIO 2 -SIO 2纳米颗粒是通过使用Sol -Gel过程从其前体得出的。采用XRD（X射线衍射）方法来确认TIO 2 -SIO 2纳米材料的化学阶段。已经对涂层的厚度和粗糙度如何影响用抗反射涂层处理的表面的光学特征进行了分析。形态学信息和化学元素浓度是通过FESEM和EDAX分析获得的。已经测量了水接触角，以确保AR表面的疏水性质。由于具有增强的光学特性，AR涂层样品的功率转换效率从17.11％起到18.44％，这是未涂层样品的效率。随后，使用紫外线可见光谱仪用于通过分析其光谱响应（包括反射率，吸光度和带隙能量特性）来检查抗反射涂层的功效。关键字：反射（AR）涂层，XRD，EDAX，FESEM，太阳PV细胞，Tio 2 -Sio 2。