15 Con Tomohito Sekiguchi 関口 智仁 基于 CPG 工程的控制创造出具有各向同性腿部布置的多足行星探测车的新型运动模式:推进 (Landon, Naoya)
作为领先的国防技术解决方案提供商,Arctos因与载人,无人驾驶,可选的人士和无人驾驶系统(UXS)的土地,空中,海洋或空间相关的所有研发机会而获得了Astro Research池。重点领域包括但不限于:先进的技术飞行员和试验;气候;新产品或过程开发;原型区块链;流程和产品增强/更新;数据科学;质量和信息保证;以及发展和关节测试,评估,验证和验证。
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编号组件描述1保护导体连接PE低抗性防护接地和工业PC 2电源的功能接地(X101)连接电源和工业PC 3状态的电源和外部接线,用于UPS-OCT,Power,Power,Power,Power,Mose Storage设备,TWINCAT 4 ETRENENT INTERTIC (X106-109) Connection of peripheral devices 6 DisplayPorts (X110, X111) Transmission of the video signal 7 Side cover Access to battery and storage media 8 Name plate Information on the equipment of the industrial PC 9 Mounting plate Plate for mounting the industrial PC over the narrow sides in the control cabinet 10a PCIe module slot 1 Slot for Beckhoff PCIe compact modules 10b PCIe module slot 2 Slot for Beckhoff PCIe紧凑型模块
为了对溶液中的卤化物钙钛矿加工产生详细的理解,在Mapbi 3对Mapbi 3的自旋涂层和插槽-DIE涂层中进行了不同的蒸发速率,以不同的蒸发速率进行了研究。基于光学参数的时间演变,发现两种处理方法最初都形成了溶剂 - 复合结构,然后是钙钛矿结晶。后者分为两个阶段进行自旋涂层,而对于插槽涂层,仅发生一个钙钛矿结晶阶段。对于两种处理方法,发现随着蒸发速率的增加,溶剂复合物结构的结晶动力学和钙钛矿结晶在相对时间尺度上保持恒定,而第二次钙钛矿结晶的持续时间在自旋涂层中增加。第二个钙钛矿结晶由于溶剂 - 复合相形态的差异而受到限制,钙钛矿形成了。工作强调了确切的前体状态特性对钙钛矿形成的重要性。进一步证明,多模式光学原位光谱的详细分析允许对卤化物钙钛矿溶液处理过程中发生的结晶过程进行基本了解,而与特定的处理方法无关。
然而,令人印象深刻的高 PCE 是使用氮气中不可升级的旋涂法从小面积电池(< 1 cm 2 )获得的。[1–3] 为了使 PSC 具有商业可行性,开发在环境空气中低成本大面积制造工艺势在必行。工业上可用于大面积涂覆的许多工艺,例如浸涂、刮刀涂覆和狭缝模涂覆等。其中,狭缝模涂覆是优选的,因为它可以精确控制涂层厚度和溶液使用量(即材料浪费最少)。[4–7] 狭缝模涂覆也适合用于连续工艺,这可以进一步降低制造成本。高性能 PSC 已经通过刮刀涂覆、狭缝模涂覆和喷涂等可扩展工艺制造出来。[8–14] 然而,大多数研究集中在受控环境下的钙钛矿层处理。关于在环境空气中操作的可扩展工艺的报道有限。 [15–18] 常用的 pin 型 PSC 结构包含通过溶液工艺沉积的四层,这四层包括空穴传输层 (HTL)、光吸收钙钛矿层、电子传输层 (ETL) 和功函数调节层 (WFL)。首先,为实现可扩展的工艺,每层加工过程中使用的所有溶剂都应无毒。[19–21] 然后,在每层的合适化学组成、溶剂类型、薄膜形貌控制、层间兼容性、每层的稳定性之间的平衡以拥有可行的环境空气处理系统在科学和工程方面都是相当具有挑战性的。PSC 每层的薄膜形貌和兼容性由每层的化学组成和工艺条件控制。对于钙钛矿层,薄膜形貌由溶剂蒸发和结晶的动力学速率决定。[22–23] 对于旋涂,大多数溶剂通过涂布机旋转和反溶剂滴落迅速去除。 [24] 但狭缝涂布的溶剂挥发速度低于旋涂。[17,25–26] 采用反溶剂浴、气体淬火和预热基片法等策略来增加溶剂挥发速度。[11,27–31] 虽然可以实现高PCE器件,但结果仅限于小面积基片。如果
学位课程 课程名称 空缺 B. TECH 001 计算机科学与工程技术学士空缺 - I B. TECH 002 信息技术技术学士空缺 - I B. TECH 003 电子与通信工程技术学士空缺 - I B. TECH 004 生物技术技术学士空缺 - I B. TECH 006 化学工程技术学士空缺 - I B. TECH 007 机械工程技术学士空缺 - I B. TECH 013 土木工程技术学士空缺 - I B. TECH 014 纺织技术技术学士空缺 - I B. TECH 016 电气工程技术学士空缺 - I B. TECH 018 皮革技术技术学士空缺 - I B. TECH 028 电气与电子工程技术学士空缺 - I B. TECH 031 生物医学工程技术学士空缺 - I B. TECH 032 汽车工程技术学士名额 - I B. TECH 034 食品技术技术学士名额 - I B. TECH 040 仪器仪表与控制工程技术学士名额 - I B. TECH 052 服装生产管理技术学士名额 - I B. TECH 053 电子与仪器仪表工程技术学士名额 - I B. TECH 054 土木与环境工程技术学士名额 - I
08:30注册和入住09:00欢迎和小组介绍博士博士。 W. Schabel / Dr.-ing。 P. Scharfer (KIT-TFT) 10:00 Rheology of coating fluids Prof. Dr. Norbert Willenbacher (KIT-MVM) 11:00 Coffee break 11:25 About coating, printing & fluids characterization Prof. Gilbert Gugler (iPrint, CH) 12:45 Lunch break 13:45 Coating & ink preparation for hydrogen applications Dr.-Ing. Benjamin Schmidt-Hansberg (BASF SE) 14:35 Premetered coating methods with highlights of slot and curtain coating - Part I Dr. Peter Schweizer (Schweizer Coating Consulting, CH) 15:20 Coffee break 15:45 Premetered coating methods with highlights of slot and curtain coating - Part II Dr. Peter Schweizer (Schweizer Coating Consulting, CH) 16:30 Fluid flow in H.博士博士涂层工具。 c。多。 franz durst(fau erlangen,em。)08:30注册和入住09:00欢迎和小组介绍博士博士。W. Schabel / Dr.-ing。P. Scharfer (KIT-TFT) 10:00 Rheology of coating fluids Prof. Dr. Norbert Willenbacher (KIT-MVM) 11:00 Coffee break 11:25 About coating, printing & fluids characterization Prof. Gilbert Gugler (iPrint, CH) 12:45 Lunch break 13:45 Coating & ink preparation for hydrogen applications Dr.-Ing.Benjamin Schmidt-Hansberg (BASF SE) 14:35 Premetered coating methods with highlights of slot and curtain coating - Part I Dr. Peter Schweizer (Schweizer Coating Consulting, CH) 15:20 Coffee break 15:45 Premetered coating methods with highlights of slot and curtain coating - Part II Dr. Peter Schweizer (Schweizer Coating Consulting, CH) 16:30 Fluid flow in H.博士博士涂层工具。 c。多。franz durst(fau erlangen,em。)
研究了两种气体(CO 2)和甲烷(CH 4)的两种气体中的中红外区域的检测,研究了不同的集成光子传感器。这三个研究的结构是基于Chalcogenide膜(CHG)或多孔也(PGE)和基于CHG的Slot波导的山脊波导。优化了波导尺寸,以在导向光和气体之间获得最高功率因数,同时保持在中红外波长范围内的单个模式传播。在CHG山脊波导的情况下,可实现的功率因数为1%,PGE-Ridge为45%,在CHG-Slot的情况下为58%。在λ=4.3μm处的二氧化碳的检测极低(LOD),甲烷在λ=7.7μm下的二氧化碳为0.1 ppm,由于中液范围内的较大的气体吸收系数,可获得CHG SLOT波引导的λ=7.7μm。对于多孔驻驻波导,还计算出低LOD值:CO 2在λ=4.3μm时为0.12 ppm,CH 4在λ=7.7μm处的Ch 4 ppm。这些结果表明,所提出的结构可以在环境和健康感测芯片上实现通用光谱检测所需的竞争性能。