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信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开

摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路