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利率快回来和对爱尔兰经济的影响
在本文中，我们探讨了最近利率提高对爱尔兰经济的影响，并使用2023-2025时期的方案列出了潜在的影响。我们使用爱尔兰经济的COSMO宏观经济学模型来测试信贷市场和实际经济的影响，并分别介绍了对消费者，公司和抵押贷款市场的影响。我们还使用家庭融资和消费调查（HFC）中的微观数据来测试对利率抵押贷款负担能力的影响。我们的Sce-Narios是从欧洲银行管理局（EBA）压力测试中得出的，这些压力测试为政策利率提供了基本和不利的结果。将这些与乌克兰战前战争基线进行了比较。我们发现对抵押贷款市场和房价的显着影响以及对关键宏观经济总体（例如投资，消费和产出）的显着影响。我们还观察到住房支付与收入比率的增加，但通过剩余收入方法衡量的抵押可承受能力差异没有大幅增加。
用于基于 qPCR 的基因编辑的 CRISPY™ Master Mix ...
我们使用 All-in-one Cas9 构建体编辑了 HEK293 细胞中的 DNA (胞嘧啶-5-)-甲基转移酶 3 beta (DNMT3B) 基因，从编辑后的细胞中分离基因组 DNA，然后使用标准 (黄色曲线) 和 snapback 引物 (红色曲线，图 2A) 进行 CRISPY 测定以量化编辑成功率。我们还对从未编辑的细胞中分离的 DNA 进行了 CRISPY 测定，同样使用标准 (黄色曲线) 和 Snapback 引物 (红色曲线，图 2B)。正如预期的那样，标准引物在编辑和未编辑的 DNA 中均提供了强大的扩增，然而 snapback 引物仅在从编辑细胞中分离的 DNA 中提供了明显的扩增。标准和 snapback 引物之间的 ΔCt 可直接测量编辑成功率，而熔解曲线形状之间的差异表明编辑的 DNA 中存在缺失 (图 2C，方框区域)。
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
卫星亚基因组颗粒是Adeno的关键调节剂...
摘要：从历史上看，腺相关病毒（AAV） - 缺陷干扰颗粒（DI）被称为异常病毒，由自然复制和封装误差引起。通过单个病毒粒子基因组分析，我们揭示了主要类别的DI颗粒在“快回背”配置中包含双链DNA基因组。5' - 反向基因组（SBG）包括P5启动子和部分REP基因序列。3'-sbgs包含衣壳区域。从理论上讲，5'-SBG的分子构构可能允许在其二聚体配置中双链RNA转录。我们的研究表明，5-SBG调节AAV REP表达并改善了AAV包装。相比之下，其二聚体配置处的3'-sbgs增加了帽蛋白的水平。5'-SBG和3'-SBG的产生和积累似乎是协调的，以平衡病毒基因表达水平。因此，5'-SBG和3'-SBG的功能可能有助于最大程度地提高AAV后代的产量。我们假设AAV病毒群体表现为菌落，并利用其亚基因组颗粒来克服病毒基因组的大小极限并编码其他基本功能。
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
佩泽什基安：我们将继续苏莱曼尼的道路
伊朗报纸1月13日在一篇报道中讨论了伊朗与伊朗核协议西方三方（英国、法国和德国）的新一轮谈判。报道说：“核谈判的准备工作与过去3年来的一系列事件息息相关，其中最主要的是地区局势发展、大国竞争和乌克兰战争。但在与这三个国家的谈判中，伊朗将试图阻止在2025年10月（伊朗核协议到期时）之前启动快速恢复机制。伊朗还试图影响欧洲，阻止国际原子能机构理事会通过针对伊朗核计划的决议。”伊朗似乎正试图规划一种新的与西方的关系模式，这种模式源于对当前现实的理解。伊朗外长最近对中国的访问以及佩泽什基扬即将与普京会晤，都向美国政府传递了这样的信息：伊朗对美国的这些全球竞争对手具有重要意义，可以通过更多的经济和安全联系在谈判中提高这种重要性。
将电视模型应用于各种电视设备的种子模拟
摘要 - 瞬态电压抑制（TVS）设备的准确模型对于确定静电放电（ESD）保护策略的适用性很重要。在以下论文中使用了改进的电视型号，以代表各种电视设备，包括快照设备，非击打设备和变种器。这些模型包括表示电导率调制的最新改进和电视设备瞬态响应的整体形状。使用传输线脉冲（TLP）根据这些保护设备的特征来调整模型，然后将其用于系统有效的ESD设计（种子）模拟中，以预测由芯片电视组成的系统中的瞬态电压和电流，该系统，由IC具有IC具有芯片ESD保护的IC，以及中间的PCB痕迹。模拟瞬态电压和电流波形在测试电视设备和种子模拟中测试电视设备时都非常匹配测量值。通过电视和片上二极管的峰值和准静脉电流通常在测试的设备中捕获约10％或以下，同时改变了注射的TLP的上升时间和水平。
增强型门控二极管触发可控硅整流器...
随着集成电路规模的不断缩小，静电放电 (ESD) 已成为影响集成电路可靠性的关键因素。[1] 目前，超过三分之一的芯片损坏与 ESD 有关，迫切需要可靠有效的 ESD 防护设计。ESD 防护设计存在许多难点，例如在期望高稳健性和小尺寸的同时满足设计窗口。传统的 ESD 防护器件例如 GGNMOS、二极管、NPN 和 RC 电源钳位通常占用大量的芯片面积。[2] 为了减轻集成电路中每个 I/O 引脚的 ESD 防护对硅片的消耗，可控硅 (SCR) 因其最高的稳健性和最小的尺寸成为各种 ESD 防护器件中最具吸引力的选择。[3] 然而，SCR 固有的再生反馈机制会导致深度回跳和相对较小的保持电压，造成闩锁效应。 [4] 另外，随着保持电压的提高，ESD器件的瞬态功耗必然增大，导致ESD故障电流（It2）急剧下降。因此，在保持足够高的故障电流的同时提高保持电压是极其困难的。人们致力于提高SCR的保持电压。[5-8] 最简单的方案是扩大SCR阳极和阴极之间的距离，[5] 但这种方法效率低，不足以实现闩锁效应。
美国空军飞机事故...
执行摘要 飞机事故调查 F-16CM，T/N 88-0510 意大利切尔维亚附近 2013 年 1 月 28 日 2013 年 1 月 28 日，当地时间 (L) 大约 19:03，一架 F-16CM，尾号 88-0510，隶属于意大利阿维亚诺空军基地 (AAB) 第 31 战斗机联队第 510 战斗机中队，作为三架 F-16CM 和一架 F-16DM 飞机编队的一部分离开 AAB，执行夜间训练任务。飞行员使用了夜视镜 (NVG)。事故发生前，由于空域天气阻碍了他们完成主要任务，事故飞行员 (MP) 和事故僚机 (MW) 协调了两次模拟炸弹袭击作为备用任务。第一次袭击没有包括任何模拟防御威胁反应，没有发生任何事件。在 1948L，起飞后约 45 分钟，MP 执行了威胁反应，最终进行了“最后一搏”防御机动。这发生在第二次袭击后的撤离过程中，最初导致事故飞机 (MA) 进入 45 度机头低、90 度左翼向下的姿态。大约 12 秒后，MP 表示他迷失了方向。在 MW 的提示下切换到内部飞机仪表，MP 尝试了恢复机动。执行“最后一搏”机动和后续恢复机动导致飞机内部声音警告和警示灯亮起，飞机外部所有文化照明提示和可辨别地平线消失，飞机姿态异常，导致下降率和空速过高。宪兵在空间上迷失方向，以至于他认为无法恢复 MA。大约在 19:49:24L，宪兵启动弹射。宪兵在弹射过程中遭受致命的头部和颈部创伤。MA 在亚得里亚海坠毁，距离弹射地点约四英里。MA 及其相关财产的损失价值 28,396,157.42 美元。没有对政府或私人财产造成其他损害。事故调查委员会主席通过明确和令人信服的证据发现，事故原因是 MP 未能有效从空间定向障碍中恢复，这是由于天气条件、MP 使用夜视镜、MA 的姿态和高速度以及 MP 视觉扫描故障等多种因素造成的。这导致 MP 误判了紧急弹射的需要。委员会主席还通过明确和令人信服的证据发现，在高速弹射时宪兵的头盔立即脱落、弹射座椅安全带松弛、弹射座椅离开 MA 时向左偏航，以及弹射座椅的减速伞展开后 40 倍重力回弹，导致了宪兵的受伤，并很快导致其死亡。