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10T SRAM 存储器单元的设计
1. 简介 当今社会，微电子技术被广泛应用于各种设备中。电子设备在世界范围内的快速普及，促使人们开始审视新技术，尤其是存储器。存储器越来越多地用于生物、无线和可实现设备中。存储器的各个部分在现代 VLSI 系统中组织起来。半导体存储器是 VLSI 架构不可或缺的一部分。RAM（随机存取存储器）有两种形式：SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）[2]。动态一词表示理想存储电容器的电荷必须定期刷新，这就是 DRAM 很少使用的原因。为了提高稳定性和功耗，已经提出了许多SRAM单元设计，但传统的6T单元仍然提供了尺寸和性能的良好平衡，因为传统的6T单元具有非常紧凑和简单的结构，但是其操作电压最小并且受到相互冲突的读写稳定性要求的限制，因此它不用于超低电压操作。有几种针对存储器单元的设计提案以提高速度和功率，其中一种技术专注于提高SNM的低功耗（其他存储器配置（7T，8T，9T）各有优缺点）[1]。六个MOSFET组成一个典型的SRAM单元。四个晶体管（PM0，PM1，NM0和NM1）存储一位并形成两个交叉耦合的反相器。有两种稳定状态，用数字 0 和 1 表示。传统的 6T 单元很简单，但在低压下稳定性较差，因此我们努力通过各种方法提高其读写稳定性，例如双轨电源、负位线、带动态反馈管理的单位线等。然而，为了正常运行，6T SRAM 的
第三章 人员安全
联邦雇员和承包商标准 • 能源部第 206.2 号命令，身份、证书和访问管理 (ICAM) • 美国人事管理办公室备忘录，日期为 2008 年 7 月 31 日，来自 Linda M. Springer，主题：根据 HSPD-12 签发个人身份验证卡的最终认证标准 • 美国人事管理办公室备忘录，日期为 2020 年 12 月 15 日，标题为根据 HSPD-12 签发个人身份验证卡的认证标准程序和暂停或撤销个人身份验证证书资格的新要求 • 《联邦法规》第 10 章，第 707 部分 • 《联邦法规》第 10 章，第 710 部分 • 《联邦法规》第 48 章，第 952.204-2 部分 • 《安全执行代理指令》 (SEAD) 4，国家安全裁决指导方针 • SEAD 7，背景调查和国家安全裁决的互惠性 • DOE 命令 470.4B，保障和安全计划 • DOE 命令 472.2A，人员安全 • DOE 命令 475.1，反情报计划 DOE 总部人员安全计划旨在确保有权访问机密信息和特殊核材料 (SNM) 的 DOE 总部个人不会对国家安全利益构成威胁。此保证由颁发初始和持续访问授权（安全许可）的流程提供，旨在确保只有符合规定的诚实、可靠和可信的联邦标准的人员才允许此类访问。整个能源部共有 7 个认知人员安全办公室 (CPSO) 处理安全许可相关事宜：(1) 总部、(2) 爱达荷州、(3) 海军反应堆、(4) 国家核安全局 (NNSA) 阿尔伯克基综合设施、(5) 里奇兰、(6) 萨凡纳河和 (7) 科学综合服务中心。总部的 CPSO 是总部人员安全行动办公室 (EHSS-43) 中的环境、健康、安全和安全办公室。本章中的信息仅适用于由 EHSS-43 处理和批准的安全许可申请以及由 EHSS-74 处理和批准的 HSPD-12 申请。它不适用于能源部联邦或位于总部设施的承包商员工，这些员工的安全许可正在由另一个 CPSO 处理或已获得批准。