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允许高堆叠。允许高堆叠。
张量凝胶技术提供了增加的可用容量，并减少了充电所需的时间。此外，张量凝胶细胞最大程度地减少了细胞内部的热量演化，从而提高了电池的效率和使用寿命。张量凝胶电池的无填充 /无溢流意味着不需要浇水。及其较大的内部表面积，机会充电也是可能的。在两班应用中也可以用作替换或替代标准电池的替代品。结果是一种多功能维护的电池技术，设定了阀门受铅酸电池的新标准。
下一步的结构DNA纳米技术...
核碱基。6尽管从那时起，众多CT状态的示例已在不同的修饰和DNA的天然形式中得到了证实，但控制此过程效率的关键因素仍然是晦涩的。因此，对能够执行效果紫外线诱导的电荷转移的DNA序列的预测仍然是一个挑战。在不同的过程中，可以通过DNA中的电荷分离触发的不同过程，环丁烷嘧啶二聚体（CPD）的自我修复最近引起了很大的关注。15,16 CPD是DNA暴露于紫外线的最常形成的光子，其最具特征性的结构元素是在两个相邻的嘧啶碱基之间形成的环丁烷环。17 - 21形成该环丁烷环的形成影响糖 - 磷酸骨架的结构，并排除了生化活性，例如DNA复制和转换。21,22在生物学中，CPD修复酶，例如光酶，通过从avin腺嘌呤co因子注入电子，修复病变，从而吸收可见光。23 - 27类似地，表明特定的c dNA序列或替代核碱基通过光诱导的电子转移触发非酶DNA自修复。16,28 - 30最突出的DNA自我修复例子被证明了代表CPD的损坏的GAT] T序列（“]”），以及位于CPDS的附属物中的2,6-二氨基嘌呤（D）和8-氧气胰蛋白酶（d）和8-氧气（O）核苷酸酶。尤其是31,32，描述了GAT] T序列是在其光激发时从鸟嘌呤转移的顺序电子转移。3133 - 35换句话说，非酶DNA自我修复的产率是表现出有效的光诱导电荷分离如何在特定的C DNA序列中发生的，以及CT状态的寿命是否很长以使光化学反应很长。值得强调的是，CPD的高度有效的自我修复大大提高了特定序列的光稳定性，并被认为是从丰富的随机序列库中的原始RNA和DNA寡聚物的可能选择因子。1,15,36,37更重要的是，已经提出了紫外线作为核苷酸选择性益生元合成的关键能源之一。38 - 46这导致上述D和O核碱基作为与规范核酶相比，由于其改善的电子含量和CPD更换特性，因此将上述D和O核酶视为第一个信息聚合物的潜在组成部分。尤其是31,32,47，含有D核苷酸酶和T] T二聚体的DNA三核苷酸显示可修复CPD，当在280 nm处受照射时，产量达到92％，因此，D可以保护DNA在预防性的情况下将DNA低聚物保护在光电座上。
模拟电池电池中的堆叠过程...
过去的堆叠过程是由研究设施开发的，请参见[4-7]。影响所有机械的重要参数是实现的堆叠精度。在文献中，提到了+/- 0.2 mm和+/- 0.5 mm之间的值[8]。Weinmann详细检查了堆叠过程及其相互作用，并将它们构成个人问题[9]。详细考虑了子系统的材料指导，分离，处理，对齐，连接和固定的材料[9]。通过FE模拟模型研究了材料指导[9]。在Husseini等人中可以找到进一步的材料指导方法。[10]。Mayer＆Fleischer提出了模拟堆叠过程和所得堆叠精度的第一个FE模型[2]。在仿真模型中，电极抓地过程和
扭曲石墨烯三叶草中的局部原子堆叠和对称性
图1：所选接口的干涉4D-STEM暗场成像。（a）4D-STEM方法的示意图，其中光束干扰用于提取堆叠顺序。（b）示意图说明了用于标记石墨烯三层的扭曲角，θ和层编号约定。（c）在扭曲的三层Moir'ES中实现的各种高对称堆叠配置的插图。（d，e）具有θ13≈0°（d）和θ13= 0的三角形的平均收敛束电子衍射图。22◦（e）。插图中突出显示了重叠的ttlg bragg磁盘。每个bragg磁盘归因于一层，在SI第6节中进行了主动。（f，h）虚拟暗场图像对应于1＆3的重叠。（g，i）与所有三层重叠相对应的虚拟暗场图像。比例尺分别为1 nm -1和25 nm（d，e）和真实空间（F – i）。
扭曲石墨烯三叶草中的局部原子堆叠和对称性
1美国加利福尼亚大学伯克利分校，美国加利福尼亚州94720，美国2 SLAC国家加速器实验室，美国加利福尼亚州斯坦福大学，美国3国际材料纳米结构中心，国家材料科学研究所，1-1 namiki，namiki，tsukuba，tsukuba，tsukuba 305-0044，日本305-0044，日本40.材料材料，国立材料，0044.日本5分子铸造，劳伦斯·伯克利国家实验室，伯克利，加利福尼亚州94720，美国6材料科学司，劳伦斯·伯克利国家实验室，加利福尼亚州伯克利，加利福尼亚州94720，美国7化学科学司，劳伦斯·伯克利国家实验室，加利福尼亚州伯克利，加利福尼亚州伯克利，加利福尼亚州94720，美国 *
用于垂直堆叠 R/G/B 微型 LED 像素的先进外延
异质集成中一种突出的方法是基于转移的组装，其涉及去除由不同批次和工序制成的外延层。[5] 但这种方法在高密度器件集成方面面临障碍。首先，传统的外延生长将外延层器件紧密结合到基板上。分离它们通常需要高功率激光或化学蚀刻剂，这可能会损坏基板和外延层。这种风险限制了器件性能和产量。[6] 此外，在转移和组装阶段，必须将不同的功能器件分割成微小的芯片。这对于将它们准确转移和组装到高密度器件阵列的目标表面或基板上至关重要。在这个芯片键合过程中，即使是轻微的错位也会破坏器件与其底层电路之间的连接。这些困难不仅会增加微型和微型发光二极管 (μLED) 显示器等产品的生产成本，而且在制造高密度垂直堆叠器件时也带来了重大挑战。这种复杂性对于生产高分辨率显示器尤其重要，例如增强现实（AR）或元宇宙设备以及异质集成电子产品中使用的显示器。
体积变化和堆叠压力对固态电池阴极的影响
不稳定性发生在固态复合阴极（SSC）中，该阴极（SSC）由阴极活性材料（CAM），SE和通常碳添加剂的颗粒混合物组成。氧化物和硫化物是SE的两个最精心研究的群体。氧化物类型的SE具有优势，包括高机械强度，高温耐受性，对空气和溶剂的稳定性以及广泛的电化学稳定窗口。11然而，基于氧化物的刚性SE不能在没有高温烧结的情况下在颗粒和晶粒之间形成良好的联系。高温烧结将导致CAM和氧化物之间的不希望的元素分化。12–14因此，在大多数类型的阴极中形成直接的阴极/氧化物部分接触是具有挑战性的。不同于氧化物，基于硫化物的SE具有高离子电导率和低/中等温度下的可变形性，希望将电极处理到高，接近理论密度。15–20然而，硫化物易于在CAM（例如Li（Ni X Co Y Mn 1-X-Y）O 2和Li（Ni X Co Y Al 1-X-Y）O 2）的工作势下氧化。21–23即使凸轮颗粒涂有保护层（例如，氧化物），这些保护层部分钝化了表面，例如电子渗透所需的碳添加剂，例如碳纳米诺纤维（CNF），也可能在氧化硫化物电解质中发挥作用。24,25在两种情况下，持续的化学相互作用都破坏了保留的能力和可环性。 26–30凸轮颗粒本身的破裂也可能发生。 每个凸轮都合并24,25在两种情况下，持续的化学相互作用都破坏了保留的能力和可环性。26–30凸轮颗粒本身的破裂也可能发生。每个凸轮都合并从机械上讲，在诱导的插入/提取时，li-ion插入/提取的循环体积变化会导致硫化物SE，CNF和CAM之间的突然或进行性接触损失，从而导致无能力失效和不可逆转的能力损失。31–34为了减轻某些机械效应（以及由于亚最佳电极制备引起的持续孔隙率），细胞可能会在循环测试期间受到超过50 MPa的一层堆栈压力。然而，实践应用需要较低的堆栈压力，例如在电动汽车中，35,36，并且压力过大可能会加速凸轮的损坏并导致LI金属电极的变形。鉴于SSC容量褪色机制的这种复杂性和相互作用，机械降解与化学和电化学侧反应的分离对于阐明发生的各种过程并寻找相应策略至关重要。在这里，我们研究了CAM体积变化和堆叠压力对SSC容量衰减的影响。两种具有相同电压窗口的活性材料，但循环过程中的不同体积变化是Chos的，包括Li 4 Ti 5 O 12（LTO），具有可忽略不计的volume变化和α-NB 2 O 5，其中4％的LI Intercalation in Intercalation 37,38比较了内在的伏特 - UME对已保留能力变化的影响。
Avstack：一个开源，可重新配置的自动驾驶汽车开发平台
自动驾驶汽车（AV）的先驱承诺将彻底改变驾驶体验和驾驶安全性。但是，AV中的里程碑的实现比预测慢。罪魁祸首包括（1）所提出的最先进的AV组件缺乏可验证性，以及（2）进行下一级评估的停滞，例如车辆到基础设施（V2I）和多主体协作。部分地，进展受到了：AV中的大量软件，摩尔群体不同的约定，跨数据集和模拟器进行测试的难度以及先进的AV Components的僵化性。为了应对这些挑战，我们提出了Avstack 1，2，一个开源，可重新配置的AV设计，实施，测试和分析的软件平台。Avstack通过在数据集和基于物理的模拟器上启用首个贸易研究来解决验证问题。avstack将停滞问题作为一个可重构的AV平台，建立在高级编程语言中的数十个开源AV Component上。我们通过在多个基准数据集中的纵向测试和V2I合作案例研究中证明了Avstack的力量，这些案例研究探讨了设计多传感器，多试剂算法的权衡。
植物和病原体基因组学：小麦秆锈病抗性基因组合的基本方法
目前，抗病基因的部署是最经济、最环保的农作物保护方法。然而，由于病原体的不断进化，抗病基因可能会迅速失效，尤其是当它们被单独部署时。因此，多基因抗性被认为是最持久的，但通过育种将这些基因组合起来并维持起来是一个费力的过程，因为有效基因通常是不相连的。部署具有单基因座遗传的多基因抗性是一项有前途的创新，它克服了这些困难，同时提高了抗性的持久性。由于基因组技术的重大进步，越来越多的植物抗性基因被克隆，从而能够开发抗性转基因堆栈 (RTGS)，这些抗性基因都位于单个基因座上。目前，转基因小麦中已经开发出编码五种秆锈病抗性基因的基因堆栈，既提供了育种的简单性，又提供了潜在的抗性持久性。在植物病原体中开发类似的基因组资源，促进了效应基因的分离，在某些情况下，还能够验证 RTGS 中单个抗性基因的功能。这里以小麦秆锈病病原系统为例，说明宿主和病原体基因组学的进步如何有助于 RTGS 的发展，RTGS 是一种适用于许多其他农作物物种的策略。
![b'show电子特性，从半导体到超导。 [4]分层TMDC的整体结构由堆叠的X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X三明治组成，这些三明治通过Van der waals的相互作用将其固定在一起。 [5,6]由于与内部的共价键相比，层间相互作用的弱性，因此可以在相对容易的方式中分离出单个X \ Xe2 \ X80 \ x80 \ x93m \ x93m \ x93m \ x93m \ x80 \ x80 \ x93x平板（也称为单层或单层）。主要多型型为1T，2H和3R，其中字母数字代码指示X \ XE2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X每单位单元格的X93X三明治加上结构对称性（H = Hexagonal，t = totragonal，t = totragonal，r = Rhombohedral）。 [5] MOS 2是具有低毒性的分层TMDC的原型示例。 [7] 2H（或单层的特定情况下1H）和1T作为MOS 2的最探索类型。 2H MOS 2具有三角棱柱结构，在热力学上是稳定的，可以在自然界中作为钼矿物矿物质。 [8]当大量2H MOS 2缩小到1H单层时，它会从'](/simg/7/7b39bb38fc7f601938f1f2aa929c33981b3cd7fe.webp)
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b'show电子特性，从半导体到超导。[4]分层TMDC的整体结构由堆叠的X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X93X三明治组成，这些三明治通过van der waals相互作用将其固定在一起。[5,6]由于与内部的共价键相比，层间相互作用的弱点，因此单个X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X平板（也称为单层或单层）可以在相关的方式中隔离。主多型型为1T，2H和3R，其中字母数字代码指示X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X三明治每单位单元单元格以及结构对称性（H = H = Hexagonal，T = Totragonal，R = Totragonal，R = Rhombohed）。[5] MOS 2是层状TMDC低毒性的典型示例。[7] 2H（或单层特定情况下的1H）和1T是MOS 2的最探索类型。2H MOS 2具有三角骨结构，在热力学上是稳定的，可以在自然界中作为钼矿物矿物质。[8]当散装2H MOS 2缩小到1H单层时，它会从'