XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemstacked
Altech - Cerenergy®提议的电池规格
Altech GridPack已经过设计，以确保完全保护灰尘和任何外部环境。这意味着不需要任何其他避难所或建筑物来容纳Altech Gridpack电池，并且在任何天气条件下都可以安全地安装在户外。Altech Gridpacks将使用海容器设计来构建，这有助于他们沿着海上或道路运输到安装地点，并确保简单的安装。与市场上的其他巨型电池组设计不同，这些烤架可以彼此堆叠。堆叠式包装的能力可以最大程度地减少电池足迹，并允许易于可扩展性满足任何储能要求。可堆叠的功能，再加上“插头”设计，使烤箱成为BESS解决方案满足任何未来能源存储
学习临时机器人网络的最佳拓扑
在本文中，我们合成了一种数据驱动的方法来预测临时机器人网络的最佳拓扑。此问题从技术上讲是一个多任务分类问题。但是，我们将其分为一类可以更有效解决的多类分类问题。为此，我们首先创建了一种算法，以创建与机器人网络各种配置相关的地面真实最佳拓扑。该算法结合了我们的学习模型成功地学习的复杂最佳标准集合。此模型是一个堆叠的集合，其输出是特定机器人的拓扑预测。每个堆叠的集合实例构成了三个低级估计器，它们的输出将通过高级增强搅拌器汇总。将我们的模型应用于10个机器人网络，在预测与引用网络各种配置的最佳拓扑的预测中显示了超过80％的精度。
紧张的Moiré晶格中的半经典量化条件
近几十年来，科学家掌握了由单个原子或分子层组成的二维晶体的创建。当这些晶体被轻微的偏移或旋转堆叠时，它们会产生大规模的干扰模式，称为Moiré模式。在这样的莫伊尔材料中，电子状态与莫伊尔图案的周期性一致，而不是原始晶体的周期性，对材料的电子特性产生了深远的影响。扭曲的双层石墨烯（TBG），其中两层石墨烯略有扭曲，是这种现象的主要例子。石墨烯是一种二维晶体，该晶体由排列在蜂蜜梳子晶格中的单层碳原子形成。当以特定的扭曲角度堆叠（称为魔法角度）时，TBG具有显着的特性，包括非常规超导性和低能量处的电子带结构的区别。Tarnopolsky，Kruchkov和Vishwanath [TKV19]引入了TBG的手性连续体模型，该模型通过精确地展示了Bloch-Floquet乐队，从而捕捉了TBG魔法角度的这种基本性质。在[bewz21，bewz22]中显示，由于扭曲角度非常小，几乎每个接近零能量的频段基本上都是为此模型的。在本文中，我们研究了Timmel和Mele [TM20]引入的上述手性模型的类似物，其中Moiré-type结构通过应用物理菌株在一个维度中占据一维。虽然此模型确实
2024-2025 年访问计划
计划可以叠加，以满足您所需的学生覆盖范围和功能组合。订阅计划中未包含的功能可以单独添加。以下价格适用于 2024 年 9 月至 2025 年 8 月的计划期限。
先进封装技术助力人工智能硬件的未来
• 混合粘合尺寸：~13 x 29 毫米（0.45x 掩模版） • 顶部的逻辑芯片可改善散热效果 • N5 XCD/CCD 堆叠在 N6 基片（IOD）上 • 垂直带宽高达 17TB/s
大型芯片耐用性 - 在人工智能和高性能计算中
先进封装平台种类繁多，包括扇出型晶圆级封装/2.5-D、3D 堆叠封装和片上系统 (SoC)。多种 AI 和 HPC 技术利用高密度扇出型 HD-FO（或超高密度扇出型）/2.5-D 和 3D 技术，而用于服务器、网络、游戏和边缘设备的其他计算应用可能使用倒装芯片 BGA (FCBGA) 设计。下一代 HD-FO/2.5-D 封装通常具有相当大的占用空间，可集成非常大的芯片。世界顶尖半导体公司开发了许多此类设计的示例，例如 CoWoS ® 和 I-Cube ®。虽然方法和架构各不相同，但这些技术通常集成大型中介层芯片/重分布层 (RDL)，其他芯片（逻辑、计算和堆叠高带宽存储器）集成在其上。结果就是封装体相当大，使得处理和保护变得更具挑战性。
在古兰经和
摘要：在本文中，全系统地研究了批量SI底物上垂直堆叠的水平栅极全面（GAA）Si Nanosheet（NS）晶体管的优化。首先优化了NS通道的释放过程以实现均匀的设备结构。对于具有不同GESI厚度（5 nm，10 nm和20 nm）或退火温度（≤900°C）的GESI/SI堆栈样品，GESI/SI堆栈样品的GESI与Si层的选择性湿法超过100：1。此外，通过实验和仿真仔细研究了地下平面（GP）掺杂对改善设备电气特性的影响。随着GP掺杂剂量的增加，N型设备的子阈值特征得到了极大的改善。然而，最初改善了P型设备，然后随着GP掺杂剂量的增加而恶化，它们证明了最佳的电气特性，GP掺杂浓度约为1×10 18 cm -3，这也通过技术计算机辅助设计（TCAD）模拟结果证实。最后，首先在散装基板上制造了4个具有6 nm厚度和宽度30 nm的GAA SI NS通道，并且堆叠的GAA SI NS设备的性能达到了较大的I ON/I ON/I OFF率（3.15×10 5）（3.15×10 5）和SubThreshrold Swings Swings（Subthresshord Swings（ss ss s）（ss s）（71）（71）（71）（71）（71）和较小的值。通过优化寄生通道和装置结构的抑制，漏排水引起的屏障降低（DIBL S）（9（n）/22（p）mV/v）。