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在非均匀紧张的单层石墨烯
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![arxiv：2403.02453v1 [cond-mat.supr-con] 4月4日2024年3月](/simg/g:\will\search\icon\source\9\9936b13e7c4da002736152bcc73c1c4bfc5f9bd2.webp)
arxiv：2403.02453v1 [cond-mat.supr-con] 4月4日2024年3月
摘要。多次超导体是对非常规超导性的全面理解的主要挑战之一。在这里，将多频率特征分别研究为轨道和司文的自由度，因为它们对超导和磁性或电荷顺序具有不同的效果。我们建立在矩阵随机相近似（RPA）的框架上，该矩阵近似（RPA）是RPA Feynman图和顶点校正的，以在异地退化Hubbard模型中处理电子电子相互作用。结果，没有sublattice自由度的系统倾向于主导自旋波动，而具有多个sublattice位点和轨道的系统则有利于电荷波动。最后，我们明确地证明了通过有限Q配对来抵消了零动量转移Q的自旋波动对超导配对强度λ的已知抑制，这总是改善λ。
固定在金纳米颗粒上对核酸检测的DNA密度的影响
开发SSB用于室温操作。5，其中，锂离子导电argyrodites li 6 ps 5 x（x = cl，br，i）经过了广泛的研究，由于其高离子电导率，它们的电力稳定性和加工性，引起了极大的关注。6–8 Li 6 PS 5 Br的电导率可以合成控制，如Gautam等人所证明的那样。 表明，可以通过从不同退火温度中淬火6 ps 5 br来获得不同的Br /S 2位点疾病（因此不同的离子电导率）。 9，该疾病被认为将电荷不均匀性引入阴离子sublattice（疾病越高，电荷不均匀性越大 - 导致跨不同晶体学LI + 的锂离子密度越扩散（或扩散）较高（或扩散）。6–8 Li 6 PS 5 Br的电导率可以合成控制，如Gautam等人所证明的那样。表明，可以通过从不同退火温度中淬火6 ps 5 br来获得不同的Br /S 2位点疾病（因此不同的离子电导率）。9，该疾病被认为将电荷不均匀性引入阴离子sublattice（疾病越高，电荷不均匀性越大 - 导致跨不同晶体学LI +
合成，疾病和伊斯兰各向异性在新的自旋液体候选prmgal11O19
随着温度的降低，旋转sublattice冻结的倾向，尤其是在固定中心的缺陷和/或无序周围。例如，在YBMGGAO 4的三角形拉力中，非磁离子Mg和GA之间存在位点障碍会诱导自旋玻璃行为[2]。然而，混乱并不总是对QSL状态有害。对pyrochlore氧化物[3，4]和1 T -TAS 2 [5]的研究表明，淬灭的疾病没有竞争，而是与挫败感诱发强量子逆转的合作，并可能引起新兴的旋转疾病，导致无间隙激发负责。从实验的角度来看，QSL状态不会打破任何对称性，从而使使用单个技术识别识别[6]。非弹性中子散射的作用
Tadashi Furuhara Web of Science 研究员 ID
【主要发表论文】 [1] T. Furuhara，Y.-J. Zhang，M. Sato，G. Mimamoto，M. Enoki，H. Ohtani，T. Uesugi，H. Numakura：“高强度钢的亚晶格合金设计-间隙和替代溶质纳米级聚集的应用-”，Scripta Materialia，223(2023)，115063 [2] T. Furuhara，Y.-J. Zhang，G. Miyamoto：“转变界面在先进高强度钢设计中的作用”，IOP会议系列：材料科学与工程，580(2019)，012005。 [3] X.-G.张，G. Miyamoto，Y. Toji，S. Nambu，T. Koseki，T. Furuhara：“Fe-2Mn-1.5Si-0.3C合金中马氏体回复奥氏体的取向”，材料学报，144（2018），601-612。
量子格枚举的具体分析？
摘要：格约化算法（例如 BKZ（Block-Korkine-Zolotarev））在评估基于格的密码学的安全性方面起着核心作用。BKZ 中用于查找投影子格中最短向量的子程序可以用枚举算法实例化。枚举过程可以看作是在某些枚举树上的深度优先搜索，枚举树的节点表示系数的部分分配，对应于格点，即格基与系数的线性组合。这项工作基于 Montanaro 的量子树回溯算法，对量子格枚举的成本进行了具体的分析。更准确地说，我们在量子电路模型中给出了具体的实现。我们还展示了如何通过并行化组件来优化电路深度。基于设计的电路，我们讨论了格枚举所需的具体量子资源估计。
从二维拓扑绝缘体设计角态
我们从理论上证明了通过施加平面塞曼场可以在二维 Z 2 拓扑绝缘体中实现具有稳健角态的二阶拓扑绝缘体。塞曼场破坏了时间反演对称性，从而破坏了 Z 2 拓扑相。然而，它尊重一些晶体对称性，因此可以保护高阶拓扑相。以 Kane-Mele 模型为具体例子，我们发现沿锯齿边界的自旋螺旋边缘态被塞曼场隔开，而在两个锯齿边缘的交叉点处出现了带隙内角态，该角态与场的方向无关。我们进一步表明，角态对平面外塞曼场、交错亚晶格势、Rashba 自旋轨道耦合和蜂窝晶格的屈曲具有稳健性，使它们在实验上可行。在著名的 Bernevig-Hughes-Zhang 模型中也可以发现类似的行为。
通过非接触式原子力显微镜
分子氧与半导体氧化物表面的相互作用在许多技术中起着关键作用。这个主题很难通过实验和理论来实现，这主要是由于多种施加电荷状态，吸附氧气的吸附构和反应通道。在这里，我们使用非接触原子力显微镜（AFM）和密度功能性the-Ory（DFT）的组合来解决金红石TIO 2（110）表面上的吸附O 2，这在金属氧化物的表面化学中提出了长期的挑战。我们表明，通过氧气量终止的化学惰性AFM尖端可以很好地解决吸附物种和底物的氧气sublattice。吸附的O 2分子可以从表面接受一个或两个电子极性，形成超氧或过氧物种。在与应用相关的任何条件下，过氧状态是最优选的。非侵入成像的可能性使我们能够解释与尖端注入电子/孔注入相关的行为，与紫外光的相互作用以及热退火的效果。
在kagome晶格上的电子电子和电子 - phonon介导的配对之间的交叉
我们研究了霍尔斯坦扩展哈伯德模型的电子电子和电子 - phonon介导的配对，并在范霍夫填充物附近的kagome晶格上进行，我们研究了它们对电子配对状态的综合作用。我们发现，它们的组合可以在跨界区域促进异国情调的配对，在该区域中，填充物接近Van Hove的奇异性。尤其是在P型Van Hove填充时，E 1 U（P -Wave）和B 2 U（F Y 3 - 3 - 3 - 3 YX 2 -Wave）配对变得领先，在M -type van Hove flling，E 1 U和A 2 g（I -Wave）配对中得到了促进。此外，我们表明，由于费米表面的sublattice质地，电子 - 光子相互作用获得了显着的动量依赖性，从而可以促进非S波配对。我们对这些配对倾向进行了详细的分析，并讨论了对基于钒的Kagome超导体A V 3 SB 5的含义。
![arxiv：2408.08835v1 [cond-mat.str-el] 2024年8月16日](/simg/g:\will\search\icon\source\1\1f40da94b4a280e1c160e8f2cbcc7013661b107d.webp)
arxiv：2408.08835v1 [cond-mat.str-el] 2024年8月16日
altermagnets（AMS）是一类新的磁性材料，结合了铁磁体和抗铁磁铁的受益旋转特性，最近引起了极大的关注。在这里，我们已经确定了分层的插入过渡金属二苯甲管中的altermagnetism，conb 4 se 8，它用NBSE 2层之间的插入式CO原子的有序sublattice结晶。单晶合成，并使用单晶衍射和扫描隧道显微镜进行结构表征。磁性测量结果揭示了168 K的易于轴抗铁磁性。密度功能理论（DFT）计算表明，具有易于轴旋转方向的A型抗反磁性排序是基态，通过单晶中子衍射实验验证了基态。电子带结构在此磁态显示自旋切割带中，证实了该化合物中的altermagnetism。Conb 4 Se 8的分层结构提出了一个有前途的平台，用于测试与Altermagnetism相关的各种预测属性。