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基于BATIO3的新型，Ag/PD兼容的无铅松弛剂，具有出色的储能性能
摘要：据报道陶瓷电介质具有用于应用的优质储能性能，例如电动车辆中的电力电子设备。在〜4.55 j cm -3的可回收能量密度（W REC）中，在〜520 kV cm -1的情况下，在无铅松弛剂BATIO 3-0.06BI 2/3（mg 1/3 NB 2/3）中实现了η〜90％。这些陶瓷可以与AG/PD共同使用，这构成了它们在制造商业多层陶瓷电容器中潜在使用的重要一步。与化学计量学BI（Mg 2/3 NB 1/3） - O 3掺杂的Batio 3（BT），A-SITE降低BI 2/3（mg 1/3 NB 2/3）O 3降低了BT的电气异质性。块状电导率仅通过1个数量级从晶界处差异，这与较小的体积的导电核心较小，这是由于A-Site Sublattice中掺杂剂的差异增加而导致的，从而在电气文件下导致较高的击穿强度。可以采用此策略来开发具有改进的储能性能的新介质。关键字：储能，电容器，无铅，Batio 3，电介质，陶瓷
![arxiv：2308.03843v2 [cond-mat.str-el] 2024年3月13日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\500a391e46ae38068f8f64c83205b8d634848648.webp)
arxiv：2308.03843v2 [cond-mat.str-el] 2024年3月13日
扭曲的双层石墨烯靠近魔术角，在低能带的整数填充因子处具有一系列绝缘相。在这封信中，我们通过在晶格上进行了不受限制的大规模的Hartree-fock计算来解决这些阶段的性质，该计算是自以为是的所有电子频段的。使用数值无偏的方法，我们表明库仑相互作用在整数填充物处产生铁磁绝缘状态ν∈[ - 3，3]，具有最大的自旋极化m fm = 4 - | ν| 。我们发现ν= 0状态是纯铁磁铁，而所有其他绝缘状态都是自旋valley极化。在奇数填充因素上| ν| = 1，3这些状态具有量子异常效应，Chern数字C =1。除ν= 0，−2状态外，所有其他整数填充物具有绝缘阶段，并在远程频段中具有额外的sublattice对称性断裂和抗fiferromagnetism。我们绘制这些相的金属 - 绝缘体跃迁，这是有效介电常数的函数。我们的结果确定了大规模晶格计算的重要性，即忠实地确定整数填充物中TBG的基态。
合成和介电特性，XPS光谱研究
是由Xrd确定的，标称组成BI 2 Cr 1 /6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 ni 1/6 ni 1/6 Cu 1/6 cu 1/6 ta 2 o 9+δ，不管合成条件如何，包含均量含量的均量含量的异位甲酸盐溶剂甲酸甲酸酯抗溶剂。在Bi 2-cr 1 /6 Mn 1/6 1/6 Fe 1/6 CO 1 /6 Ni 1/6 Cu 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+Δbismuth sublattice中获得了bimuth原子的缺乏。复杂的氧化物在pyrochlore结构类型中结晶（sp。gr。fd -3 m，。= 10.4811（2）Å）。陶瓷的特征是多孔，松散的微观结构，平均晶粒尺寸为0.5 –1μm。根据XPS数据，Pyrochlore中的过渡元件离子主要在Cr（III），Fe（III），MN（II），CO（II），CO（II），Ni（ii），Cu（ii），Cu（ii）状态中。在室温下，BI 2-1 / 3 Cr 1/6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 CO 1/6 Ni 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+δ的介电常数和介电损耗分别为1 MHz，分别为≈46和≈0.004。提出了一个等效电路，该电路模拟样品的电性能。
量子磁体TbMn6Sn6中发现室温附近拓扑磁结构
具有 Kagome 晶格的量子材料中独特的电子行为 [5] 和磁性行为 [6,7] 使得 Kagome 材料成为一个极其有趣的平台。这些有趣的量子态是由于电子能带结构和磁序的非平凡拓扑、强电子关联和受挫而出现的。探索这些材料中电子能带结构和相应磁性之间的相互作用，发现了大块狄拉克半金属 Fe 3 Sn 2 、[5] 外尔半金属 Mn 3 X（X = Sn，Ge）[8] 和 Co 3 Sn 2 S 2 、[9]，它们表现出本征陈量子相、较大的异常霍尔效应和手性异常。[5,10,11] 一个特别有趣的例子是磁体 RMn 6 Sn 6（R = 稀土元素），它根据特定 R 元素和受挫 Mn Kagome 晶格之间的相互作用而具有几种磁序。 [12–14] 在室温下，Tb 和 Mn 磁矩位于不同的 Kagome 子晶格上，且呈非平面反平行排列的亚铁磁结构已被证明能有效实现具有拓扑
![arxiv：2408.07690v1 [cond-mat.supr-con] 2024年8月14日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\5793fec47ac1c47231435836eca40531fb40aa1a.webp)
arxiv：2408.07690v1 [cond-mat.supr-con] 2024年8月14日
是由高t C镍超导体最近快速进步的动机，我们全面研究了交替的双层三层式镍7 ni 5 o 17的物理特性。该材料的高对称阶段，没有氧气八面体的倾斜，在环境条件下不稳定，而是在高压下变得稳定，在高压下出现了由d 3 z 2-r 2状态组成的小孔袋γ0。在我们以前针对TriLayer LA 4 Ni 3 O 10的工作中确定了这个口袋对于发展超导性很重要。此外，使用随机相近似计算，我们在压力下找到了高对称相的领先S±配对状态，其配对强度与以前在BiLayer La 3 Ni 2 O 7化合物中获得的配对强度相似，这表明具有相似或更高的超导导过渡温度t c。此外，我们发现驱动该配对状态的系统中的主要磁波动在平面内以及顶部和底部三层和双层均匀的平面之间具有抗铁磁结构，而中间三层层则是磁性脱耦的。
![arxiv：2408.039999v1 [cond-mat.supr-con] 2024年8月7日](/simg/g:\will\search\icon\source\8\818ba664054d8e301a549c438d88a54be6863ef5.webp)
arxiv：2408.039999v1 [cond-mat.supr-con] 2024年8月7日
最近发现的Altermagnetic材料中的超导性具有针对基本物理和技术应用的巨大前景。在这项工作中，我们表明，Altermagnets中的特征性旋转sublattice锁定对可能的超导配对构成了严格的限制。尤其是我们发现，超导性，均匀的s波旋转 - 单琴配对的最常见形式是在altermagnet中无法实现的。考虑到平方晶格上A d x 2 -y 2-波动altermagnet的有效模型，我们发现最有可能的自旋 - 单词配对的形式具有d x 2 -y 2-或扩展的S波对称性。我们还发现，不允许使用相等的三重态P波配对的最简单形式，但只能以混合旋转三键p波状状态存在。我们在相互作用诱导的Altermagnetism模型中验证了这些限制，在该模型中，我们还建立了它们的有限摩托符合配对的有效性。此外，我们讨论了奇数超导配对的可能的配对对称性。由于我们的结果的普遍性，它们适用于固有的超导性和接近性诱导的超导性超导性的超导性。
加州大学伯克利分校
图 4：体育场 QD 电位剖面示意图和相关模拟。（a）上图：MLG 体育场 QD 电位剖面示意图，描绘了 QD 内部和外部的 MLG 带和电荷中性点（𝐸 456）。下图：体育场 MLG QD 的示意图。（b）上图：BLG 体育场 QD 电位剖面示意图，描绘了 QD 内部和外部的带隙和三角扭曲的 BLG 带和𝐸 456。下图：体育场 BLG QD 的示意图。（c、d）对 (c) MLG 和 (d) BLG 体育场 QD 的电子局域态密度的数值紧束缚模拟。d𝐼/d𝑉。对角条纹在 (d)（具有间隙屏障壁）中可见，但在 (c)（具有无间隙壁）中不可见。 BLG 体育场的 TB 模型包括 𝛾 8 跳跃和空间均匀的 60 meV 间隙。这些参数的灵感来自我们之前对圆形 BLG QD 的实验表征 [9]，（另见 SI 第 6 节）。在 BLG 体育场 𝑑𝐼/𝑑𝑉 ? 图模拟中，仅考虑了子晶格 𝐴 > 的 LDOS 贡献。
补充材料
2π，其中k是x方向上的波形，n是频带索引。要考虑到自旋轨道的影响，我们将假设ψk，n和u k，n都是二维旋转器。我们将幅度E的电场施加到平行于边缘（即X方向）的方向上，即，汉密尔顿人受到潜在项EE ˆ X的扰动，其中 - e是电子电荷，而位置操作员ˆ x。对于具有锯齿形和胡须边缘（保留山谷数）的石墨烯纳米替宾，坐标（x，y）的作用由单位单元格L和组合索引（M，σ）播放，其中m = 1。。。n表示每个单位单元格中的两个原子水平行，其中σ原子（a或b）中的两个原子行（见图1（a），（c）在主文本中）。请注意，一排可能会错过任何一个sublattice的原子，如图1（c），在每个单元单元的第1行中错过了一个A原子。在显示纳米孔中的密度和电流的结果时，在Y轴上的位置只能解析到行数中。 因此，Y坐标将被离散索引所取代，该索引将采用整数值，以在一行中标记位置，并在行之间标记位置（中途）。在Y轴上的位置只能解析到行数中。因此，Y坐标将被离散索引所取代，该索引将采用整数值，以在一行中标记位置，并在行之间标记位置（中途）。
![arxiv：2402.10458v1 [cond-mat.str-el] 2024年2月16日](/simg/g:\will\search\icon\source\c\cc80ca0d41014e0ab87529d941d828861470a6e8.webp)
arxiv：2402.10458v1 [cond-mat.str-el] 2024年2月16日
最近在二维晶格中耦合到电子的光键声子的影响引起了人们的极大兴趣，希望探索非常规的超导机制和配对对称性。在这里，我们对上范·霍夫（Van Hove）填充的Kagome晶格中的此类声子进行了系统的研究，以便在独特的Sublattice挫败感的情况下揭开键键声子的新效果。我们结合了奇异模式功能重新归一化组和投影仪决定量量子蒙特卡洛方法。在上范霍夫的填充且没有哈币相互作用u的情况下，我们发现在较弱的电子偶联恒定λ和更高的声音频率ω和较高的电荷键键（或较大λ和下部下部的荷兰键键（或较大的固体）状态下，我们存在S波超导状态。Hubbard相互作用u u极大地抑制了S波配对，因此只有电荷键顺序才能存活。另一方面，在略微掺杂范夫填充时，我们观察到，由于完美的费米表面筑巢的崩溃，电荷键顺序被抑制，而超导持续存在。S波超导率和电荷键顺序可能与分层的Kagome超导体AV 3 SB 5（a = K，RB，CS）相关。
新见解，可用于无钴全稳态电池的AlioLovalent替代卤化物固体电解质
更广泛的背景随着对清洁和可持续能源的需求不断增长，发展高性能和安全的能源存储已成为关键的研究优先事项。卤化物固态电解质（SSE）由于高电压下的高离子电导率和出色的稳定性而成为常规液体电解质的有希望的替代品。将这些材料集成到没有液体组件的全稳态状态电池（ASSB）中，并且可以增强能量密度，安全性和更长的循环寿命，可以显着提高电池技术的性能和安全性。然而，仍然缺乏对卤化物SSES结构 - 专业关系的基本理解。这项研究强调了为ASB开发高效且稳定的卤化物SSE的设计原理。通过探索离子和空位位点浓度对离子电导率的影响，作者发现，在六边形的近距离包装阴离子sublattice中实现离子的平衡和空置位点浓度对于有效的离子传输至关重要，这对于高度离子扩散率和最高的激活能量至关重要。这项研究还表明，Aliovalent取代可以增强卤化物SSE的氧化稳定性，但会损害其还原稳定性。这项研究为开发具有较长骑自行车稳定性的无钴屁股提供了重要的见解，这对于广泛采用可持续能量存储至关重要。