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室温反铁磁共振和逆自旋霍尔
我们从理论和实验上研究了由具有 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的倾斜反铁磁体共振引起的自旋泵浦信号，并证明它们可以产生易于观察的逆自旋霍尔电压。使用双层赤铁矿/重金属作为模型系统，我们在室温下测量反铁磁共振和相关的逆自旋霍尔电压，其值与共线反铁磁体一样大。正如对相干自旋泵浦的预期，我们观察到逆自旋霍尔电压的符号提供了有关模式手性的直接信息，这是通过比较赤铁矿、氧化铬和亚铁磁体钇铁石榴石推断出来的。我们的研究结果通过对具有低阻尼和倾斜矩的反铁磁体进行功能化，开辟了产生和检测太赫兹频率自旋电流的新方法。当代自旋电子学利用电子自旋进行信息处理和微电子学，主要基于铁磁器件架构。从提高数据处理速度和缩小片上信息处理规模的长远发展来看 [1]，反铁磁体自旋电子学是一个很有前途的途径 [2]。与铁磁体相比，反铁磁体的关键优势在于它们的共振频率通过子晶格的交换耦合得到增强，因此通常在太赫兹范围内 [2,3]。然而，在补偿反铁磁体中，净矩的缺失严重阻碍了对其超快动力学的简单获取，尤其是在薄膜中，以及基于超快反铁磁体的器件的开发 [4,5]。因此，界面自旋输运现象可以为反铁磁体中的自旋弛豫过程和自旋动力学提供新的见解 [5–8]。
密集的强度相互作用的声音速度
磁铁最近根据对称转换分为三种类型：铁磁铁（FM），抗铁磁铁（AFM）和Altermagnets（AM）[1-3]。铁磁体或铁磁铁（包括luttinger补偿的铁磁铁，请参见参考资料[2]）表现出净磁性，这打破了电子结构中的时间反转对称性。另一方面，抗铁磁铁表现出相反的自旋sublattices，并通过翻译和 /或inver-sion，对称转换，导致时间反向对称能带和零磁化。相反，在altermagnets中，相反的旋转均匀旋转与对称操作（如在AFM中，但在FM中为不相反），这些操作不是反转或翻译，导致时间逆转的对称性对称性的损坏的损坏的电子结构与均值和动量空间的交替旋转和零元素化元素和零元素的交替[1] （如FM，但不在AFM中）。自旋分裂带破坏了时间逆转对称性，如FM中，但在AFM中不违反。此外，交替的自旋分裂遵循D-，G-或I波对称性，该对称性与FM中自旋分裂的对称性不同。可以在球形谐波中扩展这种在动量空间中的交替自旋极化（与非常规的超导二极管理论所做的几乎一样），并且根据基础对称性，可以表现出D-，G-，G-或I-Wave磁性密度为2，4或6 Spine-4或6 Spin spine-nodeal Nodal nodal nodal surfaces [1] [1] [1]。非常明显地，预测了许多与Altermagnetism相关的异常效应。1，超出了这项工作的范围。它们具有反常的大厅效应[4，6]，晶体磁臂Kerr效应[5，7，8]，大型非差异旋转分裂[4，9，10]，自旋旋转的纵向和横向电流和横向电流[11-13] [11-13]，巨型和隧道磁力磁盘[13，14]，非术语[16]，topitigy tocient [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15]，[15]配对[17]，各向异性Andreev反射[18]，非常规的约瑟夫森效应[19]，镁旋转裂解[20]，手工有序的mul-tip tip [16，21]，无单位的三胞胎超导性，并与平均抑制和抑制的次数相结合的阶参数的顺序进行了consectional superfective and-consuctor consuctor consuctor consuctal in Interface。altermagnetism在多种材料家族中可以找到对于研究其在旋转型，物质，超导性或半导体电子中的相关状态中的应用至关重要的（另请参见《透视文章》中的参考文献综合列表[3]）。二次动量依赖性自旋分裂[23]。到目前为止，已经确定了几种候选材料，但是在每种情况下，它都是通过手动检查对称性操作和 /或计算带结构并验证其自旋分解的。此外，由于后一个测试无法区分AM和补偿FM，因此在这方面存在相当大的构造[24]。这项工作旨在创建一个程序（和图书馆），该程序采用晶体结构和磁性模式，并决定它是抗铁磁磁性还是抗铁磁性（排除铁磁材料是微不足道的）。用户请求的输入是有关晶体结构（支持各种晶体结构格式）和磁性模式的信息。请注意，如参考资料所建议的，将给定的Altermagnet进一步分类为十个类之一。
平行电场和磁场对Rydberg的影响...
我们研究单层Rydberg状态的直接和间接磁脱糖，以及在外部平行电和磁场中的Xenes（硅，德国烯和Stanene）的双层异质结构，垂直于单层和异质结构。我们通过使用Rytova-keldysh的数值整合来计算Rydberg States，1 S，2 S，2 S，3 S，3 S和4 S的结合能，用于直接磁铁电位的电位，用于直接磁铁的潜力，以及Rytova-keldysh和rytova-keldysh和coulombys的潜力。后者允许了解筛查在Xenes中的作用。在外部垂直电场中，Xene单层的屈曲结构导致sublatices之间的潜在差异，从而使电子和孔质量调整磁性能量和磁性能量，以及磁磁相连的同系数（DMCS）。我们报告了电力和磁场对结合能和DMC的能量贡献。通过电力和磁场直接和间接杂志的能量贡献的可调性。还表明，直接激子的DMC可以通过电场调节，并且可以通过电场调谐间接磁性脱位的DMC，并通过HBN层的数量来操纵。因此，可以通过外部电气和磁场以及HBN层的数量来控制电子设备设计的可能性。Xenes单层和异质结构中磁性excitons的结合能和DMC的计算是新颖的，可以将其与实验结果进行比较。