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单分子磁体在超导PB上的量子动力学（111）
与超导体连接的抽象磁性材料披露了具有量子技术潜力很大的新型物理现象。将分子用作磁成分已经表现出巨大的承诺，但是分子领域提供的大量特性仍然在很大程度上没有探索。在这里，我们研究了在亚单层覆盖范围内沉积在超导铅表面上的单个分子磁铁（SMM）。这种组合揭示了超导体（SC）对SMM的自旋动力学的强烈影响。表明，向冷凝水状态的超导过渡将SMM从阻塞的磁化状态转换为谐振量子隧穿态度。此结果为通过SCS和使用SMM作为超导状态的局部探针提供了控制SMM磁性的观点。
超导纳米线中的高能准粒子的热和动力学
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
fem-circuit共同模拟超导同步风发电机，使用麦克斯韦方程的同质j-a配方连接到直流网络
摘要。高温超导体（HTS）非常有吸引力的高效和高能量密度功率设备。它们与需要轻型和紧凑型机器（例如风力发电）的应用特别相关。在这种情况下，为了确保超导器机器的正确设计及其在电力系统中的可靠操作，那么开发可以准确包含其物理功能但也可以正确描述其与系统的相互作用的模型很重要。为了实现这样一个目标，一种方法是共同模拟。这种数值技术可以通过有限元模型（FEM）带来机器的细几何和物理细节，同时处理整个系统的操作，该系统包含了机器，以及由外部电路代表的电网的子集。当前工作的目的是在涉及超导组件时使用这种数值技术。在这里，提出了一个案例研究，该案例研究涉及通过整流器及其相关滤波器与直流电流（DC）网络耦合到直流电流（DC）网络的15 MW杂交超导同步发电机（HTS转子和常规定子）。与风能应用有关的案例研究允许在使用与HTS机器的共同模拟时抓住技术问题。发电机的FEM是在商用软件COMSOL多物理学中完成的，该商品通过内置功能模拟单元（FMU）与电路模拟器Simulink进行交互。因此，它是在本研究中，引入了最新版本的最新版本J-与均化技术结合使用的配方，与T -A公式相比，计算时间更快。分布式变量和全局变量，例如前者和电压，电流，电磁扭矩以及后者的功率质量的电流密度，磁通量密度和局部损失，并进行了比较。这个想法是在计算速度，准确性和数值稳定性的标准下找到最适合的组合FEM电路。
基于节能神经形态计算的超导循环的Fluxon Synapse设备的评估
由于CMOS技术的物理规模限制，摩尔定律接近终结，替代计算方法已引起了相当大的关注，这是改善计算性能的方法。在这里，我们评估了一种新方法的性能前景，基于与约瑟夫森 - 界面的无序超导循环进行节能神经形态计算。突触权重可以存储为与多个约瑟夫森 - 界面（JJ）相连的三个超导环的内部捕获式磁通状态，并以以控制方式以离散通量（量化的通量）施加的输入信号调节。稳定的捕获的磁通状态将传入通量通过不同的途径，其流量统计量代表不同的突触权重。我们使用这些Fluxon Synapse设备的阵列探讨了矩阵 - 矢量 - 义务（MVM）操作的实现。我们研究了MNIST数据集的在线学习的能源效率。我们的结果表明，与其他最先进的突触设备相比，Fluxon Synapse阵列可以减少100倍的能量消耗。这项工作提出了概念验证，该概念将为基于超导材料的高速和高能节能的神经形态计算系统铺平道路。
通过超导Josephson连接
编辑器：J。Hisano通过引人入胜的𝑈（1）𝐵-𝐿标准模型的扩展，可以很好地激发携带𝐵-𝐿电荷之间的颗粒之间的新第五力。量规玻色介质Féeton也是暗物质候选人。在这封信中，我们提出了一种新型的实验设计，以检测使用超导约瑟夫森连接的第五力引起的量子相差异。我们发现，当仪表玻色子质量范围内时，实验对量规耦合具有最佳的敏感性。01 eV至10 eV，这是Féeton暗物质的一个有趣的质量区域。这为毫米以下小规模的新物理学测量开辟了新的途径。
工程高 Q 值超导钽微波共面
图 4. (a) 三个硅基 CPW 谐振器的内部品质因数 (𝑄 𝑖) 与平均光子数 < 𝑛 𝑝ℎ > 的关系，散点图为测量数据，实线是基于公式 (4) 的拟合数据，误差线在每个数据点的顶部和底部用大写字母表示，(a) 40 nm Ta 在 𝑇= 77 mK。(b) 𝑓 𝑟 = 3.654 在三个不同温度下。(c) 80 nm Ta 在 𝑇= 44 mK 时和 (d) 100 nm Ta 在 𝑇= 40 mK 时。
超导电流的门控制
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >
超导电流的栅极控制：机制，参数和技术潜力
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理系，科学院，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 G€欧特堡，瑞典7号，瑞典7 CNR-Spin，C/O大学Salerno的研究，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺8物理学系“ E. R. Caianiello”，“ E. R. Caianiello”，萨勒诺大学的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，salerno，salerno，salerno1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理系，科学院，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 G€欧特堡，瑞典7号，瑞典7 CNR-Spin，C/O大学Salerno的研究，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺8物理学系“ E. R. Caianiello”，“ E. R. Caianiello”，萨勒诺大学的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，salerno，salerno，salerno