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社论
有点上下文：我写这篇社论时，我得出了威廉·沃尔曼（William Vollman）的《垂死的草：NEZ Perce War的小说》（2015年）的结论。这本书的1,376页门挡是一本书的粒状和令人痛苦的细节，细节详细介绍了美国陆军1877年反对Nimiipuu乐队（在Heinmot Tooyaleakekt（“首席Joseph”）和其他酋长和其他首席执行官下，反对Nimiipuu乐队（被称为“ Nez Perce”）。当然，这场冲突源于美国政府促进某些人的流动性（尤其是在该地区发现黄金的人）的愿望，并减少了其他人的流动性 - 非白人本地群体，这些群体长期以来一直居住在哥伦比亚Pla Teau，在当今的华盛顿州，爱达荷州，爱达荷州，爱达荷州，及其甲壳虫。具体来说，美国政府违反了1855年的条约，将NEZ Perce保留地减少了约90％，否认他们获得了资源的机会，并限制了他们在数百年中所做的漫游和维持自己的能力。
官方公报的正字法章程 法律和法令
阿谢尔、艾格雷蒙、安德烈西、巴佐什叙吉约讷、布瓦达尔西、布吉瓦尔、比克、比什莱、卡里埃苏普瓦西、卡里埃叙塞纳、拉塞勒圣克卢、尚布尔西、尚特卢-葡萄园、沙佩、沙图、勒谢奈、谢夫勒斯、莱克莱苏布瓦、夸尼埃、孔夫朗圣奥诺里纳、塞纳河畔克鲁瓦西、埃朗库尔、莱唐拉维尔、埃韦克蒙特、福兰维尔德内蒙特、丰特奈-le-Fleury、Fourqueux、Gaillon-sur-Montcient、Gargenville、Guyancourt、Hardricourt、Houilles、Issou、Jouars-Pontchartrain、Jouy-en-Josas、Juziers、Limay、Les Loges-en-Josas、Louveciennes、马尼昂维尔、马尼莱阿莫、迈松拉菲特、芒特拉若利、芒特拉维尔、马雷伊马尔利、马尔利勒鲁瓦、莫尔库尔、莫尔帕、棉兰、勒梅尼勒鲁瓦、勒梅尼-圣丹尼斯、默朗、塞纳河畔梅齐、蒙特松、蒙蒂尼布勒托讷、莱米罗、诺夫勒堡、诺夫勒维约、奥日瓦尔、勒佩克、普莱西、普瓦西、波尔舍维尔、勒波尔马尔利、罗康库尔、圣西尔莱科勒、圣日尔曼昂莱、圣雷米莱谢夫勒斯、圣雷米洛诺雷、萨特鲁维尔、特拉普、莫尔德尔河畔勒特朗布莱、特里尔叙尔-塞纳省, 塞纳河畔沃,韦利济-维拉库布莱、韦尔讷伊、韦尔努耶特、拉韦里埃、凡尔赛、勒韦西内、维尔奈、维尔普勒、维利耶圣弗雷德里克、维罗弗莱、瓦桑勒布勒托讷。
第 12 和 13 届国防部长非正式会议（RIM）......
布雷斯特是菲尼斯泰尔省的首府，拥有著名的港口，是世界上最大、最美丽的港口之一，经常举办古老帆船的聚会。丰富的航海历史与其城市和航海遗产相结合，使布雷斯特具有布列塔尼独一无二的活力和文化底蕴。城市的缆车可欣赏到海洋全景，并可通往卡普辛高原和卡普辛工作室，这是一个生活、文化和创新的场所，取代了以前的国家海洋工作室。同样值得参观的是位于布雷斯特中世纪城堡内的国家海事博物馆，以及致力于海洋的国家科学文化中心——Océanopolis。寻找这座城市的必游景点。
切萨皮克遗产
武装部队部，SIRPA Marine，Balard 地块东楼 F，60 bd du Général-Martial-Valin CS 21623 – 75509 Paris Cedex 15 网站：www.colsbleus.fr 出版总监：CV Sébastien Perruchio，海军通讯主任 出版副总监：CF Adeline Duc 编辑总监：CC Letournel 主编：Virginie de Galzain 编辑委员会：CV Nicolas Faure、LV Barbara Lopez 编辑秘书：Philippe Brichaut 编辑：Jean-Marie Kowalski、Jean-Pierre Decourt EV1(R)、ASP Colombe Prache 设计和制作：Dominique Jaquard 计算机图形：Dominique Jaquard 致谢：凡尔赛宫和特里亚农宫；葛连拿 (Glénat) 版本；让-伊夫·德利特；贡比涅城堡和布莱朗库尔城堡的国家博物馆和庄园；巴黎和布雷斯特国家海事博物馆；欧空局；美国海军历史和遗产司令部；历史辩护服务； Indivision Landowski 封面：©B.Papin/MN 第 4 个封面：照片：©S.Congui/MN，创作：©M.Roussel/SIRPA/MN 印刷：法律和行政信息总局 (DILA)，26, rue Desaix, 75015 Paris 订阅：Rachida Le Roux – 电话。 ：01 49 60 52 44 电子邮件：déplacement-abonnement@ecpad.fr 广告、分类广告：ECPAD，商业中心 - 2 至 8, route du Fort, 94205 Ivry-sur-Seine Cedex - Karim Belguedour - 电话。 ：01 49 60 59 47 电子邮件：regie-publicitaire@ecpad.fr – 不退还手稿，照片可根据要求退还。对于文章的复制，无论通过何种媒介，请咨询编辑部联合委员会：n° 0211 B 05692/28/02/2011 ISBN：00 10 18 34 法定存放：出版时。
关于民族对哈基斯的承认的法律
西索讷（Sissonne）：军营边缘的营房，形成“村庄”（埃纳省）；马诺斯克（Manosque）：四季之城（上普罗旺斯阿尔卑斯省）；戛纳-La Bocca： 米莫萨斯城（滨海阿尔卑斯省）；超级昂蒂布： 桉树市 (滨海阿尔卑斯省)；马赛：奥利夫市，第 13 区 (罗讷河口省)；马赛：蒂勒尔市，第 15 区（罗讷河口省）；热夫雷尚贝坦 (Gevrey-Chambertin)：SONACOTRA-SNCF 住房 (Côte-d'Or)； Sireuil：克罗兹地区（多尔多涅省）；索恩 (Saône)：中转城市（杜省）；贝桑松 (Besançon)： 四风之城、蒙塔莫特 (Montarmots) 路径 (杜省)；德勒：SONACOTRA 建筑工地的营房（厄尔-卢瓦尔省）；德勒：Murger-Bardin 街市（厄尔-卢瓦尔省）；蒙彼利埃：前军营的训练场（埃罗省）；蒙彼利埃： 马萨维奥尔市 (埃罗省)；蒙彼利埃： 波塔利市 (埃罗省)；蒙彼利埃： Pont-Juvénal（埃罗省）； Chapareillan：住宿中心（伊泽尔省）；格勒诺布尔 (Grenoble): 位于烈士街 (rue des Martyrs) 的 SONACOTRA-SNCF 营房和住房 (Isère)； Roybon 3：一个与 Roybon 1 和 2（伊泽尔省）相似的森林村庄；圣热内-圣保利安附近市 (上卢瓦尔省)；塞莫伊（Semoy）： 埃尔夫利恩 (卢瓦雷省) 的城市；马恩河畔沙隆 (Châlons-sur-Marne): 比德 (Bidée) 市 (马恩省)；兰斯 (Reims)：维特里路 (马恩省) 上的城市； Vadenay：军营（马恩省）； Saint-Avé：预制建筑（莫尔比昂省）Cattenom：军营（摩泽尔省）；敦刻尔克：SONACOTRA-SNCF 住房（北）；豪蒙特（Haumont）： USINOR 军营（北部）；卢夫鲁瓦 (Louvroil)： 施魏策尔医生街 (北) 市；鲁贝：甘贝塔大道（北）的住宿中心；弗莱尔德莱奥恩省，SONACOTRA 市 (奥恩省)；梅里库尔 (Méricourt)： HBNPC 军营 (加来海峡省)；布尔加拉斯蒂克 (Bourg-Lastic)：吉马尔 (Gimard) 分区 (Puy-de-Dôme)； Grand-Couronne：巴斯德街和埃萨尔街（滨海塞纳省）等城市； Authieux-sur-le-Port-Saint-Ouen：马尔尼埃尔城堡（滨海塞纳省）；鲁昂：位于 Pavée 街（滨海塞纳省）的中转中心；鲁昂：位于圣吉尔街 (滨海塞纳省) 的中转中心； Saint-Aubin-lès-Elbeuf：拉皮埃尔圣乔治市（滨海塞纳省）Saint-Wandrille-Rançon：军营（滨海塞纳省）；皮卡第地区普瓦 (Poix-en-Picardy)：Vert Bois 地区 (索姆省)；亚眠：斯特拉斯堡大道（索姆省）上的紧急城市；亚眠 (Amiens)：砖厂之城 (索姆省) 隆格奥 (Longueau)：阿夫尔 (Avre) 之城 (索姆省)；阿维尼翁 (Avignon)：蒙克拉 (Monclar) 区（沃克吕兹省）的太阳之城；舒瓦西勒鲁瓦 (马恩省)。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
来源：© 陆军遗产代表团 (DELPAT) 2022。
1810）。大理石于 1815 年完工，1816 年被存放在荣军院的一个庭院中，路易十八接手了协和桥的装饰工程，催生了一种新的秩序，专门用于纪念旧制度该作品于 1832 年被安装在凡尔赛宫荣誉庭院的栏杆后面。1835 年，路易·菲利普一世国王下令将鲁塞尔的大理石雕像改造成里沃利公爵、埃斯林亲王安德烈·马塞纳元帅（1758-1817），以配合其他雕像的改造。初始顺序的大理石（参见拉纳和马塞纳雕像的相应文件），随着对历史的品味和拿破仑传奇氛围的发展。内政部长兼美术部长蒙塔利维特伯爵要求雕塑家 Laitié 修改帝国的大理石雕像：“[…] 以 Deseine 的科尔伯特雕像为蓝本，我们将制作特雷维索公爵雕像；从代表 Valhubert 的老 Debay 的角度来看，我们将选出 Jourdan；我们将从代表西班牙的卡拉玛德（Callamard）的图案中创造出拉纳（Lannes），最后从代表鲁塞尔（Roussel）的埃斯佩西厄（Espercieux）的图案中创造出马塞纳（Masséna）。»（Robinet de Cléry，《协和桥上的断头雕像》，摘自《巴黎和圣彼得堡大评论》，巴黎，E 出版社。阿拉罗，s。 d.)。但鲁塞尔转变为马塞纳元帅的过程并没有发生（参见专门介绍马塞纳雕像的文件）。确实，署名为埃斯佩西厄的雕像成为了儒尔丹元帅，取代了让-马里-梅隆-罗杰·瓦胡贝尔将军 (1764-1805) 的雕像，后者是应瓦胡贝尔将军的家乡阿夫朗什的要求，于 1832 年 7 月建造的，并于 1832 年 9 月在现场安装。因此，乔丹的头像于 1835 年取代了鲁塞尔的头像。人物：乔丹于 1762 年 4 月 29 日出生于利摩日，曾担任丝绸办事员，后于 1778 年 4 月入伍当兵。他在奥塞尔军团服役，并参加了 1779 年的美国独立战争。他于 1784 年退伍，1789 年 7 月重返军队，担任利摩日国民卫队上尉。1791 年，他被任命为上维埃纳省第 2 志愿军营中校，并于 1792 年至 1793 年在北方军团中作战。1793 年 5 月晋升为准将，1793 年 7 月晋升为师长，他在阿登军队和北方军队中服役。他还因担任理事会主席而闻名儒尔当在 1794 年担任桑布尔-默兹军队的指挥官时，表现尤为突出：他是弗勒吕斯战役的指挥官，在这场战役中，军用气球驾驶员首次投入使用，正如让-巴蒂斯特·莫扎伊斯 (1784-1844) 于 1837 年为凡尔赛宫的战争画廊创作绘画。儒尔当还因在 1797 年至 1799 年担任上维埃纳省五百人议会议员期间在 1798 年征兵法（儒尔当-德尔布雷尔法）的通过中发挥的决定性作用而闻名。从 1800 年起，他的其余职业生涯主要在意大利度过，然后为约瑟夫·波拿巴服务，他陪同他去了那不勒斯，然后去了马德里：乔丹于 1806 年被任命为那不勒斯总督，然后于 1811 年被任命为马德里总督。< /div>儒尔丹于 1812 年担任西班牙陆军参谋长，于 1813 年退役，1814 年重返军队，担任鲁昂第 14 和第 15 军区的高级指挥官。儒尔当参与了复辟运动，1816 年被路易十八封为伯爵，1819 年被封为法国贵族，1830 年 8 月七月王朝建立后，他被任命为荣军院总督。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
（1）如果制度框未填写，请联系 Driee 获取信息。以黄色突出显示的市镇受益于 2020 年 9 月 23 日 S3IC 数据库的更新 第 1 页 1 至 174
Usual name Activity status Regime (1) Municipality of operation Address Additional address CP GOKHANG OF SISSI FOREVER In operation Declaration ACHERES LA FORET 28 RUE DE LA CROIX SAINT ANTOINE 77760 LES EAUX VIVES In operation Declaration ACHERES LA FORET 102 rue des barnolets 77760 LOISEAU In operation ACHERES LA FORET 77760 Mrs. MICHAU Michèle At the stop ACHERES LA FORET 1 rue du Château (Restaurant) 77760 Mr. FARABONE René At the stop ACHERES LA FORET Rue Laurent Poli - Café tabac épicerie 77760 Mr. NARCY In operation Declaration with Control ACHERES LA FORET 24 Chemin rural du Vaudoue les Cauches 77760 SODIPLEC - Achères EST In operation Declaration with Control ACHERES LA FORET Motorway A6 Direction LYON/PARIS 77760 SODIPLEC - Achères OUEST In operation Declaration with Control ACHERES LA FORET MOTORWAY A6 Direction PARIS/LYON 77760 ACOLYANCE (ex Cohésis ex CABE in Amillis) In operation Authorization AMILLIS CORIOLIS "La Tuilerie" 77120 METHAMILLIS SAS Under construction Declaration with Control AMILLIS cadastral parcel section ZE parcel 19 Lieudit "Les Cabanes" 77120 ROUSSEL Hélène In operation Declaration AMILLIS le Gros Chêne Saint Eloi 77120 VERRE et DECORATION In operation Declaration with Control AMILLIS Industrial zone 77120 BARNAULT At the stop AMPONVILLE 77760 CHAPIN Louis - Maréchal Ferrant At the stop AMPONVILLE section C 157 77760 CHAUSSY Guy At the stop AMPONVILLE 2 Rue de la Moque Souris 77760 PRECISION PROFILES - Mr. PELLEGRAIN At the stop AMPONVILLE Chemin Vicinal n° 6 Lieu dit Les Museaux Ouest 77760 SIBELCO Amponville In operation Authorization AMPONVILLE LES CARRIERES 77003001 77760 SIREDOM In operation Registration AMPONVILLE 77760 SOREVAM (PPE ENVIRONNEMENT) Under construction Declaration with Control AMPONVILLE La Petite Borne 77760 SYNGENTA (ex NOVARTIS AGRO EX.QUINOLEINE At the stop AMPONVILLE 77760 BISSON Pierre At the stop ANDREZEL 77390 FOREX NEPTUNE In operation ANDREZEL Rue de Guigneville 77390 GRANDAY Pierre At the stop ANDREZEL Ferme des Hautes Loges 77390 LA SERRE SARL At the stop Declaration with Control ANDREZEL Lieu dit Le Marchais Fleury 77390 REMOND Louis 处于停滞状态 ANDREZEL 77390 BETAG 77 运行中 ANNET SUR MARNE 建筑垃圾处理设施 位置“La Fontaine Rouge” 77410 VEOLIA 研究中心 运行中 ANNET SUR MARNE Route du Gypse RD 404 77410 CHALON Sébastien 在建中 ANNET SUR MARNE 11 rue des Moines 77410 DTP TERRASSEMENT 处于停滞状态 ANNET SUR MARNE CD 404 77410 ECT (ISDI - 2) 运行中 注册 ANNET SUR MARNE 位置“Les Culées”、“Les Carreaux”、“L'Orme du Bordeaux” 77410 ECT (ISDI) 宣布停止 ANNET SUR MARNE 位置“Les Gabots” “Carrouge” 77410 EIFFAGE TP在宣言中，Annet Sur Marne Place称为“ La Belle Aurore”地块ZC 91 77410车库Langlois（Ex M. Bonny Ex M. Henr） UTHE GILBERT在Stop the Stop Annet Sur Marne 38 Rue de Marne 77410MoustyGérard先生在停止Annet Sur Marne 123 Rue dugunéralde Gaulle（以前是Grande Rue）77410 Prud'Homme先生（Ex M. Pawl Louis）在Annet Sur Marne 46 Rue Aux Rue Aux Rue aux rue aux 777410中SUR MARNE 名为 La Fontaine Rouge 的地方 77410 MONDIAL AUTO PIECES 在 ANNET SUR MARNE 站 1 rue du général de Léry 77410 Mr. PLUVINAGE 在 ANNET SUR MARNE 站 66 Rue Grande（目前在 du G. de Gaulle 77410） Mr. RAUSCENT 在 ANNET SUR MARNE 站 77410 Mr. RAYET 在 ANNET SUR MARNE 站 Rue des Moines 77410 POTTERY CENTER SARL 在 ANNET SUR MARNE 站 RN 371 77410 RIVA 在 ANNET SUR MARNE 站 18 Avenue du Général de Gaulle 77410
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