目的。[1-3]此外,等离子体在包括太空推进和生物医学技术在内的许多领域都起着重要作用。[4-6]阴极管和等离子体的一代需要外部电源设备,但是不幸的是,由于其重量较重,而且体积较大,因此该设备无法便携。因此,高压应用在没有电力供应的太空,战场和偏远地区等严酷的环境中存在严重限制。基于Triboelectrification和静电诱导的工作机制的Triboelectric纳米发育仪(TENGS)[7-11]可以在我们的圆形或人类运动中的机械运动中产生电力,而无需外部电源。[12–16]到目前为止,Teng产生的功率已被用作可植入的医疗设备,发光二极管,液晶显示器,传感器和低功耗电子设备的能源。[11,17–20]考虑到自动高压和便携性,Teng可以被视为高压应用的理想驾驶源。在这项工作中,我们提出了一个基于锯齿的电极的Teng(SE-TENG),该Teng(SE-Teng)基于火花放电来产生超高功率输出,以直接驱动高压操作设备。接触两种不同的摩擦材料,然后
Triboelectric纳米生成器(Teng)脱颖而出,是可穿戴应用最有希望的新兴可再生能源收集技术之一。11此类设备能够利用各种形式的机械能,例如振动,压力和旋转,并将其转化为电。12 - 15托架电荷建立在表面上,在机械应力或变形下,具有不同电子亲和力的两种不同材料会导致两种电极之间的电势差,并且可以直接用于电源范围,以供电,例如LED或MINI手表。16,17此外,产生的电力可以存储在电化学电池或超级电容器中,从而使各种端口设备的运行。最近出现了18种基于纺织品的Tengs作为电子纹理应用的自源来源,由于其轻巧,柔性和可穿戴的性质而引起了相当大的关注。19 - 21但是,它们的低功率发电能力表明了足够的功能,以进一步开发为可穿戴的电子纹理创造自给自足的功率来源。22
摘要:在物联网和人工智能的时代,高度的轻巧和灵活的自充电系统具有同步能量收集和能量存储,这是高度满足的,可以为无效,分布式和低功率可耐磨性电子机构提供稳定,可持续性和自主的电源。然而,缺乏关于基于摩擦电纳米生成器(TENG)的最新作品的综合审查和挑战性的讨论,这些基于基于的自动充电功率纺织品,这很有可能成为未来的能源自主能力来源。在此,从纺织结构设计的方面全面总结了自动充电纺织品杂交纤维/织物型tengs和纤维/织物形状电池/超级电容器的杂交。基于当前的研究状况,最终还讨论了关键的瓶颈和更明亮的自我充电功率纺织品的前景。希望自我充电电源纺织品的最新研究的摘要和研究可以帮助相关的研究人员准确掌握研究的进度,专注于关键的科学和技术问题,并促进进一步的研究和实际应用程序。
可穿戴电子设备,人工智能和第五代无线技术的平行演变创造了一种技术范式,有可能深刻地改变我们的生活。尽管如此,解决与可穿戴电子产品的连续,可持续和普遍的动力相关的局限性仍然是一种瓶颈,以最大程度地提高这些技术可以带来协同作用的指数良好的好处。最近的一个开创性发现表明,通过使用接触电力和静电诱导的耦合效果,互动纳米生成器(TENGS)可以有效地转化不规则的,低频率的无性生物力学能量,从身体转移到电能中,从而使电源可维持和可持续的发动机,从而提供了可维护的启用。已经利用了许多人类动议,以正确和有效地利用这种能量潜力,包括人类的行动。鞋子是日常穿着必不可少的组成部分,可以作为利用这种动力学的绝佳平台。在本文中,全面审查了基于Teng的智能电力发电鞋的最新代表性成就。我们总结了这种方法,不仅可以通过门诊运动清除生物力学能量,而且还可以通过跟踪节奏和节奏的强度来对健康参数进行生物监测,以帮助phithanotanotanotanotanotanotanotanotical fileds。这项工作提供了对理性结构设计,实用应用,场景分析以及基于Teng的智能鞋的性能评估的系统综述。此外,讨论了对即将到来的物联网时代的可持续和普遍的能源解决方案的未来开发的观点。
随着传感器技术的快速发展,摩洛电纳米生成器(TENGS)已成为智能电子产品的有前途的可持续电源。在此制造了一种新型的3-氨基丙基三乙氧基硅烷(CORE)和2,2-双(羟甲基)丁酸(单体)基于单体超支线聚酯的丁酸(单体)的超支聚酯,可通过便利的单步多粘密度技术(SI-HBP-G2)(SI-HBP-G2)。此外,SI-HBP-G2混合纤维混合物的新型聚偏二氟(PVDF)和不同的重量百分比(0、5、10、15和20 wt%)是由传统的静电纺织技术制备的。使用SEM/EDS,FTIR,NMR和XRD研究表征了准备的Si-HBP-G2及其混合物。使用铝(AL)作为计数器电极评估Si-HBP-G2含量对打开电路电势(V OC)和短路电流(I SC)的影响。其中,Si-HBP-G2/PVDF杂交垫(PG2-15)的15 wt%表现出卓越的电性能。几乎增加了5.9倍(22–130 V)的V OC和I SC的4.9倍(0.71–3.5μa),而不是PVDFFILEBER。这些结果揭示了Si-HBP-G2在底环式性能中的重要性。优化的TENG设备(PG2-15/al-Teng)在100mΩ外部负载下表现出0.2 wm-2的峰值密度。最后,PG2-15/al-Teng实际上展示了实时应用能源收集应用,例如为100个LED和秒表供电。
