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应注意,T C的值对多层石墨烯对库仑排斥的介电筛选敏感,这又取决于位置场诱导的带隙。作为rytova-keldysh参数r k的函数[图。3(c)],典型的t c在d = 60 meV范围从r k = 1 nm的tc≈3k到t c的抑制至0。1 K以上r k = 10 nm。 通过强介质筛选的T C的减少与库仑抑制作用的电子配对同意。 随着 - 知道tetralayer石墨烯的r k值,我们无法对t c进行定量预测。 nonectim,对于此处考虑的R K的合理范围,导致始终以n <0的攻击。 与实验值相比,与实验值相比, 7×10 12 cm - 2是可以接受的,尤其是考虑到平均场理论通常可以预测t c的较高值。1 K以上r k = 10 nm。通过强介质筛选的T C的减少与库仑抑制作用的电子配对同意。随着 - 知道tetralayer石墨烯的r k值,我们无法对t c进行定量预测。nonectim,对于此处考虑的R K的合理范围,导致始终以n <0的攻击。7×10 12 cm - 2是可以接受的,尤其是考虑到平均场理论通常可以预测t c的较高值。