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Visual TFT AI（浮动许可证）
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TFT 彩色 LCD 模块 - TME
简介 本文档的版权归 NEC LCD Technologies, Ltd.（以下简称“NEC”）所有。未经 NEC 事先书面同意，不得使用、复制或复印本文档的任何部分。NEC 不会承担因使用本文所述产品而产生的或与之相关的任何第三方专利、版权或其他知识产权的侵权责任，除非直接归因于其机制和工艺。NEC 不授予任何专利、版权或其他知识产权的明示或暗示许可。某些电子零件/组件会以一定的速率发生故障或失灵。尽管 NEC 尽一切努力提高产品的可靠性，但可能无法完全避免发生故障和失灵的可能性。为防止由此或与之相关的死亡、人身伤害或其他财产损失的风险，每个客户都必须在其安全设计和计划中采取足够的措施，包括但不限于冗余系统、防火和防故障。产品分为三个质量等级：客户可选择质量保证计划中最高等级的“标准”、“特殊”和“特定”。每个质量等级均针对下述应用而设计。任何打算将产品用于标准质量等级以外的应用的客户都必须同意
TFT 彩色 LCD 模块 - 未来电子
简介 本文档的版权归 NEC LCD Technologies, Ltd.（以下简称“NEC”）所有。未经 NEC 事先书面同意，不得使用、复制或复印本文档的任何部分。NEC 不会承担因使用本文所述产品而产生的或与之相关的任何第三方专利、版权或其他知识产权的侵权责任，除非直接归因于其机制和工艺。NEC 不授予任何专利、版权或其他知识产权的明示或暗示许可。某些电子零件/组件会以一定的速率发生故障或失灵。尽管 NEC 尽一切努力提高产品的可靠性，但可能无法完全避免发生故障和失灵的可能性。为防止由此或与之相关的死亡、人身伤害或其他财产损失的风险，每个客户都必须在其安全设计和计划中采取足够的措施，包括但不限于冗余系统、防火和防故障。产品分为三个质量等级：客户可选择“标准”、“特殊”和质量保证计划中最高等级的“特定”。每个质量等级均针对下述应用而设计。任何打算将产品用于标准质量等级以外的应用的客户都必须提前联系 NEC 销售代表。
TFT 彩色 LCD 模块 - AG 显示屏
简介 本文档的版权归 NEC LCD Technologies, Ltd.（以下简称“NEC”）所有。未经 NEC 事先书面同意，不得使用、复制或复印本文档的任何部分。NEC 不会承担因使用本文所述产品而产生的或与之相关的任何第三方专利、版权或其他知识产权的侵权责任，除非直接归因于其机制和工艺。NEC 不授予任何专利、版权或其他知识产权的明示或暗示许可。某些电子零件/组件会以一定的速率发生故障或失灵。尽管 NEC 尽一切努力提高产品的可靠性，但可能无法完全避免发生故障和失灵的可能性。为防止由此引起或与之相关的死亡、人身伤害或其他财产损失的风险，要求每个客户在其安全设计和计划中采取足够的措施，包括但不限于冗余系统、防火和防故障。产品分为三个质量等级：“标准”、“特殊”和“特定”三个等级，客户可选择最高质量保证计划等级。每个质量等级均针对下述应用而设计。任何打算将产品用于标准质量等级以外的应用的客户都需要提前联系 NEC 销售代表。标准质量等级适用于根据 NEC 标准质量保证计划开发、设计和制造的产品，这些产品的设计应用范围是，客户使用的产品（套装）或其所包含的零件/组件的任何故障或故障都不会直接或间接造成死亡、人身伤害或其他财产损失，如一般电子设备。示例：计算机、办公自动化设备、通信设备、测试和测量设备、音频和视频设备、家用电器、机床、个人电子设备、工业机器人等。示例：运输设备控制系统（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、反犯罪系统、非专门为生命支持而设计的医疗设备、安全设备等。除非本文件另有规定，否则该产品的质量等级为“标准”。特殊质量等级适用于按照比标准更严格的 NEC 质量保证程序开发、设计和制造的产品，这些产品的设计用途是，客户使用的产品（套装）或其所包含的零件/部件的任何故障或故障可能直接导致死亡、人身伤害或其他财产损失，或在比标准质量等级定义的更恶劣条件下使用而不会造成此类直接损害。特定质量等级适用于按照客户指定的标准或质量保证程序开发、设计和制造的产品，客户对此类产品的可靠性和质量要求极高。例如：军事系统、飞机控制设备、航空航天设备、核反应堆控制系统、医疗设备/装置/生命支持系统等。
低功耗、可扩展、兼容 BEOL 的 IGZO TFT eDRAM 电荷域计算
摘要 — 在有限的芯片占用空间和能源供应下，边缘人工智能 (AI) 的快速发展对边缘设备的数据密集型神经网络 (NN) 计算和存储提出了很高的要求。作为一种有前途的节能处理方法，内存计算 (CiM) 近年来在缓解数据传输瓶颈的努力中得到了广泛的探索。然而，片上内存容量较小的 CiM 会导致昂贵的数据重新加载，限制了其在大规模 NN 应用中的部署。此外，先进 CMOS 缩放下增加的泄漏降低了能源效率。在本文中，采用基于铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的器件电路协同来应对这些挑战。首先，提出了 4 晶体管 1 电容器 (4T1C) IGZO eDRAM CiM，其密度高于基于 SRAM 的 CiM，并且通过较低的器件泄漏和差分单元结构增强了数据保留。其次，利用新兴全通道 (CAA) IGZO 器件的后端 (BEOL) 兼容性和垂直集成，提出了 3D eDRAM CiM，为基于 IGZO 的超高密度 CiM 铺平了道路。提出了包括时间交错计算和差分刷新在内的电路技术，以保证大容量 3D CiM 下的准确性。作为概念验证，在代工厂低温多晶和氧化物 (LTPO) 技术下制造了一个 128 × 32 CiM 阵列，展示了高计算线性度和长数据保留时间。在扩展的 45nm IGZO 技术上的基准测试显示，仅阵列的能效为 686 TOPS/W，考虑外围开销时为 138 TOPS/W。
通过原位界面氢掺杂的 Zn-O 薄膜晶体管
报道的氢掺杂方法也需要高温工艺。11此外，氢掺杂可以显著增加a-IGZO TFT的导通电流，从而大大降低导通/导通电流比。15众所周知，TFT中的电子传输集中在半导体-电介质界面附近。16因此，在界面附近的有限区域内自发氢掺杂对于同步实现灵活、高性能的a-IGZO基TFT和光传感器是理想的选择，尤其是在低温下。此外，氧化铝（Al2O3）是一种高k材料，广泛用作氧化物半导体TFT中的电介质层。Al2O3电介质的制造方法包括原子层沉积（ALD）、17物理气相沉积（PVD）18和溶液工艺。 19通常，ALD需要150℃以上的高衬底温度才能获得高质量的Al 2 O 3 薄膜。Kessels等20报道了一种氧等离子体增强ALD（PEALD）技术，该技术可以在低温下沉积Al 2 O 3 薄膜，所得薄膜含有氢等杂质。在上述方法中，PEALD技术具有薄膜质量高、厚度控制精确、大面积均匀性好、工艺温度低等优点，非常适合于制作高性能柔性器件。本文研究了在不同温度下通过PEALD沉积Al 2 O 3 栅极电介质的a-IGZO TFT的感光特性。室温 (RT) 制备的 a-IGZO TFT 得益于原位界面氢掺杂效应，表现出较高的光电检测性能。通过采用基于 RT a-IGZO TFT 的可区分颜色光传感器阵列实现了彩色图案成像，并通过在聚合物基板上制备 TFT 展示了其灵活性。还展示了高温制备的 a-IGZO TFT 的光刺激突触行为。
请引用原始版本：Liu，F.，Gillan，L.，Leppäniemi，J。，＆Alastalo，A。（2023）。对
平行于金属氧化物TFT，有机材料，碳纳米管（CNT）和2D材料的实现。有关最近的评论，请参见参考。[22,23]。材料方法在其特性上有所不同，例如电荷载体类型（电子或孔），电荷载体迁移率，环境和电气稳定性，机械柔韧性，操作电压，处理的热预算，用于高通量制造的技术阅读水平以及可持续性（环境脚步）（材料和流程的环境脚印）。也有一些方法结合了不同的材料类别，例如，通过将主要的N型氧化物TFT与P型有机TFT结合在一起来构成互补的逻辑。[24]在本文中，我们专注于柔性薄膜设备的表现最高的金属氧化物TFT，这些设备可以通过打印来进行图案，并且已经达到了产品织物的成熟度（例如，平面式显示器）。[2]
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
金属半导体场效应晶体管，10 – 15 ) 等等。特别是 In – Ga – Zn – O (IGZO) 是柔性 TFT 有源通道的有希望的候选者，因为即使在室温下沉积，IGZO 也表现出超过 10 cm 2 V − 1 s − 1 的电子迁移率。16、17) 然而，IGZO TFT 通常需要在 300°C 左右进行热退火，以减少因各种类型的加工损坏而形成的缺陷。18 – 22) 我们小组报告说，通过 Ar + O 2 + H 2 溅射沉积的氢化 IGZO 薄膜非常有希望用于制造低于塑料基板软化温度的氧化物 TFT，以用于未来的柔性设备应用。通过低温（150°C）退火可以减少沉积态IGZO薄膜中产生的缺陷。15、23、24)场效应迁移率（μFE）为13.423)