地球技术。美国最近的历史表明,我们的太空计划刺激了广泛的技术创新,这些创新在消费市场中得到了广泛的应用。太空技术以无数种方式彻底改变了我们的日常生活,并将继续这样做。来自太空的能源、太阳能和聚变燃料的进步、先进通信的有用材料、新资源、医学突破以及对人类潜力的更深入了解是我们可以期待的一些直接好处。太空探索计划提供了集中目标,以实现实用和有益的技术变革。
极限风荷载可以接受地小。从经济或保险的角度来看,这个概率概念很重要。如果疏散或类似措施不能防止人员伤亡,那么从安全的角度来看,它也很重要。但是,
尽管该策略是针对青光眼研究而优化的,但它也可以检测其他类型的缺陷。如果患者患有神经系统疾病(或检查结果表明这种情况),可以使用针对此类病例进行优化的 SPARK 策略变体。它甚至比青光眼病例更短,这有助于检查某些协作程度有限的患者。它采用三个连续阶段,在某些情况下,第一阶段可能足以进行定向诊断,对于无法延长检查时间的患者尤其有用。
A. BB84协议和无条件安全查理·贝内特(Charles H.在此协议中,两个主角爱丽丝和鲍勃使用两个通信通道:一个量子通道和另一个经典通道。量子通道允许必须非常弱的量子对象传输量子效应。窃听者,即夏娃,尽管量子通道的性质限制了她的动作,但应该完全访问此量子通道。这些量子对象的制备方式是,夏娃暂定获取信息将根据量子力学诱导,通过扰动爱丽丝和鲍勃可以通过经典通道比较通信来衡量的信号。
摘要:本文的目的是研究表征MOSFET晶体管结构对阈值电压值的物理参数的影响。还可以分析底物(身体效应)对阈值电压的作用。MOSFET阈值电压值将在设备的动态和静态工作状态(模式)中产生影响。基于获得的结果,我们可以进一步看到每个物理参数对阈值电压总值的影响。我们可以看到这些参数中的哪个将对阈值电压产生重大且小的影响。因此,考虑到我们可以调整MOSFET物理参数的值以达到所接受的阈值电压。关键词:MOSFET参数,阈值电压,身体效应,增强型NMO,掺杂密度,短通道,窄通道。1简介特征MOSFET晶体管的重要值是阈值电压的值。根据MOSFET类型,阈值电压的值可能为正值和负值。在MOSFET晶体管的制造过程中,可以控制此值。N通道增强型MOSFET(或NMO)的物理结构如图1所示。由于增强型NMO比其他类型的MOSFET晶体管具有优势,因此在遵循时,我们将分析此。MOSFET晶体管的末端用S(源),D(drain),G(Gate)和B(身体)表示。创建(诱导)导电通道(导致表面反转)所需的栅极到源电压V GS的值称为阈值电压,并用V t或V t表示[1、2、3、4]。阈值电压的值取决于某些特征MOSFET结构的物理参数,例如:栅极材料,氧化物层T ox的厚度,T OX的厚度,底物掺杂浓度(密度)N A,氧化物 - 接口固定电荷浓度(密度)N OX,N OX,n ox,n ox,通道长度l,通道宽和偏置Voltage V sb v sb [2,5]。
摘要 — 提出了一种可变阈值电压保持器电路技术,用于同时降低多米诺逻辑电路的功耗和提高速度。在电路运行期间,保持器晶体管的阈值电压会动态修改,以减少争用电流,而不会牺牲抗噪性。与标准多米诺 (SD) 逻辑电路相比,可变阈值电压保持器电路技术可将电路评估速度提高高达 60%,同时将功耗降低 35%。与 SD 电路相比,使用所提出的技术可以增加保持器尺寸,同时保持相同的延迟或功率特性。与具有相同评估延迟特性的 SD 电路相比,所提出的多米诺逻辑电路技术可提供高 14% 的抗噪性。与具有相同保持器尺寸的 SD 电路相比,还提出了对保持器晶体管进行正向体偏置以提高抗噪性。结果表明,通过应用正向和反向体偏置保持电路技术,可以同时提高多米诺逻辑电路的抗噪能力和评估速度。
当时看起来令人兴奋,但当然,要使假设变得可靠,还需要更多的证据。幸运的是,这些额外的证据在去年已经出现。目前,该指数已为英国(Jackson and Marks,1994,见图 1)、德国(Diefenbacher,1994,见图 1)、荷兰(Rosenberg and Oegema,1995,见图 1)、丹麦(Jesperson,1994)和奥地利(Obermayr et al.,1994,见图 1)得出。尽管由于当地特点和/或数据可用性而存在一些方法上的差异或调整,ISEW 分析表明,在迄今为止研究的所有国家中,人均经济福利在研究期初期有所上升,然后开始下降,尽管人均国民生产总值持续增长。