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对COTS处理器进行了EMI敏感性分析作为老化的功能
技术扩展使电子设备可访问并为全球几乎每个人都能负担得起，并且自六十年代以来就已经提高了集成电路（IC）和电子功能。尽管如此，人们众所周知，这种扩展为半导体行业带来了新的（和主要）可靠性挑战[1-4]。国际标准已被提出并用于测试ICS的衰老（例如MIL-STD-883H [5]的第1015.9部分），以及进行的和IRRA和IRRA介绍电磁干扰（EMI）[6-9]。尽管如此，这些标准并未考虑到衰老的可能综合作用可能对IC的免疫水平产生。先前已发表的工作[2]根据直接功率注入（DPI）标准[10]，解决了EMI对商业微控制器（本文中的零件编号和制造商）的影响。在[4]中，作者提出了一个EMC可靠性模型，以预测IC的EM发射。该模型考虑了高温，电流和电压应力的组合，考虑了衰老。基于商业FPGA（XI Linx Spartan 6）验证了EM预测模型。在[11]中，作者提出了一种建模方法，旨在预测衰老对加速寿命测试后（由于高温）后的相锁环（PLL）电路的易感水平的影响。根据IEC 62132-3标准[10]定义的直接功率注入（DPI）方法对PLL敏感性进行了表征。其他作者[12，13]发表了一项作品，分析了执行EMI和总离子剂量（TID）
战略计划2020-2025
4IR : 4th Industrial Revolution AGSA : Auditor General South Africa ANC : African National Congress BBBEE : Broad Base Black Economic Empowerment DCSSL : Department of Community Safety, Security and Liaison DDM : District Development Model DPWRT : Department of Public Works, Roads and Transport EPWP : Expanded Public Works Programme EXCO : Executive Council GDP : Gross Domestic Product GIAMA : Government Immovable Asset Management Act ICT : Information and Communication Technology IDMS : Infrastructure Delivery Management System MEGDP : Mpumalanga Economic Growth and Development Path MIFPM : Mpumalanga International Fresh Produce Market MIMP : Mpumalanga Infrastructure Master Plan MPG : Mpumalanga Provincial Government MTEF : Medium Term Expenditure Framework MTSF : Medium Term Strategic Framework NDP : National Development Plan PAIA : Promotion of Access to Information Act PAJA : Promotion of PFMA行政司法法：公共财政管理法案PICC：省级基础设施协调委员会PVPA：房地产估价师职业行为RAMS：道路资产管理系统RAMS RAMS：道路资产管理系统Sanral：南非国家道路局有限公司SEDP SEDP SEDP：社会企业发展计划Sero：Socio-Secio-Secio-Splan sero：Scooio-Splabil Splabil Indust smm smms smme smme smmme：Smme smme：使用管理ACT TID：技术指标描述
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
心肌灌注成像
心肌灌注单光子发射计算机断层扫描心肌灌注成像是压力成像程序，在Coro Nary动脉疾病（CAD）患者管理中最广泛使用的压力成像程序[1]。门控MPS pro提供了有关心肌灌注症的程度和严重程度的重要信息，包括心肌缺血，左心室（LV）腔大小和功能以及机械性异性障碍。此外，它可以提供有关瞬时缺血性扩张（TID），肺摄取，右心室摄取，dex中的左心室左心室摄取（LVEF）和球形性的杂物。使用MPS在可疑或已知CAD患者管理中使用MP的原因之一是，即使在任何患者中，即使在“声窗口”，植入金属物体，心脏异常缺失或肾功能障碍的患者中，它也可以进行。通过引入药理学压力剂，现在可以安全地在大多数不会成为运动压力的患者的患者中执行MPS，从而在测试策略中增加了灵活性，并为几乎所有患者提供了更大的测试可用性。辐射暴露的关注虽然是真正的辐射，但通过科学创新和适当的变化在MPS指南中积极解决。具有较小剂量的放射性示例的新一代伽玛相机的引入，该伽马相机允许获得高质量的IM年龄
休息区突袭行动逮捕 3 名涉嫌贩毒者“我很自豪......
10 3 • tom fii|S tio lh v i* S R u > O j>-dN 31 n w r 0 2 4 .1 1 2 - 1iiso< fn on u > jo * M tid cc BMdA,iH<>n4 1 , 1 1 9 • 0itu n /rth r> O d iM 7l p btvpnrnC o*fvH O V O 。1 2 5 - W dikfldpy iSMi u 6*un BkTticy 1 2 7 ; 1 3 0 - Sttw c SUfi'V%.SRl0 0《WAIlf》oft'3 0 ？.1 3 5 *£nC 0 o p p tS 9 > w o n b f >orV*l. 1 4 0 • C n jd C 10 t> 1 SP» n u i Uvc lf>c huuuu 2 7 lB 1 4 5 — H iW U B < u w n iM lip kihn t*n d t 1 8 .1 5 2 - flhome; & o«ei tM !l dvc M ,ke Cood'c> 5 4 . div>1 6 0 ~ U cofge *ttn 1 7 1 - Ckiy C d$n 1B 9 ~ )jmc% kkO»adr ISRi p U*v Oownidn 1 3 ;1. 2 7 5 ~ 韦德 Oi,tk-t iM h p )e>t fostc> S ±11 7 1 - Ckiy C d$n 1B 9 ~ )jmc% kkO»adr ISRi p U*v Oownidn 1 3 ;1. 2 7 5 ~ 韦德 Oi,tk-t iM h p )e>t fostc> S ±11B 9 ~ )jmc% kkO»adr ISRi p U*v Oownidn 1 3 ;1.2 7 5 ~ 韦德 Oi,tk-t iM h p )e>t fostc> S ±1
ordförådOchspråkförståelseHosFörskolebarnmed cochleaimplantat i关系直到språkmiljöalva piehl
摘要语言学习发生在孩子生命的第一年，并与孩子的周围环境互动。今天，对语言能力的要求很高，例如多样化的词汇和良好的语言理解。先前的研究表明，与具有典型听力能力的同龄人相比，具有人工耳蜗（CI）的儿童经常会经历延迟的语言发展。这项研究的目的是以人才的数量以及成人词的数量以及词汇发展的数量以及对CI学龄前儿童的语言理解的形式来描述家庭中的语言环境。该研究包括12名儿童，其中包括6个与CI的儿童，他们是在Karolinska大学医院的听证植入部分招募的。用瑞典评估交流开发库存（SECDI）的父母形式评估了词汇，并使用发育快照的父母形式评估了语言理解。使用语言环境分析（Lena）软件分析了语言环境。在结果中，有迹象表明，在生命的第一年，患有CI的儿童的语音语言发展延迟，此后随着时间的流逝发展成为年龄在同等年龄的词汇和语言理解与2至4岁年龄相对应的语言理解。描述性分析还表明，与具有典型听力的儿童相比，CI的儿童以成人单词数量和成人单词数量和摄取数量的形式更需要更多语言的语言环境。在语言环境，词汇和语言理解的组中观察到个体变化。这些变化可以与可听见的屏幕时间，有意义的语音（儿童附近的语音）和干预类型相关联。这项研究的结果表明，一些CI的儿童的口语环境与日常生活中的正常儿童相似。随着时间的流逝，有三分之二的CI孩子达到了同等年龄的词汇，而有CI的两个孩子之一获得了年龄等效的语言理解。但是，为了概括这些结果，需要对较大选择组进行更多相似的研究。关键字：词汇，语言理解，语言环境，语言环境分析（LENA），耳蜗植入物（CI）
糖尿病协会
*声明-TIMI研究目的：Dapagliflozin 10 mg在17,160种随机2型糖尿病（T2D）中有或没有既定心血管疾病（CVD）的影响。T2D带有CVD：缺血性心脏病，周围动脉或脑血管疾病的患者，无CVD的T2D：至少有两个危险因素的患者：男性≥55岁，女性≥60岁，至少有一名 - 下列高血压，血脂异常，血脂异常，吸烟。该研究有两个化合物主要有效点。狼牙棒时间：HR 0.93（95％CI 0.84-1.03）p = 0.17和心力衰竭（HF）或CV死亡的时间插入：HR 0.83（95％CI 0.73-0.95）P = 0.005（0.9％ARR）。pre-specified secondary endpoints: Composite Renal endpoint (sustained confirmed ≥ 40% decrease in EGFR <60 ml/min/1.73 m² and/or kidney disease in the end stage and/or renal death) HR 0.53 (95% CI 0.43-0.66) (1.3% arr) Dapagliflozin 10 mg in 4,744 patients with New York Heart Association Class II, III or IV心力衰竭和ejektection部分≤40％。该研究包括有和患有2型糖尿病的患者。主要终点是一个复合端点，该终点是由心力衰竭或心血管死亡的恶化组成。在18.2个月的中位数中，在Dapagliflozin组的2,373例患者中，有386例（16.3％）的主要终点，在安慰剂组中的2,371个Paisies（21.2％）中的502个（HR，0.74; 95％CI 0.65-0.85; p <0.0.85; p <0.00; p <0.001）中的终点。 4,304例慢性肾脏疾病患者（EGFR≥25至≤75毫升/min/min/1.73 m2和蛋白尿（UACR≥200≥200且≤5000mg/g），达帕列氟嗪10毫克。研究包括有或没有2型糖尿病的PAISIE。主要终点是一个复合端点，该终点是持续≥50％的EGFR，末期肾脏疾病，肾脏或心血管死亡。在28.5个月的中位数中，dapagliflozine组的2,152例患者中的197例（9.2％）发生，在安慰剂组的2152例患者中，有312例（14.5％）（HR 0.61; 95％CI 0.51-0.72; p <0.0001）。次要终点：持续≥50％OAKFR跌落的复合端点，端子
传感器
摘要：随着金属氧化物半导体 (MOS) 制造技术的不断发展，晶体管自然而然地变得更耐辐射，这是通过稳步减小栅极氧化物厚度来增加栅极氧化物和沟道之间的隧穿概率。不幸的是，尽管已开发的晶体管具有这种抗辐射性能，但核电站 (NPP) 领域仍然需要更高的抗辐射水平。特别是在严重事故条件下，读出电路可能需要大约 1 Mrad 的总电离剂量 (TID)，而反应堆堆芯周围则需要 100 Mrad。在核电站等恶劣辐射环境中，微型袖珍裂变探测器 (MPFD) 等传感器将是一种很有前途的技术，可用于检测反应堆堆芯中的中子。对于这些传感器，读出电路应从根本上靠近传感设备放置，以最大限度地减少信号干扰和白噪声。因此，高辐射环境下的电路必须具有抗辐射能力。本文介绍了采用 SiGe 130 nm 和 Si 180 nm 制造工艺、不同通道宽度和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和双极 CMOS (BiCMOS) 晶体管类型的抗辐射电荷敏感放大器 (CSA) 的各种集成电路设计。这些电路在高水平活度：490 kCi 的钴-60 γ 射线环境下进行了测试。实验结果表明，随着辐照剂量的增加，幅度下降 2.85%–34.3%，下降时间增加 201–1730 ns，信噪比 (SNR) 降低 0.07–11.6 dB。这些结果可为抗辐射运算放大器在晶体管尺寸和结构方面的设计提供指导。
X射线故障注入：从安全角度审查防御方法
在空间和航空电子应用程序的背景下，在很大程度上已知并研究了总电离剂量（TID）辐射对金属氧化物半导体（MOS）电路的影响。多年来，人们已经知道，诸如X射线之类的高能辐射可以用作诱导扰动到电路的均值，从而可能影响在恶劣环境中运行的系统的可靠性和安全性[1]。但是，直到最近才透露，从安全的角度来看，它们也可能成为威胁。[2]中介绍的作品证明了使用基于同步加速器的纳米焦点X射线梁的单晶体管级攻击的性能。在[3]中提出了进一步的进步，该进步证明了使用简单的实验室X射线源进行此类攻击的可行性。钨或带有微观孔的铅膜，使用聚焦离子束（FIB）钻孔，可以沉积在目标电路上。只有与孔对齐的区域暴露于X射线，从而可以控制所选区域的照明。该技术和整个论文的考虑故障模型是半永久性故障模型。n型MOS可以被迫进入永久导电状态，而P型MOS可以被迫进入永久的开放状态。这种效果仍然是可逆的，可以通过简单的热退火处理来恢复电路的正常状态。半永久性断层与瞬态注射方法（如激光或EM）不同，依赖于氧化物水平上电荷的积累以生效，从而引入了降低X射线束的时间分辨率的时间不精确因素。当前，仅探索了对内存的攻击，因为它们不需要时间同步，但是在展示更高级攻击之前可能只是时间问题。