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具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV
CARES 法案提供商救济基金常见问题
供应商救济计划：供应商救济基金和 ARP 农村支付常见问题一般信息概述证明拒绝或退回付款供应商救济基金条款和条件 ARP 农村支付条款和条件所有权结构和财务关系审计和报告要求资金使用计算合格费用和收入损失支持数据所有权变更非财务数据扩展杂项 COVID-19 疫苗分发和管理余额账单上诉发布付款数据供应商救济基金一般分发和 ARP 农村支付第 1 阶段概述和资格确定额外付款供应商救济基金支付门户 - 第 1 阶段 - 一般分发数据共享第 2 阶段概述和资格税务识别号 (TIN) 验证流程申请流程第 3 阶段概述和资格税务识别号 (TIN) 验证流程申请流程第 4 阶段和 ARP 农村支付第 4 阶段概述和资格 ARP 农村支付概述和资格要求 第 4 阶段/ARP 农村支付 税务识别号 (TIN) 验证流程 第 4 阶段申请流程 第 4 阶段复杂财务状况 ARP 农村支付申请流程 定向分配 农村定向分配 COVID-19 高影响区域定向分配
CARES 法案提供者救济基金常见问题解答
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为庆祝……成立 77 周年举办晚宴
Wunna Kyaw Htin 头衔 1. Daw Hla Hla Win 地区总检察长 实皆地区总检察长办公室 2. U Hla Htay 常任秘书 联邦宪法法庭办公室 3. U Khaing Tun Oo 常任秘书 内政部 4. U Tin Myint 成员（已退休） 联邦宪法法庭办公室 5. U Maung Hla 成员（已退休） 联邦公务员委员会 6. U Hla Swe 大使（已退休） 外交部 7. U Tin Tun 大使（已退休） 外交部 8. U Hset 大使（已退休） 外交部 9. U Maung Maung Lay 大使（已退休） 外交部 10. U Thaung Lwin 大使（已退休） 外交部 11. U Shwe Zan Aung 大使（已退休） 外交部 12. U Ko Ko Gyi 大使（已退休） 外交部 13. U Nyunt Hlaing 大使（退休） 外交部 14. Soe Lwin Nyein 博士 卫生部总干事（退休） Alinka Kyaw Swa 头衔 1. 少校 Khin Maung Hla (Yebaw Khin Maung Hla) 主唱 Theikpa Kyaw Swa 头衔 2. Tin Tun Oo 博士，新闻部 缅甸新闻委员会主席 3. Daw Nwe Nwe Khin 卫生部，缅甸护士和助产士主席理事会
XXV国际研讨会“异性化合物化学方面的进步”和XXII国际研讨会，涉及无循环和环状异质化化合物的某些化学问题 - 摘要（在线版本）
方案1。x如方案1中，r =CH2 OC（= O）Ch 3;两个光学异构体分别聚合。摩尔质量（m n）达到了10 4 g/mol。通过多偏敏制备相似的结构。在我们的实验室中，将聚合物用作神经指南，在药物输送中，Ca + / mg +液体膜中的选择性主动转运和聚合物的合成 - 无机杂交。[2,3]参考文献[1] S. Penczek，J。Prepula，K。Kaluzynski，聚（烷基磷酸盐）：来自生物粒分子和生物膜的合成模型，向聚合物 - 甲状腺素造型型混合物（模仿生物源化），生物骨化菌群，5477.55555555。[2] S. Penczek，通过开环聚合的生物聚合物模型，编辑。S. Penczek，CRC，2017年。 [3] C. Pelosi，M.R。 Tinè，F.R。 WURM，主链水溶性的多磷蛋白：多功能聚合物作为生物医学应用的可降解PEG替代品，欧洲聚合物杂志，2020，141，110079 .. >S. Penczek，CRC，2017年。[3] C. Pelosi，M.R。Tinè，F.R。 WURM，主链水溶性的多磷蛋白：多功能聚合物作为生物医学应用的可降解PEG替代品，欧洲聚合物杂志，2020，141，110079 .. >Tinè，F.R。WURM，主链水溶性的多磷蛋白：多功能聚合物作为生物医学应用的可降解PEG替代品，欧洲聚合物杂志，2020，141，110079 ..
查看接受的手稿（DOE）
HFO 2的基于抗抗抗抗抗抗抗抗抗曲线样薄膜正在越来越多地考虑用于商业设备。然而，即使有最初的承诺，电气特性（例如损耗切线和泄漏电流）的温度灵敏度仍未报告。50 nm厚，4个。％al掺杂的HFO 2薄膜是通过原子层沉积合成的，顶部和底部电极均为锡或pt。对它们的电容与温度的研究表明，pt/al：HFO 2/pt的相对介电介电常数为23.30 6 0.06在室温下，电容的温度系数（TCC）为78 6 86 ppm/c，而tin/al a al a al a fimel a tin/a al a a ilect ppm nectient ppm/c相对持续时间均为32. TCC为322 6 41 ppm/c。这两种设备的电容在1至1000 kHz上的电容差于125至125C。两个电容器在0.03均保持损耗切换，泄漏的电流密度为10 9 –10 7 A/cm 2在125至125至125 C中的泄漏密度在125至125 C之间。 0.79 J/cm 3在125至125 C范围内的51.79％6 2.75％的效率下。pt/al：HFO 2/pt电容器还保持稳定的ESD为9.83 6 0.26 J/cm 3，效率为62.87％62.87％6 3.00％，比同一温度范围内。在两个电容器中的这种低损耗及其热稳定性使抗抗纤维样，掺杂的HFO 2薄膜是温度稳定的微电子学的有希望的材料。
回顾介电性：增加灵敏度，减少响应时间并抑制生物传感器中非特异性结合的方法？
摘要纳米钻阵列与光电探测器的组合可以成为SI平台上大规模制造微型和具有成本效益的折射率传感器的策略。然而，互补的金属 - 氧化物 - 血管导体（CMOS）制造过程尤其是在可用于制造结构的材料上的限制。在这里，我们专注于使用CMOS兼容的过渡金属氮化钛（TIN）来制造纳米孔阵列（NHAS）。我们研究了使用高精度工业工艺制造的锡NHA的光学性质（50 nm，100 nm和150 nm），用于在集成的等离子，等离子折射指标传感器中使用。反射率测量显示出明显的Fano形共振，共振长度在950至1200 nm之间，这可以归因于通过NHA的非凡光学传输（EOT）。使用测量的材料介电常数作为输入，测得的光谱是通过具有很高准确性的模拟来重现的：模拟和测量的共振波长偏离小于10 nm，平均在30°和40°°的发病角度下观察到的平均4 nm偏差为4 nm。我们的实验结果表明，锡层从50到150 nm的厚度增加导致灵敏度从614.5 nm/riU增加到765.4 nm/riU，我们将其归因于具有空间扩展SPPS的孔中的单个LSPR之间的强耦合。我们的结果可用于提高锡NHA在片上等离子折射率传感器中的应用。
冲突矿产概述供应商和首选供应商（PSL）
tantalum，Tin，Tungsten和Gold合理地确保它们以与经济合作与开发组织（OECD）的方式相一致，该指南（OECD）指南，从冲突受影响和高风险领域的矿产或高度风险领域或等价和公认的尽职勤奋框架的矿物质供应链。
PB – SN – BA网格合金的机械性能 - 铅...
具有所需特性的合金可以通过控制组合物或加工[9，10]来定制微结构来开发。因此，研究人员搜索可以改善纯铅的概念的合金元素[11-13]。在此类元素中是钡和锡，增加了铅的增加，增加了拉伸强度和蠕变耐药性[14-20]。此外，钡引入铅锡合金还会增加硬度，减少电化学活性，从而增加腐蚀稳定性[21]。钡还可以使这些特性保持稳定，因为防止了过度衰老。高含量的锡的存在也抑制了铅基合金的过度分支过程[22]。另外，通过防止钝化并允许电池从深处排放的条件中弥补电池的钝化和充电，锡罐有助于网格的电化学性质。