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对映选择性分子间 C−H 胺化定向...
摘要：C(sp3)−H键的对映选择性胺化是一种强大的合成转化，但在分子间实现却极具挑战性。我们开发了一系列用于 Rh 催化 C−H 胺化的最佳催化剂 Rh2(esp)2 的阴离子变体，并将其与源自季铵化金鸡纳生物碱的手性阳离子相结合。这些离子对催化剂可以在带有侧羟基的底物的苄基 C−H 胺化中实现高水平的对映选择性。此外，手性阳离子的喹啉似乎与铑配合物进行轴向连接，与 Rh2(esp)2 相比，产品产量更高，突显了阳离子所起的双重作用。这些结果强调了在具有挑战性的过渡金属催化转化中使用手性阳离子控制对映选择性的潜力。
低碳燃料标准中电动地面支持设备的能源经济比
加州低碳燃油供应计划 (LCFS) 允许充电基础设施或电气设备的所有者为许多不同设备类别生成信用，包括叉车、公路卡车、场内拖拉机、货物装卸设备和船舶岸电。电动空侧地面支持设备 (eGSE) 不被排除在该计划之外。但是，由于 LCFS 法规中不存在此设备类别的能源经济比 (EER)，因此 eGSE 只能通过两种机制生成信用：1) 使用针对特定地点的 EER 调整的 Tier 2 路径，或 2) 使用 EER 1.0 代替针对特定设备的 EER。这两种选择都会给 eGSE 车队带来负担，从而限制其参与 LCFS 计划。事实上，目前没有 eGSE 生成 LCFS 信用。鉴于加州机场和航空公司的可持续发展努力和承诺，eGSE 是加州交通部门进一步电气化的重要设备类别。
手性阳离子指导的对映选择性过渡金属催化
在手性阳离子催化中，催化剂与阴离子中间体配对，通常是由无机碱基的反应物质子抽象引起的它形成的。例如，诸如烷基化，迈克尔添加，藻反应和曼尼奇反应等反应已经融合了中间体，并且可以使用手性阳离子相转移的细胞来促进中间体。1 B其他阴离子（例如氰化物和uoride）也可以使用这种方法分别激活以进行氰化和uorination。然而，涉及中性电子状态的反应物或对无机碱基的反应物不能使用手性阳离子催化剂进行催化。因此，为了扩大手性阳离子催化的范围，人们热切期望制定避免这种弱点的策略。为了激活与甘氨酸schi b碱添加的烯丙基醋酸盐，锣3 a和takemoto 3 b，c在
配体构象偏差驱动 Hsp90 上表面暴露赖氨酸的对映选择性修饰
摘要：由于表面暴露的赖氨酸的固有反应性低且在整个蛋白质组中普遍存在，因此对其进行靶向共价修饰具有挑战性。优化可逆结合抑制剂 ( k inact ) 共价键形成速率的策略通常涉及提高亲电试剂的反应性，这会增加离靶修饰的风险。在这里，我们采用了一种替代方法来提高赖氨酸靶向共价 Hsp90 抑制剂的 k inact ，而不依赖于可逆结合亲电性 ( K i ) 或固有亲电性。从非共价配体开始，我们附加了一个手性、构象受限的连接体，它使芳基磺酰氟与 Hsp90 表面的 Lys58 快速且对映选择性地发生反应。共价和非共价配体/Hsp90 复合物的生化实验和高分辨率晶体结构提供了有关配体构象在观察到的对映选择性中的作用的机制见解。最后，我们展示了细胞 Hsp90 的选择性共价靶向，尽管共价配体/Hsp90 复合物同时降解，但仍会导致热休克反应延长。我们的工作突出了设计配体构象约束的潜力，可以大大加速蛋白质靶标表面远端、亲核性较差的赖氨酸的共价修饰。■ 简介共价抑制剂作为药物、细胞生物学工具和化学蛋白质组学探针具有广泛的用途。不可逆的共价修饰导致药物-靶标停留时间与靶蛋白的寿命相匹配，通常与药物清除率无关。 1、2 此外，共价抑制剂可以通过与配体结合位点内或附近的非保守亲核氨基酸反应来区分密切相关的旁系同源物。3 − 8 目标亲核试剂的选择性修饰由两步反应机制决定，其中配体的可逆结合先于共价修饰。可逆结合亲和力和最初形成的非共价复合物内共价键形成的速率 ( k inact ) 都会影响共价抑制剂的效力。9 增加 k inact 的一个明显方法是增强亲电试剂的固有反应性。这种方法的缺点是它增加了发生不良的脱靶反应的可能性。因此，共价抑制剂的优化主要依赖于最大化非共价识别元素的可逆结合亲和力。 10,11 迄今为止，快速作用、高选择性共价配体的设计主要集中在半胱氨酸上，部分原因是其高内在反应性允许使用相对不活泼的亲电试剂（例如丙烯酰胺）。12 − 14 然而，半胱氨酸是蛋白质组中最不常见的氨基酸之一，许多配体结合位点缺乏近端半胱氨酸。
束缚反离子导向催化：手性离子配对和双功能配体策略在对映选择性金（I）催化中的结合
摘要：通过膦配体将金属配合物与其磷酸反离子连接，为非对称反离子导向催化 (ACDC) 提供了一种新策略。一种简单、可扩展的合成路线可以得到具有手性磷酸功能的膦的金 (I) 配合物。该配合物产生一种催化活性物质，阳离子 Au(I) 中心和磷酸反离子之间具有前所未有的分子内关系。串联环异构化/亲核加成反应展示了将催化剂的两种功能连接在一起的好处，通过在异常低的 0.2 mol % 催化剂负载下实现高对映选择性水平（高达 97% ee）。值得注意的是，该方法还与无银方案兼容。■ 简介
通过定向核钯化对二氢唑酮与非共轭烯烃进行催化、对映选择性 α-烷基化
此类反应的立体控制已被积极研究，最典型的研究重点是 C=C 键两侧的立体分化（方案 1A）。[2] 碳（亲）亲核试剂，如 1,3-二羰基，也参与核钯化，尽管此类反应研究较少。1965 年，Tsuji 描述了 1,5-环辛二烯与二甲基丙二酸钠的计量碳钯化的早期例子。Holton 和 Hegedus 后来证明了计量碳钯化的合成效用。[3] 21 世纪初，Widenhoefer 报道了一系列关于 1,3-二羰基部分和烯烃的分子内氧化还原中性环化的开创性研究。[4] 2016 年，我们的实验室描述了非共轭烯烃与各种碳（亲）亲核试剂的底物导向烃功能化。 [5] 何立、彭立和陈立最近发现了一种单齿手性噁唑啉配体，可以使这种转化对内部烯烃具有对映选择性。[6]
地球上的非基本铂群元素比率...
r（b）3;与t（2; 3）31616,607）相媲美，适度（用于检查，r（b）13）或弱（例如r（b）4，r（b）s），它们用于构造CBX 1！r（ +）菌株进行分析。在我们研究的所有R（ +）/或杂合子中，每个UBX基因均在机翼和Haltere碟片中产生了UBX RNA的一半（数据未显示）。如上所述， + U BX基因在CBX 1 I +机翼盘中产生约20％的UBX RNA，而反向反射抑制的重排则降低了机翼盘中的UBX RNA的总水平（图2）。令人惊讶的是，在R（ +）！CBX 1杂合翼盘的NY中，源自 +染色体的UBX RNA的比例没有显着变化（图3）。这表明重排减少了两个同源物中的UBX表达，但并未具体消除转移。我们的结果表明，CBX 1突变在两个同源物上激活了机翼盘中的UBX表达，这证实了调节元件可以在Trans中起作用的预言（总结如图4）。由CBX 1诱导的翼盘表达对z功能和染色体异常敏感，与以前的基于表型或分子测定的先前提议相一致的观察结果2•17•18•18•但是，我们发现z 0 muta-tion tion tion tion tion tion and Chromososome的机制出乎意料的差异会影响表达。尽管染色体重排和Z 0基本上具有无法区分的表型后果，即抑制CBX表型，但只有Z 0专门破坏了反式激活。o出乎意料的是，染色体重排降低了两个同源物的表达。这些结果表明，在正常的野生蝇中，染色体突触增强了UBX基因在两个同源物上的表达，这表明同源染色体之间的关联对转录具有一般增强作用。我们假设果蝇中观察到转向的系统是1-9是可以以特殊敏感性来测量基因表达水平的系统。转向可以提供一种有用的方法来研究可以巧妙地影响基因的同源染色体之间的相互作用。我们的发现，同源染色体之间的相互作用似乎增强了两种染色体的表达水平具有可能的影响。特别是我们注意到，诸如易位的总染色体重排可能会导致受影响的染色体的基因表达的全球降低。因此，他们可以为与单倍症和癌症相关的DI SEASE状态做出贡献，并且可以调节物种形成期间的适应性。
评估高光谱图像中的信噪比
附录 B ................................................................................................................53
评估高光谱图像中的信噪比
附录 B ...........................................................................................................53
提高国防电子产品的信噪比
首先，我们来看看数字信号处理。传统上，航空电子和卫星电源应用与 28v 总线（或车载 14v）相关，而后者又在需要时转换为低压配电。由于控制系统和有效载荷的数字内容增加（包括可编程阵列和传感器的模拟数字 (ADC 或 DAC) 转换），该领域正在快速增长。新设计继续采用具有更高处理速度的 ASICS，要求用于去耦的多层陶瓷芯片电容器 (MLCC) 具有较低的寄生元件，即低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL)。越接近核心 ASIC 或可编程阵列，ESL 的控制就越关键。由于电容器是 2 端设备，因此基本 ESL 特性来自部件的几何形状 - 两个端子有效地定义了信号的电流环路，部件越大，环路越大，因此 ESL 也越大。解决这个问题的基本方法是使用“反向几何”低电感芯片电容器 (LICC)，其端接在侧面而不是部件的末端。在 2:1 长宽比部件（例如 1206 尺寸）中，使用反向几何版本 0612 将在相同电容/电压设计和相同空间占用的情况下将电感降低 2 倍（通常从 1nH 到 500pH）。通过使用较小轮廓的部件和较小的环路（0508 代替 0805、0306 代替 0603 等），仍然可以实现较低的电感，但这是以降低电容值为代价的 – 并且仍然要求在 ASIC 工作频率下保持电容。因此，为了实现更快的速度，需要新的组件设计，其中电感组件可以与电容组件分开。有三种方法可以实现这一点：通过电感消除、通过非常小的信号环路以及通过最小化与 PCB 接地平面的电感耦合。电感消除的一个很好的例子是数字间电容器 (IDC)。这是一种反向