XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemtj
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL（高温工作寿命）测试 6 85/85（温度-湿度-偏差）测试（THB）7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估（在 150°C Tj 下）8 表 4。高温工作寿命测试 – CP1 工艺在 150°C Tj 下 10 表 5。高温工作寿命测试 – CB2 工艺在 150°C Tj 10 表 6。高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7。高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9。高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10。高温工作寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11。高温工作寿命测试 – MB1 工艺在 150°C Tj 15 表 12。85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13。高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14。温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15。高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
1 轴和 2 轴磁传感器 - Farnell
OFFSET- (A) 1 OUT+ (A) 2 VBRIDGE (A) 3 OUT- (A) 4 OUT- (B) 5 VBRIDGE (B) 6 GND (A) 7 S/R+ (B) 8 5 S1 9.82 Tw�[(423.6.6.4 -1S)353B28.26R388 re�213[(423.6.6.4+M213.865 423.94-423.678 668Tj�Tj�01A213.13[(423.6.6.277194 l�4 43461.475 0 823 w 3465.4313- (13.174 -8 r313- 4213.174 7�0.475 0436.4b7 0.353 98. 0.6.6.465 70.384 -6947.696 1411.840558848 -4.60423 w0 01007 -6.73213.10 01007 -3.135.84 l�44�9.28.2.353�9.20.318 -3226 0 038e�B57 437.4918 479.5 A013 Tm�0.0001 0 98.2 S/R+ 0 9C�21 0.49480.86.4774914 429.2 419.6¥2.24 1845 1.694 43461.434 75323 w 3465.431e�f�113.174 -8 r31e�68613.174 7�0.434 7480.4b7 0.353 98.84 -1.4310.6.953B28.2684 - 1411.8484 8428.16.35 3 w0 492.431 -0(13.194 0.6.41 -0(13.f2 m�57�0 Tw�(�9.28.2.353�9.20.318 -3226 T�8030(157 437.4918 4 偏移+)Tj9.5 B2.24HMC1021S)Tj�/F6 1 �[(.656179 0 2 -3914 429.22 -1.4 TD�-0.16)-5f�98.0001 T�1.5825 �[(OUT- �)-5f�98.�0 T1.5825 �[(OUT-88 -1.4 TD�0.14)-5f�98.�0 �1.5825 �[(OUT-]TJ�-0.2217 13)-5f�97.0001 TB25 �[(OUT-]]TJ�-0.0288 -1.4 12)-5f�98.0TJ�1.5B25 �[(OUT- �)-5f�98.0001 T-1.5B25 �[(OUT-2 -1.4 TD�-0.10)-5f�98.0001 T�1.5B25 �[(OUT- 9)-11TJ�S)0(0 T1.5B25 �[(O/F3OUT+S)Tj�/97e�440�9.47493.6.94344712 81.2309 490TD�-0.000101 Tw�[(OFFSUT- (+)-643.9(1)]TJ�-1.806 -1.4 TD�0 Tc�[(VBR48.4)-643.9(6)]TJ�2.274 TD�01.4 TD7(VBRIDG (A))-643.8(7)]TJ�2)]TJ�2.2784BRIDG •2A))-644(1)�0 Tc0002 TwT*�[(OUT-5283ND)-644(3)]TJ�-0.2217 - OFFSE2 Tw�[(VBRIDG ©A))-644(1)]1 Tc�-02.2787(OFFSET- �A))-644(1)]TJ�.0002 Tw�[(S/R+ &.42.430 0 8.24.807�213.5-469. 0 058.430 0 8.20.423.13.5-469. 45 12.430 0 8.20.423.13.5-469.f&.42.4292010724.807�213.5-469. 0 058.4292010720.423.13.5-469. 45 12.4292010720.423.13.5-469.f&.42.420 023.4.807�213.5-469. 0 058.420 023.0.423.13.5-469. 45 12.420 023.0.423.13.5-469.f&.42.42 6611.24.807�213.5-469. 0 058.42 6611.20.423.13.5-469. 45 12.42 6611.20.423.13.5-469.f&.42.425 05A214.807�213.5-469. 0 058.425 05A210.423.13.5-469. 45 12.425 05A210.423.13.5-469.f&.42.424T- 414.807�213.5-469. 0 058.424T- 410.423.13.5-469. 45 12.424T- 410.423.13.5-469.f&.42.422�199.24.807�213.5-469. 0 058.422�199.20.423.13.5-469. 45 12.422�199.20.423.13.5-469.f&.42.42 Tc96214.807�213.5-469. 45 12.42 Tc96210.423.13.5-469. 0 058.42 Tc96210.423.13.5-469..845 1.694 -.449sc�05 -18�0.31e�6436m05 -1241820 0 8613.464 0.7820 069813.46-125.431e.6670.4b7 0.353 98496- 49431e.36353B24.4)-0 0 2-469。 96- 49420 013353B24.4) –469。 96- 49431e�59153B24.4) –469..845 1.694 9 0 36442 4 -926m09 0 38424T-8.23.468.288 24T-81423.463.68612 4 -A213.b7 0.353 98473.8634255 039 14 -1147.694-469.f�f�978425 081M2139C�.14252.901.519C�.10142560 8.23.f2 m�8.282T+S
LM124、LM124A、LM224、LM224A LM324、LM324A、LM2902 ...
† 超出“绝对最大额定值”所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力额定值，并不暗示器件在这些或“建议工作条件”所列以外的任何其他条件下能够正常工作。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。注意事项： 1.所有电压值（除为测量 IOS 而指定的差分电压和 VCC 外）均相对于网络 GND。2.差分电压为 IN+ 相对于 IN–。3.输出与 VCC 短路可能会导致过热并最终损坏。4.最大功率耗散是 TJ(max)、θ JA 和 TA 的函数。在任何允许环境温度下的最大允许功率耗散为 PD = (TJ(max) – TA)/θ JA。在绝对最大 TJ 150°C 下运行会影响可靠性。5.封装热阻抗根据 JESD 51-7 计算。6.最大功率耗散是 TJ(max)、θ JC 和 TC 的函数。在任何允许外壳温度下的最大允许功率耗散为 PD = (TJ(max) – TC)/θ JC。在绝对最大 TJ 150°C 下运行会影响可靠性。7.封装热阻抗按照 MIL-STD-883 计算。
固体中的自旋弛豫、失相和扩散...
[6] C. Guo, J. Xu, D. Rocca 和 Y. Ping, Phys. Rev. B 102, 205113, (2020)。[7] F. Wu, D. Rocca 和 Y. Ping, J. Mater. Chem. C, 7, 12891 (2019)。[8] F. Wu, TJ Smart 和 Y. Ping, Phys. Rev. B, 100, 081407(R) (2019)。[9] Y. Ping 和 TJ Smart, Nat. Comput. Sci., 1, 646, (2021) [10] K. Li, TJ Smart, Y. Ping, Phys. Rev. Mater (Letter), 6, L042201, (2022) [11] S. Zhang, K. Li, C. Guo, 和 Y. Ping, 2D Materials, 正在印刷, (2023) arxiv.org/abs/2304.05612
像素探测器的未来方向：时间和像素大小......
硅传感器研发混合 SoI CMOS 单片 CCPD 演示器 CLICpix Cracov CLIPS (CLIC) ALICE 调查员 CLICTD Malta/Monopix ATLASpix(Mu3ePix) C3DP+CLICpix 传感器平面平面平面 HR-CMOS 标准 HR-CMOS 改进工艺 HV-CMOS 连接至读出电子元件凸块粘合 SoI SoI 单片单片单片 CC 带胶 ASIC 技术 (nm) 65 200 200 180(TJ) 180(TJ) 180(TJ)/150(LF) 180(AMS)/150(LF) 65 厚度 (µm) 50 / 200 300 / 500 100 / 500 100 50 / 100 100 60 50 间距/单元尺寸 (µm x µm) 25 x 25 30 x 30 20 x 20 28 x 28 30 x 300 36 x 36 40 x 130 25 x 25 命中分辨率 (µm) 9 / 3.5 5/2 4 4 12 7 时间分辨率 (ns) 6 < 10 5 7 最大 NIEL (1 MeV neq/cm2)/TID (Mrad) O(10