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紫外激发微分干涉对比热透镜显微镜的开发，用于蛋白质分子计数
这种空间的体积如此之小，分析物分子的数量正在减少，需要单分子水平的检测方法。特别是，单个非荧光分子的检测非常重要，因为大多数分子没有荧光。相反，我们开发了用于灵敏检测非荧光分子的热透镜显微镜 (TLM)，并实现了在 7 fL 中测定 0.4 个分子的浓度 [1] 和使用紫外激发激光计数单个大型生物分子 (λ-DNA) [2]。然而，由于光学背景较大，这是基于 TLM 原理的一个问题，因此无法实现蛋白质等小分子的计数。因此，我们通过引入微分干涉对比 (DIC) 显微镜的原理开发了微分干涉对比热透镜显微镜 (DIC-TLM) 以实现无背景检测。到目前为止，DIC-TLM 可以实现对单个非荧光分子的检测 [3]，而之前的 DIC-TLM 使用可见光激发，无法检测在紫外线范围内有吸收的生物分子。本文开发了一种新型紫外激发DIC-TLM（UV-DIC-TLM）用于检测单个蛋白质分子。具体而言，设计了用于紫外激发的DIC棱镜和显微镜等光学元件，验证了UV-DIC-TLM的原理并评估了其性能。
紫外激发微分干涉对比热透镜显微镜的开发，用于蛋白质分子计数
这种空间的体积如此之小，分析物分子的数量正在减少，需要单分子水平的检测方法。特别是，单个非荧光分子的检测非常重要，因为大多数分子没有荧光。相反，我们开发了用于灵敏检测非荧光分子的热透镜显微镜 (TLM)，并实现了在 7 fL 中测定 0.4 个分子的浓度 [1] 和使用紫外激发激光计数单个大型生物分子 (λ-DNA) [2]。然而，由于光学背景较大，这是基于 TLM 原理的一个问题，因此无法实现蛋白质等小分子的计数。因此，我们通过引入微分干涉对比 (DIC) 显微镜的原理开发了微分干涉对比热透镜显微镜 (DIC-TLM) 以实现无背景检测。到目前为止，DIC-TLM 可以实现对单个非荧光分子的检测 [3]，而之前的 DIC-TLM 使用可见光激发，无法检测在紫外线范围内有吸收的生物分子。本文开发了一种新型紫外激发DIC-TLM（UV-DIC-TLM）用于检测单个蛋白质分子。具体而言，设计了用于紫外激发的DIC棱镜和显微镜等光学元件，验证了UV-DIC-TLM的原理并评估了其性能。
太空电信和导航实验室
Samples from our Projects / Products: • Satellite data handling software for EgSACube Series and Micro-satellites (NARSSCube-1&2, NExSat-1, etc…) • On-Board computer & data handling subsystem (CDHS) for EgSACube and Micro-satellites (NARSSCube-1&2, NExSat-2) • TT&C communication subsystems for EgSACube Series and Micro-Satellites（NarSscube-1＆2，nexsat-2）•Cubesat（EGSACUBE-5）和微型 - 卫星（NexSat-2）（NexSat-2）的Leo GPS接收器子系统•可配置的遥测模块（TLM）子系统，用于微型 - 卫星（Nexssat-2）（Nexssat-2）•SARTHETILE•SARTHETECERET pREATTER RADAR RADAR RADAR RADAR RADAR RADAR RADAR RADAR RADAR（
人工智能算法让商业用户能够……
Reconciliations Premium 认为 AIR 在新功能和提高效率方面为用户带来了许多机会，尤其是在优化方面。他说：“首先是提高公司加入新对帐的速度。它可以帮助用户协调他们从未见过的数据，并允许他们快速完成，而无需详细了解产品 - 它可以通过 AI 分析帮助他们更快地加入。” 据 Hasson 称，AIR 还在将公司的对帐能力扩展到新市场和用户方面发挥着重要作用 - 特别是那些对帐需求相对基本、希望即时配置新对帐的用户。“它不是为高度复杂的对帐空间设计的，也没有特定于领域的功能。AIR 为不需要自动化或业务深度功能的部门和其他组织部分带来了新的对帐选项，它使用最新的 AI 和机器学习技术来实现这一点。有些用户希望尽可能快速、简单地运行临时对帐，SmartStream AIR 完全可以满足这一需求。它是云托管的，不需要培训，因此用户从第一天起就可以高效工作。真正好的部分是，它提供的技术也可以通过 TLM Reconciliations Premium 获得 - 例如，分析和加入新信息并改进自动匹配。” AIR 为 TLM Reconciliations Premium 带来的关键功能之一是允许客户使用 AI 服务，同时保留他们认为必不可少的监督和控制水平。Hasson 解释道：“他们可以快速构建或重复使用业务规则来确认特定组合、验证公差等
2012年，我遇到了一个叫卡佩贾的女孩，她因左腿罹患怪病而被家人遗弃，右腿也受到侵袭，在TLM 刚果的支持下，双腿被截肢。我通过将她与家人联系起来对这个女孩进行指导，然后鼓励她不要担心，并进行自我护理以治愈她的足部溃疡。我给了他一笔小额贷款，用于出售玉米粉、木薯、棕榈油和房前余烬。这使他能够获得每日的食物。我送他去职业培训中心接受裁剪和缝纫培训。如今，她已经成为村里炙手可热的裁缝。如今，她过着正常的生活，并能满足基本的社交需求。
2012年，我遇到了一个叫卡佩贾的女孩，她因左腿罹患怪病而被家人遗弃，右腿也受到侵袭，在TLM 刚果的支持下，双腿被截肢。我通过将她与家人联系起来对这个女孩进行指导，然后鼓励她不要担心，并进行自我护理以治愈她的足部溃疡。我给了他一笔小额贷款，用于出售玉米粉、木薯、棕榈油和房前余烬。这使他能够获得每日的食物。我送他去职业培训中心接受裁剪和缝纫培训。如今，她已经成为村里炙手可热的裁缝。如今，她过着正常的生活，并能满足基本的社交需求。
哈塔北环境工程运营计划及……
哈塔湖北部项目以 2013 年投入运营的“活墨累河”计划 (TLM) 下南部湖泊综合体的环境水基础设施为基础。哈塔湖北部湖泊海拔较高，大多为短暂性湿地，与南部永久性至半永久性的哈塔湖不同。哈塔湖北部湖泊是哈塔洪泛区中自然灾害中最后被淹没的部分。该地区由一片小型湿地组成，泄洪道位于洛文组和伍里宁组沙丘之间。两条泄洪道将该地区与更广阔的哈塔洪泛区连接起来。拉克吉利姆溪将查尔卡溪北段的水引入布尔卡湖地区，比特朗泄洪道从比特朗湖北部延伸。
一般散射过程的螺旋状态的量子断层扫描
量子断层扫描已成为计算物理学中量子系统密度矩阵 ρ 的必不可少的工具。最近，它作为测试高能粒子物理学中纠缠和违反贝尔不等式的基本步骤，变得越来越重要。在这项工作中，我们提出了重建一般散射过程的螺旋量子初始状态的理论框架。具体而言，我们对不可约张量算子 f TLM g 执行 ρ 的展开，并通过在适当选择的 Wigner D 矩阵权重下对最终粒子的角度分布数据进行平均来唯一计算相应的系数。此外，我们还提供了生产矩阵 Γ 的新广义和散射的归一化微分截面的显式角度依赖性。最后，我们使用 Weyl-Wigner-Moyal 形式从量子信息的角度重新推导了我们之前的所有结果，此外，我们还获得了 Wigner P 和 Q 符号的简单解析表达式。
精确评估气候模型中的陆地大圈耦合需要高频数据输出
图4：两足的度量分析，证明了不同平均周期对夏季耦合强度评估的影响（分别为北部和南半球的JJA和DJF）。诊断基于ERA5（ECMWF 300重新分析5）从1991年到2020年重新分析数据。通过TLM算法估算明智的热通量和P LCL之间的耦合强度（Dirmeyer等，2006）。通过使用不同的时间序列（即D：仅白天的平均值； E：24小时的全天平均值；和M：每月平均值）来诊断出强耦合区域（土地网格细胞的最高15％）。使用欧拉图来说明三个诊断之间的空间差异。欧拉图中有色组件的区域与特定集的大小成正比。（Yin等人，2023年修改。）305
2025 年 1 月 5 日
1 月 4 日星期六，下午 4:30 John Capo di Lupo 由妈妈 Marjory 提供 † Doris Lelli 由 Sam Zeolla 提供 † Simone & Giovanna Pasquale 由儿子 Hugo Pasquale 提供 † Nicole Obregon 由 Ernest Switala 家人提供 † Joe Zeniewicz 由 Herb & Linda Zinn 提供 1 月 5 日星期日，上午 9:00 Anthony Giordano & Joanna Pennebaker 由妈妈和爸爸提供 † Mary Ann Ledda 由丈夫 Bruno Ledda 提供 † Maria Ma Mai Amore 由 Enerio 家人提供 † Marlene Weston 由 Bob & Marge Kelley 提供 1 月 5 日星期日，上午 11:00 Daniel Himm 由家人提供 † Angelo D'Agostino 由家人提供 † Magdalena Hang Vu 由丈夫 Luong Vu 提供 † Jean Fogel 由 Melanie Nofz 提供 † Joe Zeniewicz 由 Tim & Lee Flaherty 提供 1 月5，下午 1:00 TLM 圣普里西拉的人们 Julia 和 Devon Walrath † Joan Winslow 由 Kathleen Lee 提供 1 月星期一，上午 8:00 John Capo di Lupo 由妈妈 Marjory 提供 † Fred Powers - 纪念生日 † Wanda Hinojosa 由朋友提供 1 月 7 日星期二，上午 8:00 † Magdalena Hang Vu 由丈夫 Luong Vu 提供 † Jackie Bender - 纪念生日 † Terry Jones 由 Bob 和 Melanie Mueller 提供 1 月 9 日星期四，晚上 7:00 † Jim & Alma Kenney 由 Kenney Family 提供 † Joyce Redmond 由 Parish 提供 1 月 10 日星期五，上午 8:00 John Capo di Lupo 由妈妈 Marjory 提供 1 月 11 日星期六，下午 4:30 圣普里西拉的人们 † Peter Vu 由父亲 Luong Vu 提供 † Doris Lelli 由姐妹 Rosemarie 提供Schmidt † Clarita & Ruperto de Sagun 由 Enerio 家族提供 † Edmund & Dolores Phillips 由家族提供 星期日，1 月 12 日，上午 9:00 † Antonio Carta 由妻子 Silvana 提供 † Mary Ann Ledda 由 Silvana Carta 提供 † Romualda Guirriec 由 Melanie & Bob Nofz 提供 † 已故男士联谊会成员 星期日，1 月，上午 11:00 † Angelo D'Agostino 由家族提供 † Magdalena Hang Vu 由丈夫 Luong Vu 提供 † Jeffrey Giren 由 Melanie & Bob Nofz 提供 † Joe Zeniewicz 由 Tim & Lee Flaherty 提供 † Donna Nowak 由 Vi Hanis 提供 星期日，1 月，下午 1:00 TLM Sadie Smith Peck 由 Bill & Theresa McCaffery 提供 † Bob Whitmire 由 Bush 家族提供
ni-al欧姆与P型4H-SIC
本文介绍了法国Villeurbanne的Laboratoire deLaMatière，法国Villeurbanne摘要：对Ni-Al合金的调查，在本文中介绍了在P型4H-SIC上形成欧姆的接触。检查了Ni/Al接触的几个比例。在1分钟内在400°C的氩气气氛中进行快速热退火，然后在2分钟内在1000°C下退火。为了提取特定的接触电阻，制造了传输线方法（TLM）测试结构。在p型层上可重复获得3×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，而N a = 1×10 19 cm -3的掺杂，由Al 2+离子植入进行。测得的最低特异性接触电阻值为8×10-6Ω.cm2。引言硅碳化物是一种半导体，它在硅中具有多种优越的特性，例如宽带镜头三倍，高电场强度（六倍），具有铜和高电子饱和度漂移速度的高热电导率。由于SIC单晶生长晶粒已被商业化，因此在SIC应用中进行了深入的研究[1]，用于高温，高频和高功率设备。半导体设备参数控制开关速度和功率耗散的强大取决于接触电阻[2]。为制造高性能的SIC设备，开发低阻力欧姆接触是关键问题之一。目前正在限制SIC设备的性能，特别是因为与P型材料接触[3-7]。这些接触通常采用铝基合金[3，7]。已经研究了许多不同的解决方案，并且非常关注Ti/al [3-5]，该溶液在p -SIC上产生了10 -4-10-5Ω.cm2的特定接触电阻。最近通过使用诸如TIC [6]的替代材料（诸如TIC [6]的替代材料产生改进的接触的尝试，导致了低于1×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，但是这些接触需要“外来”材料和非标准制造技术。另一方面，一些调查集中在接触Ni/Al [7，8]上，优势是形成欧姆行为无论构成不管构成。在本文中，通过不同的参数提出并讨论了p-SIC上Ni/Al欧姆接触的形成。用不同的参数实现了一组样品。善良的注意力首先集中在表面制备上，尤其是有或没有氧化的情况。然后，研究并讨论了触点中的特定电阻与AL含量。最后，也分析了退火序列的效果。使用标准的梯形热处理特征用于1000°C的退火，然后通过在400°C的中间步骤添加1分钟进行修改。实验样品是4H-SIC N型底物，其n型表层掺杂以10 15 cm -3的掺杂，从Cree Research购买。通过浓度为n a = 1×10 19 cm -3的Al 2+离子植入获得P型区域。在Argon Ambient下，在45分钟内在1650°C下进行射入后退火[9]。首先在溶剂中清洁样品，然后再清洗“ Piranha”溶液。冲洗后，将RCA清洁应用于样品，然后将它们浸入缓冲氧化物蚀刻（BOE）中。清洁后，立即在1150°C的干氧中生长了SIO 2层2小时。光刻来定义传输线方法（TLM）模式，并在将样品引入蒸发室之前就打开了氧化物。Ni的接触组成，然后通过电阻加热沉积AL。最终通过升降过程获得了TLM触点。仅在几分钟内在1000°C下在1000°C下在Argon大气下进行退火后才能建立欧姆接触的形成。