8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT),韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底(例如 c 面蓝宝石)上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限,因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造,从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里,我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板(石墨烯和 hBN)下方的 TMD(MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 )的异轴(向下排列)生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散,从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD,其晶体取向排列整齐,厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制,并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
•数据分析(音频,视频,数据岛) - 980将捕获所有音频数据包,视频数据和数据岛,时机数据和辅助数据,并将其显示为固定费率链接(FRL)数据包。•固定费率链接(FRL)数据分析 - 980将捕获固定速率链接(FRL)数据,并显示基础的TMDS数据元素。•TMDS数据分析 - 980只会捕获数据岛和视频帧。•协议分析 - 980将捕获TMD和固定速率链接(FRL)协议数据,例如序言和后卫频段数据。
TFP401A-Q1 是一款兼容数字视频接口 (DVI) 的 TMDS 数字接收器,用于数字平板显示系统接收和解码 TMDS 编码的 RGB 像素数据流。在数字显示系统中,主机(通常是 PC 或工作站)包含兼容 TMDS 的发射器,用于接收 24 位像素数据以及适当的控制信号。主机将数据和控制信号编码为高速低压差分串行比特流(适合通过双绞线电缆传输)到显示设备。显示设备(通常是平板显示器)需要兼容 TMDS 的接收器(如 TI TFP401A-Q1)将串行比特流解码回主机发出的相同 24 位像素数据和控制信号。然后,解码后的数据可直接应用于平板驱动电路,以在显示器上产生图像。主机和显示器之间的距离可达到 5 米或更长,因此最好采用像素数据的串行传输。要支持高达 UXGA 的现代显示分辨率,需要具有良好抖动和偏差容差的高带宽接收器。
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果,我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜,以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面,从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2,并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂,重点是 MoS2 的 p+ 掺杂,这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外,ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征,有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议,以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后,将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型,包括:(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管;(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管;(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业(STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog)保持着持续合作,因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员,为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用,从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
2004年石墨烯的突破,当时它是第一个同样的,揭示了2D材料的独特特性,并推动了2D材料研究的增长。这导致发现了许多新型的单层材料,例如苯苯丙烯,过渡金属二核苷(TMDS)和六核氮化物。这些材料由于其对电子应用的有希望的特性而引起了科学界社区中的巨大兴趣。tmds由于其多功能性和可调性,在包括催化,储能和光电子的各种应用中被证明具有吸引力。1尽管在许多情况下2D材料与其大容量相比具有增强的性质,但是有不足的方法可以控制纳米级结构,使2D材料的大规模可重复性差异很大,从而阻碍了它们进入我们的日常生活。2
此外,2D TMD 是出色的光热剂,可以将近红外光转化为热能。8,9 因此,2D TMD 作为非接触式光触发药物输送的载体和肿瘤消融的光热剂越来越受欢迎。10–12 尽管潜力巨大,但 TMD 在生物医学应用中使用的一个主要限制因素是其不溶于水,因此难以在水介质中剥离,而剥离最终会导致超薄片的形成。然而,最近很少有研究利用牛血清白蛋白、海藻酸钠以及 DNA 链作为剥离剂的可能性。13–16 最近,聚乙烯吡咯烷酮剥离的 2D 二硫化钨纳米片被用于体内热成像和治疗结肠腺癌。 17 这种剥离的超薄二维 TMD 纳米片已被纳入基于水凝胶的生物医学治疗装置中。18,19
摘要:单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性,例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能,可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文,为了实现激子态的非挥发性电可调性,从而实现 TMD 的光学属性,我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中,CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化,可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词:激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
摘要:二维过渡金属二甲藻元化半导体(2D TMD)的光电和转运性能非常容易受到外部扰动的影响,从而可以通过后体系修饰来精确地定制材料功能。在这里我们表明,纳米级不均匀性称为纳米泡得很不均匀,可用于菌株,而在双层二硫化物中,激发激子转运的介电调节(WSE 2)。我们使用超敏感的空间分辨的光学散射显微镜直接对激子的传输进行成像,这表明介电纳米泡在室温下在漏斗和捕获激子的效率上非常有效,即使明亮的激子的能量受到了忽略的影响。我们的观察结果表明,电介质不均匀性中的激子漏斗是由动量 - 间接(黑暗)激子驱动的,这些激动型(黑暗)激子的能量比明亮的激子对介电扰动更敏感。这些结果揭示了使用深色态能量景观的介电工程进行特殊空间和能量精确的2D半导体中控制激子传输的新途径。主要文本:二维过渡金属二甲藻元化半导体(2D TMD)是范德华的材料,由于其强烈的光 - 含量相互作用,即使在原子上薄的限制下,它们也对纳米级光电构成了巨大的希望。2D TMD的光电特性在很大程度上受其库仑结合的电子孔对(激子)的控制,其结合能相对较大,高达数百个Milli-Electronvolts(MEV),这是由于平面外介电介质筛选而导致的。1–6与自由电荷不同,激子是电荷中性的,因此很难用电子设备中的外部电场来操纵。7–9因此,激子的传输特性在很大程度上取决于随机的扩散运动,没有远程方向性,从而限制了它们作为信息和能量载体的使用。寻找在2D TMD中操纵激子传输的新方法,而不会根本改变其他材料特性,这将产生激子设备,这些设备结合了强烈的光结合,并精确地控制了原子上薄材料中能量和信息流的精确控制。控制2D TMD的特性的一种有吸引力的途径是利用其对菌株,10–21和环境筛查等外在因素的极端敏感性(图1A),5,22-26,实现对光电和运输特性的合成后调节。例如,拉伸应变减少了2D TMD的光学过渡能;因此,16,18,27,28个局部应变区域会产生能量梯度,可以在纳米级低能部位漏洞和捕获激子,该过程被利用以创建长寿命的量子发射器。14,29–33菌株工程很难控制宏观尺度,并且可能引入不良疾病。
•升级以添加视频分析(“实时”)功能•升级以添加视频生成器功能•增强源功能测试(包括深度捕获分析,DSC功能测试有线ID,HDR10+ CT,CEC,CEC,CEC,UHDA和游戏合规性测试) eARC functional testing for Tx • eARC functional testing for Rx • eARC compliance testing for Tx • eARC compliance testing for Rx • TMDS source compliance testing • TMDS sink compliance testing • FRL, FEC, DSC source compliance testing • FRL, FEC, DSC sink compliance testing • HDR function for sink display testing (includes HDR10+ compliance testing for displays).
摘要:可再生能源发电是应对能源消耗快速增长的一种有希望的解决方案。然而,可再生资源(如风能、太阳能和潮汐能)的可用性是不连续和暂时的,这对下一代大型储能装置的生产提出了新的要求。由于成本低、原材料极其丰富、安全性高和环境友好,水系可充电多价金属离子电池(AMMIB)最近引起了广泛关注。然而,一些挑战阻碍了 AMMIB 的发展,包括其电化学稳定性较窄、离子扩散动力学较差以及电极不稳定。过渡金属二硫属化物(TMD)因其独特的化学和物理性质而被广泛研究用于储能装置。层状 TMD 的宽层间距离对于离子扩散和插层来说是一种很有吸引力的特性。本综述重点介绍了 TMD 作为基于多价电荷载体(Zn 2+ 、Mg 2+ 和 Al 3+ )的水系可充电电池阴极材料的最新进展。通过本综述,重点介绍了高性能 AMMIB 的 TMD 材料的关键方面。此外,还讨论了开发改进型 TMD 的其他建议和策略,以启发新的研究方向。