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1个犯罪行为的生物基础psettodidae
1库金国立大学渔业科学研究所，灌木丛48513，韩国共和国2海洋生物学系，海斯群岛，灌木丛48513，海汉市48513，海洋和内陆水资源保护中心，国内水资源保护中心，国民研究与创新机构，国家研究机构，cibinong 16911，Indonesia 4 Marine Instuction of Marine Science 5，PUKYINE SCICUNAL，PUKY YONICER SICODEL，PUKY SICONSIC Marine Integrated Biomedical Technology Center, National Key Research Institutes in Universities, Pukyong National University, Busan 48513, Republic of Korea 6 The Ministry of Livestock, Fisheries and Animal Industries (MINEPIA), Yaounde 00237, Cameroon 7 Fisheries Resources Management Division, National Institute of Fisheries Science, Busan 46083, Republic of Korea * Correspondence: kimhw@pknu.ac.kr;电话。： +82-51-629-5926;传真： +82-51-629-5930†这些作者同样为这项工作做出了贡献。
对水光毒性中的LED技术的审查
通过紫外线LED设备实现的效率提高导致了过去几年紫外线LED水处理的研究报告的大幅度增加。本文根据有关紫外线LED驱动过程的水消毒过程的适用性和性能的最新研究提出了深入的评论。分析了不同的紫外线长度及其组合的影响，以使各种微生物失活和抑制重对机理。虽然265 nm UVC LED具有更高的DNA损伤电位，但据报道280 nm辐射抑制光电反应和深度修复。当耦合UVB + UVC耦合时，尚无协同效应，而顺序的UVA-UVC辐射似乎增强了失活。 还分析了脉冲对持续辐射的对杀菌作用和能量消耗的持续辐射的好处，但具有不确定的重复。 但是，脉冲辐射可能有望改善热管理。 作为一个挑战，使用UV LED来源的使用引入了光分布中的显着不均匀性，从而推动开发拟定的仿真方法，以确保实现目标微生物所需的最低目标剂量。 征服能耗，选择紫外线LED的最佳波长需要在该过程的量子效率与电力到光子转换之间妥协。 在接下来的几年中，紫外线LED行业的预期发展是UVC领导的一项有前途的大规模水消毒技术，在不久的将来可能在市场上具有竞争力。尚无协同效应，而顺序的UVA-UVC辐射似乎增强了失活。对杀菌作用和能量消耗的持续辐射的好处，但具有不确定的重复。但是，脉冲辐射可能有望改善热管理。作为一个挑战，使用UV LED来源的使用引入了光分布中的显着不均匀性，从而推动开发拟定的仿真方法，以确保实现目标微生物所需的最低目标剂量。征服能耗，选择紫外线LED的最佳波长需要在该过程的量子效率与电力到光子转换之间妥协。在接下来的几年中，紫外线LED行业的预期发展是UVC领导的一项有前途的大规模水消毒技术，在不久的将来可能在市场上具有竞争力。
职位描述 - 民事
NCI 机构 CIS 支持部门 (CSU) 布鲁塞尔位于布鲁塞尔 (BEL)，是北约布鲁塞尔总部秘书长、国际参谋部 (IS)、国际军事参谋部 (IMS) 和其他客户提供全天候支持的主要信息、通信和技术 (ICT) 服务提供商。CSU 布鲁塞尔支持端到端 CIS 服务，因为它在其分配的责任区 (AOR) 内以及按照其他指示安装、操作、维护和支持和平时期、危机和战争期间的全方位 CIS 功能。网络安全部门 (CSS) 与北约网络安全中心 (NCSC) 合作，在 CSU AOR 内执行通信安全 (COMSEC) 和计算机安全 (COMPUSEC) 职责。CSS 为 CSU AOR 提供能力开发、工程和过渡、安全事件流程。CSS 负责分配的安全应用服务和分配的硬件的安全管理。CSS 在其专业领域内酌情为漏洞评估、事件管理、问题管理、1 级和 2 级支持、IT 服务连续性管理、供应商管理、配置管理和变更管理做出贡献。CSS 根据 SLA 提供意识简报。
帕邦-贝尔特兰（Andrea Carolina）萨纳布里亚-马丁内斯，费利佩；巴斯克斯，保管人；巴尔巴-奥尔特加，何塞·何塞； Valbuena-Niño，Ely Dannier 集中度研究
发布日期：2019年12月12日 |接受日期：2020年7月29日 |出版日期：2021 年 10 月 12 日 Andrea Carolina Pabón-Beltrán 哥伦比亚桑坦德工业大学 Orcid：0000-0003-3877-7678 Felipe Sanabria-Martínez 哥伦比亚材料科学与技术研究人员基金会：dio Vásquez 哥伦比亚桑坦德工业大学 Orcid：0000-0001-6563-0044 José José Barba-Ortega 哥伦比亚哥伦比亚国立大学 哥伦比亚材料科学与技术研究人员基金会 西班牙材料、应用和纳米结构中心 哥伦比亚材料科学与技术研究人员基金会 Orcid：0000-0003-4154-7179 * 研究文章 通讯作者。电子邮件：foristom@gmail.com DOI：https：//doi.org/10.11144/Javerina.iued25.scpt
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
大面积 InGaAs PIN 光电二极管
信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计，如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性，并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W，允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备（-LC 选项）。它们电容只有标准类型电容的一半，因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm，采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求，因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行，并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证，光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰