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成人监护的检查标准 - ...
监禁惩罚应当剥夺罪犯的自由，仅此而已。囚犯应以安全、有保障和人道的方式得到管理和关押。罪犯的惩罚由量刑法院根据立法制定的原则决定。如果判处监禁，惩罚的严厉性将体现在刑期的长短上。除了剥夺自由本身之外，监禁并不意味着、不会导致或授权对惩教中心的人实施任何其他惩罚、羞辱或残忍或不寻常的待遇。惩教中心不应将惩罚作为运作目的。监禁判决要求执行判决的当局负有注意义务，确保在押人员的安全和福祉，并采取风险管理方式防止该人伤害自己或他人。
硅基内置低暗电流光电二极管... - CDN
与传统体硅相比，绝缘体上硅（SOI）衬底具有许多优势，包括低漏电流、低电容、低功耗、更好地抵抗短沟道效应（SCE）和卓越的缩放能力[1 – 4]。这使得SOI衬底不仅适用于传统的MOSFET，而且由于天然的衬底隔离[5 – 8]和更简单的多栅极设计，它也对新型半导体器件具有吸引力，例如TFET和Z2-FET。此外，建立在SOI平台上的光电探测器（PD）也表现出优异的光电性能。高工作速度、高抗辐射和低寄生电容的优势使基于SOI的PD在电子和光子集成电路（EPIC）、光通信系统和航空航天等许多应用领域中极具竞争力[9 – 16]。为了在 SOI 薄膜中形成 pn 光电二极管，通常使用常规离子注入来掺杂 Si 沟道 [17]。然而，离子注入会损坏并降低 Si 的质量，这个问题在缺乏种子层以促进再结晶的超薄 SOI 薄膜中尤其严重。此外，用于激活掺杂剂的高温退火可能会引起应力和损坏，并进一步降低器件的性能。为了克服这些缺点，可以使用电场诱导的静电掺杂 [18,19] 来形成 pn 结并完全避免离子注入。之前，我们已经证明在
职位描述 - 首席保管员
1. 指导和监督所有看管人员，确保所有任务以安全有效的方式完成，以确保所有学校建筑的安全和清洁。 2. 确保并实施看管人员与学生、家长、工作人员和社区之间的健康、积极和尊重的关系。 3. 参加并完成所有强制性培训。 4. 培训员工正确使用、操作和维护学区设备和流程。 5. 接收、处理和优先处理来自建筑物的工作订单，确保正确完成所需工作。 6. 清洁和清洗地板、墙壁、天花板；除尘和擦亮家具；清洗窗户；剥去、打磨、打蜡和抛光地板；清洁和消毒卫生间。处理可回收物品和垃圾。
![基于苯基丁二烯衍生物 [2+2] 光二聚化的光机械分子晶体和纳米线组装](/simg/6/614f5ae5855ab59b25e2e701461c7264fbb18274.webp)
基于苯基丁二烯衍生物 [2+2] 光二聚化的光机械分子晶体和纳米线组装
完整作者列表： Tong, Fei；加州大学河滨分校，化学 Xu, Wenwen；马萨诸塞大学阿默斯特分校，聚合物科学与工程 Guo, Tianyi；肯特州立大学，先进材料与液晶研究所 Lui, Brandon；加州大学河滨分校，Hayward, Ryan；马萨诸塞大学，聚合物科学与工程 Palffy-Muhoray, Peter；肯特州立大学，先进材料与液晶研究所 Al-Kaysi, Rabih；沙特·本·阿卜杜勒阿齐兹国王健康科学大学，基础科学 Bardeen, Christopher；加州大学河滨分校，化学
5.真空光电二极管的研究
其中 q =1.605x10 -19 是电子的单位电荷。我们可以看到，这个电位是光频率的线性函数。获取不同光频率下的值使得确定功函数成为可能。为了演示光电效应，应用了真空光电二极管。真空光电二极管（或真空光电管）是带有光敏阴极的真空二极管。图 1 显示了真空光电二极管的结构和基本测量装置。
metodiche di深度学习
本论文旨在介绍深度学习及其在图像分析中取得很大成功的应用：CO -Imbrespecity神经网络。尤其是显示了在应用谴责网络中获得的优点，缺点和结果，这是一种新学科，涉及从医学图像中提取大量特征来开发诊断和预后支持的模型。在第一章中，机器学习的概念对于理解深度学习中使用的学习算法很有用。神经网络或深度学习算法所基于的结构。在第二章中，放射线瘤的技术和用途被暴露出来，在NE中，使用该领域的公共神经网络的优点，提出了有关此事的一些最新研究。在第二章中，放射线瘤的技术和用途被暴露出来，在NE中，使用该领域的公共神经网络的优点，提出了有关此事的一些最新研究。
有机光电二极管及其光电应用
400 nm 至 800 nm。（实线）包括 CsI(Tl) 闪烁体的发射光谱以供比较。（虚线）（b）不同光活性层厚度的 OPD 在暗条件和 950 µW/cm 2 光照辐照度（波长 546 nm）下实验和拟合的电流密度 (J) 与电压 (V) 特性。当实线符号表示光响应时，空心符号表示测得的暗电流。实线是根据非理想二极管方程拟合的暗电流密度。虚线表示当分流电阻 R sh 为无穷大时的理想 JV 曲线。（c）对于具有不同活性层厚度的 OPD，暗电流密度 (J dark ) 测量图与内部电场的关系。（d）反向偏压为 1.5V 时具有 320 nm 厚度活性层的 OPD 的外部量子效率 (EQE)...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。