肝细胞癌 (HCC) 占原发性肝癌的大部分,是全球第三大癌症相关死亡原因。多因素耐药性被认为是 HCC 治疗失败的主要原因。越来越多的证据表明,肿瘤微环境 (TME) 的成分,包括癌症相关成纤维细胞、肿瘤血管、免疫细胞、物理因素、细胞因子和外泌体可能解释 HCC 的治疗耐药机制。近年来,抗血管生成药物和免疫检查点抑制剂在 HCC 患者中显示出令人满意的效果。然而,由于肿瘤和 TME 之间的通讯增强,微环境异质性对治疗耐药的影响尤为复杂,这表明这是一个更具挑战性的研究方向。此外,据报道,来自患者活检的三维 (3D) 类器官模型更直观地充分了解 TME 在获得性耐药中的作用。因此,在这篇综述中,我们不仅关注了与 HCC 中 TME 内容相关的治疗耐药机制和目标,而且还全面描述了 3D 模型以及它们如何有助于探索 HCC 治疗。
压印光刻是一种有效且众所周知的复制纳米级特征的技术。纳米压印光刻 (NIL) 制造设备采用一种图案化技术,该技术涉及通过喷射技术将低粘度抗蚀剂逐场/逐场/逐次沉积和曝光到基板上。将图案化的掩模放入流体中,然后通过毛细作用,流体快速流入掩模中的浮雕图案。在此填充步骤之后,抗蚀剂在紫外线照射下交联,然后去除掩模,在基板上留下图案化的抗蚀剂。与光刻设备产生的图案相比,该技术可以忠实地再现具有更高分辨率和更大均匀度的图案。此外,由于该技术不需要大直径透镜阵列和先进光刻设备所需的昂贵光源,因此 NIL 设备实现了更简单、更紧凑的设计,允许将多个单元聚集在一起以提高生产率。
由算法确定标签。根据决策树,在从 Haralick 特征(30)和图像矩(即中心矩、原始矩、归一化中心矩和 Hu 矩)中评估的 50 个因素中,来自 Haralick 特征的熵和方差以及图像中的中心矩特征是决定标签的最有效因素。在图像处理中,图像矩是图像像素强度的加权平均值(矩),或此类矩的函数,通常选择具有某些有吸引力的特性或解释。通过图像矩找到的图像的简单属性包括面积(或总强度)、其质心以及有关其方向的信息。另一方面,熵测量图像直方图的强度,它显示图像中不同灰度级的概率。
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中,我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响,以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略,从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层,这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比,相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列,从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质,以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
人们正在考虑在下一代光刻节点中使用 Ta 基吸收体的替代品,以减少 3D 掩模效应并通过相位干涉改善图像调制。低复折射率 (n-ik) 材料可以在比传统吸收体所需厚度更薄的情况下提供相移行为,本质上充当衰减相移掩模 (attPSM) 膜。确定 attPSM 吸收体厚度和随之而来的相位需要确定最佳相移掩模反射率。使用高反射率吸收体进行成像可显示出更好的成像性能。吸收体厚度是在干涉效应导致高吸收体反射率的地方确定的。因此,低折射率 (n) 材料是理想的 attPSM 吸收体候选材料。使用维纳边界和有效介质近似 (EMA) 建模确定的低 - n 材料组合使用吸收体反射率在线空间和接触孔图案针对 NILS 和 MEEF 进行优化。使用反射近场强度成像将接触孔最佳厚度的吸收体候选物与传统的 Ta 基吸收体进行了比较。
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