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数字晶体管 TDTA(R1=R2 系列)CA
订购信息 型号 标记 封装代码 TDTA114ECA 14 SOT-23 TDTA124ECA 15 SOT-23 TDTA143ECA 13 SOT-23 TDTA144ECA 16 SOT-23
MoS2堆叠纳米片场效应晶体管的模拟
根据2021年国际器件与系统路线图（IRDS），环栅晶体管（GAA）将从3nm技术节点开始取代FinFET，并应用于1nm技术节点。下一步，尺寸缩小的目标不仅是降低漏电，更重要的是降低功率，而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律，不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度，还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力，因此具有更好的功率缩放性能，是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
6H-SiC/GaN金属半导体场效应晶体管
栅极电容和沟道中的电场将通过连接在栅极下方的未掺杂区域而减小。设计了器件结构并在ATLAS中进行仿真。两种器件均采用GaAsP/6H-SiC/GaN材料设计，并进行了漏极电流模拟和模拟仿真[12]。表1给出了结构模拟参数的有效使用。各种模型和方法都用于器件模拟。模型和方法在表2和表3中给出
基于单层 MoSe2 的隧道场效应晶体管...
摘要 — 本文详细研究了机械应变对过渡金属二硫属化物 (TMD) 材料隧道场效应晶体管 (TFET) 的影响。首先，利用密度泛函理论 (DFT) 的第一原理在元广义梯度近似 (MGGA) 下计算机械应变对 MoSe 2 材料参数的影响。通过在非平衡格林函数 (NEGF) 框架中求解自洽 3D 泊松和薛定谔方程，研究了 TMD TFET 的器件性能。结果表明，I ON 和 I OFF 均随单轴拉伸应变而增加，但 I ON / I OFF 比的变化仍然很小。TMD TFET 中这种应变相关性能变化已被用于设计超灵敏应变传感器。该器件对 2% 的应变显示出 3.61 的灵敏度 (ΔI DS / I DS)。由于对应变的高灵敏度，这些结果显示了使用 MoSe 2 TFET 作为柔性应变传感器的潜力。此外，还分析了应变 TFET 的后端电路性能。结果表明，与无应变 TFET 相比，基于受控应变的 10 级反相器链的速度和能效有显著提高。
基于石墨烯乙酸的杂交超级电容器和液体门控晶体管
超级电容器和晶体管是将来电子设备的两个关键设备，必须结合可移植性，高性能，易于可伸缩性等。与石墨烯相关的材料（GRM）经常被选为这些应用的活性材料，因为它们的独特物理特性可通过化学功能化来调整。最新的GRM中，只有减少的石墨烯（RGO）在温和培养基中显示出足够的多功能性和加工性，使其适合在这两种类型的设备中集成。在这里，提供了RGO的声音替代方案，即石墨烯乙酸（GAA），其物理化学特征具有特定的优势。尤其是，在锌混合超级电容器（ZN-HSC）中使用基于GAA的阴极的最先进的重力电容为≈400f g-1的当前密度为0.05 a g-1。相反，基于GAA的LGT支持SI/SIO 2，在0.1 M NaCl中显示出双极行为，其特征是由DIRAC电压高于100 mV的清晰p掺杂。这种设备在纸张流体中成功实现，从而证明了实时监控的可行性。
基于离子敏感场效应晶体管（ISFET）的综述...
可以识别和测量生物分子的传感器的发明是生物学的关键进步。传感器已在多个行业中广泛使用，最著名的是在医学诊断领域。生物传感器通过整合信号转换和生物识别成分来构成生物检测系统。它们已针对广泛的生物检测应用开发。一类称为电化学生物传感器的生物传感器使用电分析设备，并具有更高敏感性，简单性，速度和生物分子识别选择性的优势。如今最受欢迎的电化学生物传感器之一是ISFET传感器，它执行生化测量和生物分子识别。ISFET最初是在五十多年前提出的，现在使用ISFET制造了最有前途的护理诊断和实验室设备。在本综述的论文中，提出了ISFET的历史，工作原理，制造过程以及建模和仿真技术。此外，还解释了一些物理方面和仿真方法。最后，我们讨论了它们在敏感和可靠地分析包括DNA，酶和细胞在内的多种生物分子中的应用。
氧化镓垂直晶体管的高级TCAD仿真与校准
本文通过将模拟设置校准到垂直无结多栅极晶体管实验数据，介绍了先进的 β -Ga 2 O 3 TCAD 模拟参数和方法。通过仔细校准，确定了几个重要的 β -Ga 2 O 3 器件物理特性。研究了补偿掺杂和掺杂剂不完全电离的影响。使用了可以捕捉温度效应的电子飞利浦统一载流子迁移率 (PhuMob) 模型。我们还表明，界面陷阱可能对非理想亚阈值斜率 (SS) 不起作用，短沟道效应是 SS 退化的主要原因。我们还讨论了无结 Ga 2 O 3 晶体管的击穿机制，并表明其受到关断状态下沟道穿通的限制。校准后的模型与实验的电容-电压 (CV) 和电流-电压 (IV) 很好地匹配，可用于预测新型 β -Ga 2 O 3 器件的电性能。 © 2020 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ab7673]
灵活的现场效应晶体管构建技术，简短的评论
1.1 F-FET结构通常，F-FET由源，排水和门组成。它在绝缘底物上收缩。源和排水量沉积在半导体上，并通过导电电极（通常是金，铜或银）连接到外部电源。FET的门通常在基板的顶部或底部制造，这就是FET结构称为顶部或底部门的原因（图1）。基本上，电荷载体在施加的栅极电压的控制下流过FET。V GS和I DS之间的关系是I DS = µ（WC/2L）（V GS -V T）2，其中I DS是从排水源流到源的电流，C是绝缘体电容，V t是阈值电压，W是通道的差异，L是其长度，L是其长度，Schneider，Schneider等。[1]。
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得