XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemtransistor
SIGE HBT晶体管选定参数的优化
过去几年已经看到了SIGE异质结双极晶体管（HBT）技术的显着进步。今天，Sige-Base HBTS的使用越来越多地在无线和高速数字通信中流行。在这些晶体管中，带隙分级产生了一个漂移场，这有助于少数载体通过基座运输。这一事实已被用来实现具有高切割频率F t（超过100 GHz）的设备。在文献[1-5]中广泛研究了SIGE HBTS中的基本运输时间的GE PROFE和BASE掺杂量的设计。三角形的ge profle在优化底座中的带隙分级有效，以最大程度地减少t b sige（基本运输时间 - f t中的主要因素）。由于已经检查了指数碱基的掺杂掺杂率和类似的基础[4，5]，我们的目的是对底座中掺杂剂的高斯分布进行处理。在常规设备中，这种分布导致基本运输时间降低[6]，因此估计其对SIGE HBT的影响是有用的。此外，在实际晶体管中，掺杂填充物比高斯分布更接近于指数。对SIGE HBT的两个重要参数进行了建模，即基本运输时间和当前增益。模型不仅是高掺杂效应的，而且还依赖于di usion系数的依赖性对漂移轨道和沿基数的可变GE浓度。基础中的两种类型的GE分布进行了检查：三角形的一个和框一[4，7]。
BF245B；BF245C N 沟道硅场效应晶体管
客户负责使用恩智浦半导体产品设计和操作其应用程序和产品，恩智浦半导体对任何应用程序或客户产品设计方面的协助不承担任何责任。客户应全权负责确定恩智浦半导体产品是否适合客户计划的应用程序和产品，以及客户第三方客户的计划应用程序和使用。客户应提供适当的设计和操作保障措施，以最大限度地降低与其应用程序和产品相关的风险。