作为技能和人工智能革命的核心,达能推出了创新的全球培训计划“DanSkills”。达能秉承对商业成功和社会进步的双重承诺,将男性和女性置于其增长模式的核心,正准备通过 DanSkills 迎接未来的挑战。这项创新的培训计划有两个主要目标:提高所有 100,000 名达能员工的未来工作技能并吸引新的人才。从现在到 2030 年,达能计划每年重新分配 100 万小时的培训时间,帮助员工学习未来的技能,并在此期间投入 1 亿欧元的预算。这个全球项目包括在达能历史悠久的依云工厂建立一个专门的管理培训中心。数字技术和人工智能的革命,再加上环境和人口结构的变化,促使企业彻底重新思考工作世界并发明可持续的新组织模式。在这些深刻的动荡中,达能创建了 DanSkills 计划,既是为了让员工为即将到来的技能革命做好准备,也是为了填补公司预计到 2027 年将需要的欧洲 2,500 个职位(包括法国的 500 多个职位)。DanSkills 的首次亮相标志着建立新的社会契约的第一步,该契约由达能首席执行官 Antoine de Saint-Affrique 于 2023 年发起,当时他召集了一支由领导者和专家组成的扩大团队,以反思未来几年的人类和社会挑战。DanSkills 植根于公司对商业成功和社会进步的双重承诺,是达能影响力之旅承诺不可或缺的一部分,并将向世界各地的所有达能员工开放,无论他们处于职业生涯的任何阶段。它将让每个人都有机会根据自己的职业抱负寻求职业机会。在此过程中,DanSkills 将增强达能的创新、创造力、共享效率和绩效潜力。具体来说,这项全球技能发展计划:
低维铁电体、亚铁电体和反铁电体由于其不同寻常的极性、压电、电热和热电特性而受到迫切的科学关注。层状二维范德华材料(如 CuInP 2 (S,Se) 6 单层、薄膜和纳米薄片)的铁电特性的应变工程和应变控制具有根本性的意义,尤其有望在纳米级非易失性存储器、能量转换和存储、纳米冷却器和传感器等高级应用中得到应用。在这里,我们研究了半导体电极覆盖的亚电介质 CuInP 2 S 6 薄应变膜的极性、压电、电热和热电特性,并揭示了失配应变对这些特性的异常强烈影响。特别是,失配应变的符号及其大小决定了压电、电热和热电响应的复杂行为。与许多其他铁电薄膜相比,应变对这些特性的影响是相反的,即“异常的”,对于这些铁电薄膜,平面外剩余极化、压电、电热和热电响应对于拉伸应变强烈增加,对于压缩应变则减小或消失。
更高形式的对称性是对物质拓扑阶段进行分类的宝贵工具。然而,由于存在拓扑缺陷,相互作用多体系统中出现的高色对称性通常不准确。在本文中,我们开发了一个系统的框架,用于建立具有近似更高形式对称性的有效理论。我们专注于连续的u(1)q形式对称性和研究各种自发和显式对称性破坏的阶段。我们发现了此类阶段之间的双重性,并突出了它们在描述动态高素质拓扑缺陷的存在中的作用。为了研究物质这些阶段的平衡性动力学,我们制定了各自的流体动力学理论,并研究了激发的光谱,表现出具有更高形式的电荷松弛和金石松弛效应。我们表明,由于涡流或缺陷的增殖,我们的框架能够描述各种相变。这包括近晶晶体中的熔融跃迁,从极化气体到磁流失动力学的血浆相变,旋转冰跃迁,超流体向中性液体转变以及超导体中的Meissner效应。
第二次谐波(2Ω)非线性霍尔效应(NLHE)[1,2]可以通过用基于大的基于晶体的同类产品代替古老的基于界面的设备,从而带来逻辑和能量收获技术的新范式[3]。另一方面,NLHE对费米表面的几何形状非常敏感。nhle可以在鞍点[4]和扁平带的位置提供丰富的信息,并直接探测原子上薄的Chern绝缘子中的拓扑相变[5]。在原子薄量子材料的异质结构中获取有关电子特性的信息至关重要,那里的结构对称性工程和热功能可调的复杂的准粒子带共存。在这项工作中,我们在反转对称性的高质量双层石墨烯(BLG)上进行了实验研究,这是掺杂(n)介电位移的函数(d)和温度(t)。我们的结果揭示了不可预见的外在散射和界面应变诱导的内在浆果曲率偶极子(BCD)的二二,其符号和幅度可以通过N和/或D在BLG的低能带边缘附近调节。远离带边缘,观察到NLHE由外部散射占主导地位。BLG中的第二个谐波产生效率V XX(Y)2Ω /VXXΩ2为〜50 V -1,在所有可伸缩材料中最高。此外,v xx(y)2Ω的符号变化的n -d分散轨迹轨迹在BLG中带走了与拓扑相关的LIFSHITTINTIONS。我们的工作将BLG建立为一个高度可调的平台,以生成NLHE,进而探测双层石墨烯中引人入胜的低能电子结构。
这项研究探讨了从过渡金属二分法生成元(TMD)中单层的光学特性,这些材料因其独特的电子和光学特性而引起了刻印烯后引起注意的材料。我们分析了TMD单层的晶体结构,布里渊区和电子带结构,为了解其多样化的光学现象奠定了基础。特别重点放在跨山谷的能量谱上,并使用有效的哈密顿量用于平行自旋带。我们研究了带之间的光学转变,包括单,二和三光过程,开发方程式以计算考虑极化,光频率和温度的过渡概率。我们的理论分析植根于量子力学,阐明了决定这些转变的基质元素,强调了复杂组合对TMD单层光学行为的影响。这项工作不仅可以提高我们对TMD光学特性的理解,而且还强调了它们用于光电应用的潜力,标志着对半导体物理领域的重要贡献。关键字:偏光光子;矩阵元素;光学过渡;两频近似;当前载体; Electron Hamiltonian;动量操作员;旋转状态PACS:71.20。- b,71.28。+ D
微生物系统似乎在少数主要社区(分类成员)中来回移动的转换能力相对较高。虽然这种切换行为主要归因于随机环境因素,但尚不清楚内部社区动态影响微生物系统的开关能力的程度。在这里,我们整合了生态理论和经验数据,以证明结构化的社区过渡会增加未来社区对当前分类单元成员资格的依赖,从而增强了微生物系统的开关能力。按照结构主义的方法,我们建议每个社区在环境参数空间中的独特领域内都是可行的。然后,任何两个群落之间的结构化过渡都可以与其可行性域的大小成正比,并且与它们在环境参数空间中的距离成反比 - 可以将其视为重力模型的特殊情况。我们检测到具有结构化过渡的两个广泛的系统:一个类别,其中开关容量在广泛的社区规模和另一个类别的类别中,切换容量仅在狭窄范围内。我们使用肠道和口服微生物群(属于1类)以及阴道和海洋微生物群(属于2类)的时间数据来证实我们的理论。这些结果表明,环境参数空间中可行性域的拓扑是了解微生物系统行为不断变化的相关属性。该知识可以可能用于了解微生物系统中内部动力学的相关社区规模。
图。1。高度波动⟨| H(Q)| 2⟩作为波形Q的函数,对于在不同菌株的夹子(ϵ <<0)和压缩(ϵ> 0),ϵ = [ - 0)的函数。3%, - 0。2%,0%,+0。2%,+0。6%]。h(q)是从傅立叶变换h(q)= 1 a 0 r e i(q x x + q y y)h(x,y)dx dy获得的,其中q x,q y是波vector,a 0 = w 0×l 0是在零温度下未经培训的(静电)的面积。我们使用有限数量的Q模式,范围为| Q Min | =π/L到| Q Max | =2π/a,增量为∆ q =π/l,并设置q y =0。温度设置为k b t = 0。05ˆκ,对W 0 /ℓth = 8响应。5,因此热重量化很强。拉伸丝带(ϵ <0),⟨| H(Q)|对于Q-2,对于Q-2的范围很广。用于未训练(ϵ = 0)和压缩丝带(ϵ> ϵ c,在热效应的欧拉屈曲阈值上方),⟨| H(Q)| 2⟩比例像q - (4 -η),η≈0。8。黑色虚线和黑色虚线分别显示Q-(4-η)和Q-2缩放。插图显示Q 2 | H(Q)| 2⟩与Q更清楚地提出Q -2
日期:2023年12月21日,摘要气候危机是人们对在类似于新的“低碳”工业革命的规模上进行能量过渡的关注的核心。由于能源过渡是相对异常的过程,并且延长了过程,社会科学家越来越多地将注意力转移到历史经验上,以了解其未来如何展现的课程。在此背景下,本文研究了当前的政治经济学和能源过渡的障碍与过去的能源过渡相比。本文认为,现有能源制度提出的巨大挑战。建立了几个世纪以来,自工业革命以来,这些“现任”政权或“历史障碍”在现代资本主义的发展中发挥了基本作用。它敦促经济历史学家超越其传统的关注,而不是通过技术变革来创造新的经济增长机会,并更多地研究嵌入政治经济学建筑中的能源过渡的障碍。关键字:能源过渡,经济历史,商业历史,政治经济学:N50,N70,Q40,Q50
系数 数值 e 𝑏 9 𝛼 𝑇 (C -2 ·m J/K) 1.64067 10 7 𝑇 𝐶 (K) 292.67 𝛽 (C -4 ·m 5 J) 3.148 10 12 𝛾 (C -6 ·m 9 J) −1.0776 10 16 𝛿 (C -8 ·m 13 J) 7.6318 10 18 𝑄 𝑖3 (C -2 ·m 4 ) 𝑄 13 = 1.70136 − 0.00363 𝑇 𝑄 23 = 1.13424 − 0.00242 𝑇 𝑄 33 = −5.622 + 0.0105 𝑇 𝑍 𝑖33(C -2 ·m 4 ) 𝑍 133 = −2059.65 + 0.8 T 𝑍 233 = −1211.26 + 0.45 T 𝑍 333 = 1381.37 −12 T 𝑠 𝑖𝑗(Pa -1 ) 𝑠 11 = 1.510 10 −11 𝑠 12 = 0.183 10 −11
摘要 动态解耦技术是一种多功能工具,可用于设计具有定制特性的量子态。在捕获离子中,通过射频场修饰的嵌套连续动态解耦 (CDD) 层可以抵消主要的磁移和电移,从而提供电子态的极长相干时间。利用这种增强功能进行频率计量、量子模拟或量子计算,提出了将解耦与激光离子相互作用相结合以对捕获离子的电子和运动状态进行量子控制的挑战。最终,这将需要在修饰解耦状态的量子比特上运行量子门。我们在此提供捕获离子中嵌套 CDD 的紧凑表示,并将其应用于电子 S 和 D 状态以及光学四极跃迁。我们的处理提供了所有有效的跃迁频率和 Rabi 速率,以及这些跃迁的有效选择规则。在此基础上,我们讨论了结合 CDD 和 Mølmer-Sørensen 门的可能性。