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在开发中对技术准备水平（TRL）的审查
准备水平。系统工程研究会议，加利福尼亚州洛杉矶，2006年4月7日至8日，论文号126，http://www.boardmansauser.com/downloads/2005sauserramirezvermagovecser.pdf（检索：2020年10月1日）
![arxiv：2009.05741v1 [Math.oc] 2020年9月12日](/simg/b/bb1043a74b22730808ba5d30f6a2618da6f71fcf.webp)
arxiv：2009.05741v1 [Math.oc] 2020年9月12日
硅（SI）中的供体和量子点旋转量值是可伸缩量子计算体系结构的有吸引力的候选者[1-3]。si提供了一个理想的矩阵，用于托管自旋矩形，因为它在微电子行业，弱自旋轨道耦合以及具有零核自旋的同位素的存在。nat-ural Si由三个同位素组成：28 Si（92.23％），29 Si（4.67％）和30 Si（3.1％）[4]。NAT Si中的量子量解的主要来源是由于与周围的29 Si核耦合，该核具有i = 1/2的核自旋。< / div>29 si旋转的偶极爆发在局部磁场中引起伴随，从而导致时间变化的量子共振频率[5，6]。通过使用HAHN-ECHO脉冲序列测量了对电子供体核的电子[7]的自旋相干时间[7]和电离供体核[8]的60 ms [7]和60 ms的限制。幸运的是，28 Si没有核自旋，因此可以为旋转量器提供理想的低噪声环境。在28 si层中供体旋转量值的较长连贯性时间与800 ppm残留29 si [9]是恶魔 -
![arXiv:2008.07489v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 8 月 17 日](/simg/5/5d1b68f79192ba110176c77f238a4c20ab7e22da.webp)
arXiv:2008.07489v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 8 月 17 日
将它们与 ¯ P 分离（见方程 3 和 5）。因此，图 4（a）显示了参数 ¯ Pγ 2（机械损耗）和 ¯ Pp 2 0（介电损耗）与密度 ρ 的关系，图 4（b）显示了参数 ¯ Pγ 2（机械损耗）和 ¯ Pp 2 0（介电损耗）与密度 ρ 的关系。
![arXiv:2004.02622v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 4 月 6 日](/simg/0/054cf244e5e510f2553c2d3dfe0d5bdd3a0f6fde.webp)
arXiv:2004.02622v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 4 月 6 日
在过去的四十年中，原子层沉积 (ALD) 作为一种薄膜生长技术得到了广泛的应用 1,2。它的可扩展性、前所未有的保形性和精确到原子级的厚度控制，都使其成为大多数纳米制造工作的宝贵资产，在商业半导体制造中发挥着关键作用。尽管 ALD 主要用于生长相对简单的化合物，例如二元氧化物、氮化物或硫化物（大部分为非晶态），但它也用于生长金属 3 ，最近还实现了更复杂的材料 4 ，包括钙钛矿 5–9。使用 ALD 技术历史最悠久的材料之一是 SiO 2 10，它是微电子工业中的关键元素，可用作钝化层和栅极氧化物等。相关材料 GeO 2 的 ALD 生长不那么普遍；其使用 ALD 的生长方法相对较少，而且其可能的前体也没有太多经过测试 11–13 。对 GeO 2 薄膜的研究主要致力于 GeO 2 /Ge 界面的研究，GeO 2 薄膜被提议作为降低 Ge 和顶部高 K 电介质之间界面态浓度的手段 14–16 ，目的是实现具有 Ge 基沟道的 MOSFET。在这些研究中，使用了热或等离子体氧化以及气相生长 17,18 。值得一提的是，这些工作使用含烷氧基或卤化物配体的前体，这会导致相对较慢的反应速度。过去已经研究了由 SiO 2 和 GeO 2 多层组成的薄膜，包括溶液和气相沉积方法 19–21 ，主要关注它们的光学特性。在这项工作中，我们展示了使用四（二甲氨基）锗 (IV) (TDMAGe) 作为前驱体，可以通过热 ALD 沉积 GeO 2 以及 SiO 2 /GeO 2 多层。我们使用 Picosun R-200 高级热壁 ALD 系统，其腔室通向一个手套箱，其中含有氮气，氧气和水的浓度受控。我们使用